西方封鎖越狠，中國反彈越強：國產芯片設備自給率，超額完成目標

封鎖越狠，反彈越強。成功突破西方阻擊，中國國產芯片設備自給率超額達標。

2025年剛過，中國半導體產業就交出了一份讓所有人，甚至包括我們自己很多人都感到驚訝的答卷。

盡管面對著外部嚴酷的封鎖，但在剛剛過去的這一年里，中國芯片制造設備的國產化率不僅沒被壓垮，反而還逆勢飆升到了35%。

這個數字不僅比2024年的25%足足增長了10%，而且還一舉打破了我們此前設定的30%的年度目標。

美西方的出口限制越是層層加碼，中國本土供應鏈越是遇強則強。

在2025年初，面對美國聯合盟友對華實施的“小院高墻”技術封鎖，國內產業界普遍持謹慎態度。

當時，我們設定的國產化率目標是30%，這更多被視為是一種“底線思維”下的防御性指標，其目的是鼓勵國內的晶圓廠減少對美系半導體材料巨頭，比如“應用材料”（Applied Materials）“泛林半導體”（Lam Research）和“科磊”（KLA）等的依賴。

然而，現實的發展速度超出了所有人的預判。

當時間來到2025年底，中國國產半導體設備的整體自給率強勢突破35%。

數據顯示，在半導體制造中最核心、技術壁壘最高的“刻蝕”和“薄膜沉積”兩大環節，中國國產設備的采用率已經雙雙突破 40%。

數字變化的背后，是半導體產業鏈話語權的悄然轉移。

曾幾何時，這些領域是美系半導體材料廠商的“自留地”“后花園”，無論是拼技術專利還是比市場份額，我們都處于絕對的劣勢。

但現在，隨著北方華創和中微等中國本土領軍企業的強勢崛起，敵我攻守之勢，已然異也。

如果說宏觀數據還需要細細品味，那么微觀層面的技術突破則更加直擊人心。

在這份超預期的成績單中，還有幾個細節值得反復咀嚼。

報告披露，中微研發的 5納米級刻蝕機，目前已經正式進入臺積電的先進制程產線進行驗證。

在5納米這個領域，對設備精度的要求甚至都不能用“苛刻”二字來簡單形容了。中微的國產設備能拿到這張入場券，本身就是對中國技術實力的最高背書。

這標志著在最尖端的邏輯芯片制造領域，中國的國產設備，已經具備了與世界頂級對手同臺競技的能力。

此外，在中芯國際的28納米生產線上，北方華創的氧化和擴散爐設備份額也已經超過 60%。

28納米通常被認為是成熟制程與先進制程的分水嶺，也是目前很多關鍵芯片，比如車規級芯片和部分工控芯片的主力節點。

在這樣一個關鍵節點上，我們的國產設備能拿下六成份額，意味著中國今天在保障國家半導體供應鏈安全方面，已經筑起了一道堅實的防線。

另外還有拓荊科技。在長江存儲的閃存生產線上，拓荊科技的等離子增強化學氣相沉積設備份額也實現了翻倍，從15%一舉躍升至 30%。

存儲芯片是半導體市場的另一大支柱，拓荊科技的成功突圍，證明了我們的國產設備在存儲制造領域的替代步伐，同樣鏗鏘有力。

為什么中國半導體設備能在2025年實現如此迅猛的爆發？

除了各家企業自身的努力之外，它們背后那只“看得見的手”同樣功不可沒。

為了對沖外部風險，我國明確要求新的半導體產線，必須采購至少 50% 的國產設備。

這一硬性指標，直接為國產設備廠商打開了巨大的市場空間，讓它們有機會在實戰中不斷打磨產品、迭代技術。

與此同時，工信部也祭出了真金白銀的激勵政策：凡是采用國產設備進行晶圓制造的企業，都可獲得高達 15% 的采購補貼。

這一政策的出臺，極大地降低了晶圓廠試錯的成本，打消了它們“不敢用、不愿用”的顧慮，加速了國產設備從“能用”到“好用”的進化過程。

春江水暖鴨先知，資本市場的反應往往是最敏銳的。

從中微到北方華創，再到拓荊科技，在過去的一年里，中國的許多半導體設備概念股，紛紛成了A股上耀眼的明星。

而它們之所以能成為香餑餑，這其實也是全球投資者對中國半導體設備行業未來堅定看好的一個標志。

國際半導體產業協會的預測也印證了這一點。得益于在成熟和先進制程節點上的持續資本投入，至少到2027年之前，中國都將繼續保持全球最大半導體設備市場的地位。

回望2022年，在拜登政府按下那個旨在窒息中國芯片產業的制裁按鈕時，美國大概怎么也料想不到，局面竟然會演變成今天這個樣子。

35%的自給率，既是一個里程碑，更是一個新起點。

它告訴了世界：西方的技術封鎖不僅沒有鎖死中國，反而還逼出了一個產業鏈更加完整、技術更加自主、市場更加龐大的中國半導體產業。

紅軍不怕遠征難，萬水千山只等閑。

這條芯片之路，依然道阻且長。

但我們邁出的每一步，都在通往不受制于人的明天。