Nature: 貧富差距大未必影響幸福感

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1. Nature: 貧富差距大未必影響幸福感
2. 涉嫌違法！美教育部將對布朗大學槍擊案展開調查
3. 教育部：擬設15所本科高等學校
4. 靴子落地！臺積電 2 納米制程低調量產

前沿研究

1.Nature: 貧富差距大未必影響幸福感

長期以來，學術界和公眾認為經濟不平等（貧富差距擴大）會普遍損害個人主觀幸福感和心理健康。然而近期《Nature》發表的一項大型研究認為，這個結論不太嚴謹，大數據顯示貧富差距大并不必然導致普遍的不幸福感。

來自瑞士洛桑大學的研究團隊匯總了2000—2022年間10個文獻數據庫中的168項研究，涉及1138萬余參與者（來自3.8萬多個地理單元）。采用多水平模型分析，控制個體收入、社會階層及區域平均財富等變量。不平等指標主要為基尼系數，幸福感通過生活滿意度等量表測量，心理健康通過抑郁、焦慮等指標評估。研究還進行了發表偏差校正、規格曲線分析等等一堆巴拉巴拉，然后得出了結論：

• 經濟不平等與主觀幸福感無可靠關聯（標準化OR +0.05 = 0.979，95% CI：0.951–1.008）。
• 與心理健康初始看似負面關聯，但校正發表偏差后為零（OR +0.05 = 1.019，95% CI：0.990–1.049）

團隊給出的政策建議是更多關注特定情境下的針對性干預措施，如通脹走高以及低收入人群的精準救助。

參考來源：

https://www.nature.com/articles/s41586-025-09797-z

學界動態

2.涉嫌違法！美教育部將對布朗大學槍擊案展開調查

圖源：美國教育部官網

2025年12月13日下午，美國布朗大學發生一起大規模槍擊事件，造成2名學生死亡、9人受傷（其中至少10人為學生）。警方經過五天的搜捕后，發現了嫌疑槍手克勞迪奧·曼努埃爾·內維斯·瓦倫特的尸體，初步判斷為自殺。一些觀察人士指責布朗大學安保措施不達標，稱這些問題延誤了對嫌疑槍手的抓捕速度。

美國教育部于2025年12月22日宣布，將對布朗大學是否違反《高等教育法》第485(f)條，即《珍妮·克萊里校園安全法》（克萊里法案）展開調查。該法案要求高等教育機構每年發布《年度校園安全報告》，披露過去三年特定犯罪統計數據、校園安全政策、應急響應程序、性暴力預防與處理措施等；對正在發生的嚴重威脅及時向師生發出警告，及時公開每日犯罪報告。

美教育部認為，槍擊事件發生后的幾個小時內，公開報道顯示，布朗大學的校園監控和安保系統可能未達到相應標準，導致嫌疑人得以逃脫，而校方似乎也未能提供有關嫌疑人特征的有效信息。此外，許多布朗大學的學生和教職工反映，校方關于槍擊事件的緊急通知出現延遲，這引發了人們對其安全警報系統的嚴重擔憂。如果情況屬實，這些缺陷將構成布朗大學嚴重違反聯邦法律規定的責任。

參考來源：

https://www.ed.gov/about/news/press-release/us-department-of-education-announces-review-of-brown-university-potential-clery-act-violations

3.教育部：擬設15所本科高等學校

1月4日，教育部官網發布關于擬同意設置本科高等學校的公示：

根據《中華人民共和國高等教育法》《普通高等學校設置暫行條例》《普通本科學校設置暫行規定》《本科層次職業學校設置標準（試行）》等有關規定，經教育部黨組會議審議，擬同意設置天津職業大學等15所學校，現予公示。擬同意設置本科高等學校名單：

參考來源：中國科學報

https://news.sciencenet.cn/htmlnews/2026/1/558192.shtm

產經新聞

4.靴子落地！臺積電 2 納米制程低調量產

根據臺積電官網更新的信息，臺積電的2nm（N2）工藝已按計劃于2025年第四季度開始量產。N2工藝采用第一代納米片晶體管技術，在性能和功耗方面實現了全節點提升。臺積電還開發了低電阻重分布層（RDL）和超高性能金屬-絕緣體-金屬（MiM）電容器，以進一步提升性能。N2P 技術擴展了 N2 系列，在沿用 N2 設計規則的基礎上，器件性能提升了 5%。與 N3E 相比，它可實現約 18% 的性能提升、約 36% 的功耗降低以及約 20% 的晶體管密度提升。

臺積電預計N2技術在密度和能效方面都將成為半導體行業最先進的技術。憑借領先的納米片晶體管結構，N2技術將帶來全節點性能和功耗優勢，以滿足日益增長的節能計算需求。通過持續改進的戰略，N2及其衍生技術將進一步鞏固臺積電的技術領先地位，并使其在未來很長一段時間內保持領先地位。

參考文獻：

https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/logic/l_2nm