【陽頂天】1秒14G，旗艦級硬盤的體驗

十幾年前，家用電腦的存儲主力還是機械硬盤，最高順序讀寫速度僅 0.2GB/s，尋道時間更是長達 15ms 左右。這直接導致開機時間普遍在 30 秒到 1 分鐘以上，打開大型游戲也得經歷漫長等待，堪稱折磨。

十年前，SATA 固態硬盤開始逐步普及，順序讀寫速度提升至 0.5GB/s 左右，尋道時間更是大幅縮減數百倍，降至 0.05ms 左右。最直觀的感受就是開機速度顯著提升，普遍能壓縮到 10 秒左右，游戲加載也變得暢快了不少。

隨著存儲技術的持續迭代，固態硬盤速度不斷突破，從 1GB/s 一路攀升至 2~3GB/s。就連“東芝”這個幾乎是家喻戶曉的硬盤品牌也改成了“鎧俠”。那么如今鎧俠就做出了一款非常炸裂的旗艦級硬盤產品，VE10，支持PCIe5.0協議，最大順序讀寫速度提升到14.4GB/s左右！今天就帶大家一同體驗這款高速固態的實際表現。

這款鎧俠VE101TB的規格如下：

容量：1024G

外置緩存：1GB

順序讀/寫：14400MB/s與12700MB/s

接口：PCIe 5.0 x4

壽命/保修：600TBW/五年

售價：1199元

那么那實際體驗如何呢，鎧俠VE10相比常規的NVME固態來說，它的提升又有多少呢？

首先來用常用的軟件測試直觀的測試一下本次使用的平臺為98X3D+華碩X870E Hero和258K+Z890 Hero，首先是大家最常用的硬盤跑分軟甲你AS SSD Benchmark（簡稱AS SSD）：

相比前幾代3.0和4.0來說，最為直觀的就是順序讀寫速度得到了空前的提升，軟件測試均破萬兆每秒讀寫。娛樂跑分達到了15000/17000分。

這次使用不同的平臺測試硬盤還蠻有意思的，讓我看到了廠商不同的調度策略。

AMD的X870E測試硬盤就只有順序讀寫看起來比較吊。其他隨機性能，尋道時間等等都比英特爾差。

而英特爾得Z890雖然順序讀寫沒AMD那么猛，但其余所有部分都要比AMD平臺表現更好。【所以只看硬盤表現的話，其實intel平臺是體驗會更好一點的。】

然后是CrystalDiskMark（簡稱CDM）：

CMD跑出來的就比較接近官方宣稱的數值了，順序讀寫來到了14526/12725MB/s，其實CDM測試一般是要比AS SSD的測試成績要好一些的，因為CDM 默認 5 輪測試取峰值；AS SSD 取平均值，并且由于算法原因（cdm是1000進制，AS SSD是1024進制），導致二者之間有明顯區別。

總之就是AS SSD更貼近日常多任務使用；CDM更適合驗證硬件極限性能。

然后是不太常見的3Dmark中的儲存測試：

跑出了5259分的成績，十分亮眼，是我測過的，分數最高的一個硬盤了。

這邊找來了一個中端的PCIe4.0的固態，大家可以對比一下：

在測試中，給出的結論是要比4.0的固態快了一倍。

而在日常生活場景中，例如使用LM Studio中的32B大模型加載時間，模型大小為17GB的情況下，PCI E5.0的提升幅度可能并沒有測試跑分那么猛，一其中最主要的原因是軟件吃不到那么大的硬盤吞吐量性能（優化不到位）：

加載時間約為10秒，實測比高端PCIe4.0的固態的11秒只快了約10%

而打開大型游戲程序（黑神話悟空），實際上同樣也是比其他4.0固態的43秒快了2秒，從點擊游戲桌面圖標到進入游戲菜單，總用時41秒。可有可無的提升幅度

外觀在這里講吧，常規的NVME造型，VE10延續了前幾代的設計風格：

正面顆粒上方有貼紙，但貼紙本身并沒有產品銘牌信息。

背面只有銘牌信息，沒有顆粒。所以這個硬盤是采用的單面顆粒。適合某些高端筆記本用戶的老哥

最后，來分析一下用料吧：

主控芯片：慧榮SM2508G AC

使用了采用臺積電6nm EUV制程，是PCIe 5.0 SSD的旗艦主控；搭載四核心ARM Cortex R8 CPU，硬件架構為高性能級設計。

緩存芯片：南亞NT6AN256T32AV-J2

為LPDDR4 8Gbit（1GB）的獨立DRAM緩存，這玩意速度非常快，主要作用就是給硬盤加速（類似與英特爾的傲騰內存）

閃存顆粒：TH58LKT2X46BAEF

屬于鎧俠（原東芝）的原廠TLC閃存，是目前消費級高性能SSD的主流顆粒方案。

VE10的價值并非對所有用戶均等。對于部分需要海量數據吞吐的專業場景，其相較PCIe4.0固態的翻倍速度可能直接轉化為生產力提升；高端硬件發燒友也能借其補齊“性能全家桶”的最后一塊拼圖（畢竟富哥只要最好）。但對于僅滿足游戲加載、日常辦公的普通用戶，VE10在實際體驗中的提升就比較有限了。