今日(1月7日),A股繼續(xù)震蕩上揚,上證指數日K線14連陽,并逼近4100點,北證50突破1500點,深證成指、創(chuàng)業(yè)板指等也均創(chuàng)多年新高,成交保持平穩(wěn)。
盤面上,光刻機、稀有金屬、可控核聚變、酒店餐飲等板塊漲幅居前,油氣開采、通信工程、航天裝備、數字貨幣等板塊跌幅居前。
芯片產業(yè)持續(xù)高景氣度
芯片產業(yè)鏈早間集體走強,光刻機方向領漲,板塊指數高開高走,放量大漲逾5%創(chuàng)歷史新高。佳先股份沖擊30%漲停,華融化學(301256)開盤僅約7分鐘直線20%漲停,高盟新材亦快速20cm封板,普利特、國風新材等逾10股漲停或漲超10%。
存儲芯片、先進封裝、第三代半導體、汽車芯片等板塊指數也紛紛高開創(chuàng)歷史新高,南大光電、廣鋼氣體、彤程新材等批量漲停或漲超10%。
2025年,DDR4 16Gb規(guī)格內存價格漲幅高達1800%,DDR5 16Gb漲幅高達500%,512Gb NAND閃存漲幅高達300%。而日前,三星再度表示,內存芯片短缺“前所未有”且“極其嚴重”,并警告這將對智能手機等終端產品的價格產生“不可避免”的影響。
此外,隨著AI等新興產業(yè)需求的大爆發(fā),全球對半導體設備投資快速增長。國際半導體產業(yè)協(xié)會(SEMI)最新數據顯示,2025年全球原始設備制造商(OEM)的半導體制造設備總銷售額預計達1330億美元,同比增長13.7%,創(chuàng)歷史新高。預計未來兩年將繼續(xù)增長,2026年和2027年分別達到1450億美元和1560億美元。
弗若斯特沙利文則預計,2028年中國半導體光刻膠市場規(guī)模將達到150.3億元,年復合增長率達18.5%。
招商證券表示,展望2026年—2027年,全球半導體設備市場空間持續(xù)增長,國內設備技術水平持續(xù)突破,國產化率迎來1-N階段大規(guī)模提升,伴隨下游先進存儲持續(xù)擴產,卡位良好及份額較高的存儲設備公司有望充分受益。
可控核聚變技術再獲突破
可控核聚變概念近來連續(xù)上漲,今日早間,板塊指數再度放量上攻創(chuàng)歷史新高。王子新材快速直線漲停,4日3板,遠東股份、弘訊科技、中國核建、國機重裝等也均在開盤半小時內直線漲停。
新年伊始,我國可控核聚變技術再獲突破,中國科學院合肥物質科學研究院等離子體物理研究所科研團隊日前宣布,有“人造太陽”之稱的全超導托卡馬克核聚變實驗裝置(EAST)實驗證實托卡馬克密度自由區(qū)的存在,找到突破密度極限的方法,為磁約束核聚變裝置高密度運行提供了重要的物理依據。相關研究成果發(fā)表在國際學術期刊《科學進展》上。
近年,人工智能等產業(yè)急速增長,對電力需求激增,據麥肯錫預測,伴隨云計算、加密貨幣、AI需求激增,預計2050年數據中心用電量將占全球總用電量的5%—9%。
可控核聚變是當前全球能源戰(zhàn)略轉型的關鍵方向,聚變能以高能量密度、原料儲量豐富、安全性高等特性,成為理論上最接近“終極能源”的現實路徑。國際能源署預測,風電、太陽能、核能等清潔能源將在2050年前持續(xù)增長并占據主導地位。
光大證券認為,當前,可控核聚變行業(yè)已到資本開支擴張階段,且高價值量環(huán)節(jié)多具備高技術壁壘特征;伴隨項目招投標進展,產業(yè)鏈上核心公司將深度受益。
責編:彭勃
校對:呂久彪
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