炸裂財報后，三星發出嚴肅警告

半導體貢獻80%利潤，HBM4即將量產。

三星電子今日宣布，去年第四季度（10 月至 12 月）營收同比增長 23.8% 至 93.8374 萬億韓元，營業利潤飆升 209.2% 至 20.0737 萬億韓元。這一業績不僅刷新了該公司七年來的季度營業利潤峰值，更使季度營收和營業利潤雙雙創下韓國企業歷史最高紀錄，成為全球科技行業復蘇進程中的標志性事件。

作為業績增長的核心引擎，半導體部門（DS）的表現尤為亮眼。該部門當季營收增長 46.2% 至 44 萬億韓元，營業利潤更是飆升 465% 至 16.4 萬億韓元，貢獻了公司總營業利潤的 80%，凸顯其對整體業績的決定性作用。這一爆發式增長主要得益于存儲半導體業務的強勢復蘇，尤其是高帶寬內存（HBM）領域的技術突破與市場份額回升。

三星的存儲半導體業務曾長期占據行業領軍地位，但在人工智能基礎設施加速滲透的背景下，由于HBM 研發進度落后于 SK 海力士，其市場主導地位一度動搖。根據 Counterpoint Research 的數據，三星 DRAM 市場份額從 2024 年第四季度的 38%，下滑至去年第一季度的 34%，首次落后于 SK 海力士的 36%。為扭轉頹勢，三星啟動了 HBM 技術的全面重構，不僅優化了 HBM3E 的生產工藝，還通過策略性延遲向 NVIDIA 供應產品以保障品質，成功贏得市場信任。去年期間，三星已實現向谷歌、AMD 等頭部客戶的 HBM3E 穩定供貨，并在技術迭代上實現反超 —— 近期完成研發的 HBM4 產品達到 11.7Gbps 的業界領先運行速度，遠超 JEDEC 標準的 8-10Gb/s 傳輸速率，且支持 4 至 16 層 DRAM 堆疊，單堆棧最大容量可達 64GB，較前代產品提升近 80%。憑借這一系列動作，三星在去年第四季度重新奪回 DRAM 銷售額（按營收計）的全球榜首位置，為其從 SK 海力士手中收復 “半導體王座” 奠定了關鍵基礎。

產能優勢與行業周期共振進一步放大了半導體業務的增長潛力。三星目前擁有全球領先的存儲芯片產能規模，僅HBM 月產能就達到約 17 萬片，且計劃在 2026 年底提升至 25 萬片，增幅近 50%。恰逢當前全球內存市場呈現結構性短缺，服務器用高容量 DDR5 與 AI 所需 HBM 產品需求激增，推動內存平均售價（ASP）持續上漲，三星的產能儲備得以充分轉化為利潤增長。一位科技行業人士分析指出：“三星的半導體業務此前因技術迭代滯后陷入停滯，如今隨著 HBM 技術復蘇與產能釋放，正迎來強勁反彈。全球內存短缺的持續預計將為其帶來持續紅利。”

市場對三星電子的增長預期隨之大幅上調。受半導體行業蓬勃發展的推動，科技行業普遍預測其今年年度營業利潤有望達到180 萬億韓元。SK 證券更給出具體測算：“預計三星電子營業利潤將同比增長 314% 至 180 萬億韓元，營業利潤率將攀升至 37%，利潤規模與盈利能力均將創下歷史新高。” 這一預測的核心邏輯在于，HBM4 產品將于下月開始向 NVIDIA 全面出貨，而該產品作為英偉達下一代 Vera Rubin 平臺的標配內存，將成為訓練萬億參數大模型的核心硬件支撐，有望打開新的增長空間。

然而，三星警告稱，飆升的存儲芯片價格正在推高其智能手機和顯示面板業務的成本（這些業務的客戶包括蘋果(AAPL.O)和三星自身），致使其股價在今年大幅上漲后回落1.2%。

“預計存儲產品的全面嚴重短缺暫時仍將持續，”三星存儲芯片業務高管Kim Jaejune在財報電話會議上告訴分析師。Kim預計，在AI相關需求保持強勁的同時，2026年和2027年的供應擴張將十分有限。

三星消費電子板塊的承壓業績證明了這一點。移動和網絡部門上季度營業利潤僅為1.9 萬億韓元，較半導體部門相形見絀，主要受智能手機旗艦機型出貨效應減弱影響，盡管全年 Galaxy S24 系列實現雙位數增長，但未能完全抵消市場需求疲軟的壓力。家電和電視業務的表現更為嚴峻，繼第三季度虧損后，去年第四季度繼續陷入虧損境地。這一方面源于全球消費電子需求整體低迷，另一方面也受到行業競爭加劇與原材料成本上漲的雙重擠壓 —— 尤其在高端電視領域，盡管三星通過推高附加值產品應對年末旺季需求，但仍未能抵消整體市場停滯與成本上升帶來的盈利壓力。

從全年業績來看，三星電子去年營收增長10.87% 至 333.6 萬億韓元，營業利潤增長 33.3% 至 43.6 萬億韓元，呈現 “半導體強、消費電子弱” 的顯著分化格局。這種結構性差異既反映了全球科技產業向 AI 基礎設施傾斜的發展趨勢，也為三星未來的戰略布局提供了明確方向 —— 如何在鞏固半導體技術優勢的同時，激活消費電子業務的增長潛力，將成為決定其長期發展韌性的關鍵命題。

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