荷蘭半導體專家：中國光刻技術明明落后 ASML約15年，為什么他們還能在制造領域頻頻突圍？

在全球科技競爭最激烈的賽道之一半導體制造中，光刻機技術是核心中的核心，被譽為“工業中的明珠”。荷蘭光刻機巨頭 ASML 長期把持著最先進的極紫外光刻（EUV）技術市場，而中國在這一領域長期被認為“落后約 10–15 年”。

那么問題來了：如果中國光刻技術如此落后，為什么中國的芯片制造領域仍舊頻頻突圍、成績引人注目？這背后不僅是技術實力的較量，更是戰略布局、產業鏈生態和國家意志的交織。

ASML 這家總部位于荷蘭的公司是當前全球最先進光刻設備的唯一供應商——尤其是EUV光刻機，這類設備對于制造7納米及以下的先進芯片不可替代。ASML CEO Christophe Fouquet 在媒體采訪中直言不諱表示，由于出口管制，中國在芯片制造技術上與西方至少存在 10–15 年的差距。

為什么會有如此巨大的代差？

EUV設備的出口受限：由于美歐盟友一致推行半導體出口管制，中國無法購買 ASML 最新一代的 EUV 光刻機，這是最核心的先進制造設備。

制造成熟度差異：即便中國獲得了最先進的 DUV 設備（ASML 的深紫外光刻機），在良率控制、配套材料與生態環境方面，仍難以與 TSMC、三星等成熟廠商競爭。

長期研發積累：ASML 從 20 世紀 80 年代就開始了光刻技術積累，其 EUV 系統從原理驗證到商業化投入運營超過 20 年，這種長期工程積累不是短期半年、兩年能趕上的。

可以說，“落后 15 年”既是一種技術評估，也是一種現實的戰略障礙。

盡管在最先進的 EUV 光刻機領域受制約，中國在芯片制造上仍然取得了一系列亮眼的突破：

中國的晶圓廠，尤其是中芯國際（SMIC）、華為旗下代工，近年來在 7nm、14nm 等工藝節點上已能實現量產，并且良率穩步提升。雖然無法與 TSMC 最新的 3nm、2nm 工藝比肩，但在消費電子、汽車電子等領域具有足夠競爭力。

中國本土的光刻機企業正在不斷進步：上海微電子裝備（SMEE）作為國產光刻機的先鋒，在 I-線和部分 DUV 工藝上實現量產出貨。更令人關注的是國內多條技術路線同時啟動，包括 納米壓印光刻（NIL）、激光放電等創新路徑，都在試圖突破傳統光刻技術的“物理瓶頸”。 換句話說，中國并不滿足于模仿，正在積極探索多路徑技術突圍。

中國不僅是全球最大芯片消費國之一，而且產業鏈龐大、市場需求巨大。這種市場規模本身就是推動制造突破的強大動力。例如，中國在2025年進口光刻設備總額就超過數百億元人民幣級別，可見市場需求之旺盛。

中國芯片產業并不是單打獨斗，而是整個生態共同推進：在光刻之外的刻蝕、薄膜沉積、檢測設備方面，國產公司如 芯源微、華海清科、長川科技 等逐步縮小差距，形成了較為完整的供應鏈。人才引進、國際合作、產學研結合也為技術突破提供了源源不斷的“燃料”。這種全面推進、穩扎穩打的策略，使中國在制造成就上不僅有“量”的增長，還有“質”的改善。

盡管中國在芯片制造領域動作頻頻，但必須清醒認識現實：

ASML 的 EUV 光刻機并非簡單的機器產品，它是高度集成的系統工程，包含光學鏡片（如德國蔡司制造）、高能激光、控制系統和材料科學等多個難以替代的領域。中國即便攻克核心光源，還需解決多個關鍵配套技術。

制造芯片不僅關乎設備，還涉及材料、軟件、工藝穩定性和配套供應鏈。即便中國制造出能夠“打樣”的設備，要在產業化良率和成本控制上達到成熟競爭水平，還需要時間。

“落后 15 年”這個數字是基于技術、行業積累和全球產業分布現實的客觀評估。它不是絕對否定中國的努力，而是指出了差距的層級與廣度。

然而，中國在芯片制造領域頻頻突圍，從量產的工藝節點、國產設備的研發、市場規模的釋放，到多路徑的技術探索，這一切都不是偶然。它源于戰略堅持、產業政策、市場驅動和科技人員的持續奮斗。

用一句話來總結今天中國在光刻與芯片制造領域的處境：既有不可回避的差距，也有無可忽視的追趕速度。

未來的比賽還在繼續。中國或許不能在短時間內追平 ASML 的絕對領先，但中國制造在更寬的賽道上已經跑出自己的節奏，并且逐漸贏得全球關注。

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