開年第一天，臺積電、三星大漲創新高，帶動AI股逆市走高

2026年首個交易日，AI芯片供應鏈股票強勢上漲，在美股大盤走勢分化的背景下成為市場焦點。臺積電美股和臺股雙雙創下歷史新高，三星電子韓股大漲7.2%刷新收盤紀錄，帶動整個AI板塊逆市走強。

周五（1月2日），韓國首爾綜合指數收漲2.3%，歷史上首次突破4300點大關，主要受三星電子HBM4業務獲客戶認可的消息提振。臺積電則受益于2nm制程量產兌現及AI芯片需求激增的雙重利好。與此同時，納斯達克指數當日小幅收跌，標普500指數微漲，凸顯AI相關股票的獨立行情。

除了臺積電、三星電子之外，周五多只AI相關股票錄得漲幅。Sandisk、Micron、Western Digital、Intel和Constellation Energy位列漲幅榜前列。英偉達、Broadcom等萬億美元市值科技公司也出現上漲。

市場對AI基礎設施投資的持續樂觀情緒推動了這波漲勢。據路透報道，英偉達正向臺積電追加H200芯片訂單。摩根士丹利指出，2026年存儲器供應正在收緊而非放松，并將DRAM和NAND價格預期分別上調62%和75%。

分析師普遍認為AI熱潮將延續至2026年。Bernstein將臺積電列為首選股，預計其2026年和2027年營收將分別增長23%和20%。德意志銀行全球宏觀研究主管Jim Reid表示，持續的全球增長、AI潛力的樂觀情緒以及央行降息，將繼續推動金融資產表現。

臺積電2nm量產兌現，訂單需求旺盛

日前，臺積電在官網低調宣布，其2nm制程（N2）技術已按計劃于2025年第四季度投入量產，標志著全球半導體行業正式邁入2nm時代。這一技術采用第一代納米片晶體管架構，相比N3E工藝，在同等功耗下性能提升10%-15%，在同等速度下功耗降低25%-30%。

N2工藝采用了環柵（Gate-All-Around）納米片晶體管技術，突破了此前FinFET架構在3nm節點面臨的物理極限。該技術將電流通道由豎立的"鰭"變為水平堆疊的"納米片"，柵極可從四面完全包裹通道，大幅降低漏電并提升晶體管密度。相對于純邏輯電路設計，N2P工藝的晶體管密度比N3E提升約20%。

臺積電CEO魏哲家在十月財報會議上表示，N2進展順利且良率良好，預計2026年在智能手機和高性能計算、AI應用推動下實現更快產能爬坡。公司計劃在高雄晶圓二十二廠和新竹晶圓二十廠同步擴產，罕見地采取"雙線作戰"策略，同時服務手機芯片和AI服務器芯片兩條產品線。

臺積電還在推進更先進制程的布局。公司計劃于2026年下半年量產N2P和A16工藝，其中A16采用背面供電技術，主要針對AI和高性能計算處理器。1.4nm制程工廠的地基工程已于2025年11月動工，風險性試產預計2027年啟動，量產目標定于2028年。

同時，據路透報道，英偉達正向臺積電追加H200芯片訂單。消息人士稱，英偉達已要求臺積電開始生產這批額外芯片，預計工作將于2026年第二季度啟動。

三星HBM4獲客戶認可，重回競爭軌道

三星電子周五股價大漲7.2%，創下收盤歷史新高，主要受公司HBM4業務獲得客戶積極評價的消息提振。

據華爾街見聞此前文章指出，三星電子聯席CEO全永鉉在新年致辭中透露，公司的HBM4產品已展示出"差異化的競爭力"，并贏得客戶"三星回來了"的高度評價。

這一表態極大提振了投資者信心，市場預期三星正逐步縮小此前在高帶寬內存市場與SK海力士的差距，并有望在2026年憑借下一代HBM產品重新進入英偉達的核心供應鏈。

此次股價大漲也得益于亞洲科技股的整體共振及行業基本面的強力支撐。周五，受壁仞科技上市表現及DeepSeek相關進展引發的AI投資熱潮影響，恒生科技指數一度飆升4.3%。

宏觀數據方面，韓國12月半導體出口同比激增43%，印證了三星、SK海力士在全球AI硬件繁榮中的重要性。

分析師看好AI芯片供應鏈前景

Bernstein將臺積電列為首選股，認為其在質量、風險和估值方面具有優勢。該行指出，在沒有有意義的挑戰者的情況下，臺積電是AI芯片的實際生產商，因此是AI增長的主要受益者之一。

Bernstein預計AI和臺積電在先進技術方面的領導地位將推動公司2026年營收增長23%，2027年增長20%。

該行還表示，更溫和的匯率環境和更好的成本控制將減輕海外生產的成本負擔，預計臺積電每股收益在同期將以20%的復合年增長率增長，略慢于營收增速。

此外，摩根士丹利強調，2026年存儲器市場正在收緊而非放松。該行認為制造約束與更強需求相碰撞，并將2026年DRAM平均價格預期上調62%，NAND上調75%。

受H200芯片需求激增影響，該行不再預期HBM3E平均價格下降，并大幅上調美光盈利預期，將2026年和2027年每股收益預期分別上調56%和63%。