2025年底,三星正式亮出全球首顆2nm芯片——獵戶座Exynos2600。
這顆采用三星自家GAAFET 2nm技術制造、第二代GAA工藝加持的芯片,10核設計下性能飆升39%,配合HPB技術溫效還降了16%。雖然晶體管密度等細節(jié)還沒完全公開,但全球芯片工藝已正式邁入2nm時代,這事兒板上釘釘。
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反觀咱們國內,芯片制造工藝還在等效7nm水平晃悠。以前三星、臺積電搞3nm時,咱們和他們的差距是5nm、3nm兩代;現在三星沖到2nm,臺積電也快跟上,差距直接拉大到5nm、3nm、2nm三代。這數字看著扎心,但確實是實打實的現狀。
有人可能會說:“咱們用浸潤式光刻機也能搞5nm芯片!”可這事兒得掰扯清楚——沒EUV光刻機,造7nm以下芯片比登天還難。理論上浸潤式DUV能搞5nm甚至3nm,但得經過多輪曝光,技術上能不能成還是未知數。畢竟沒廠商用浸潤式DUV造過5nm芯片,臺積電當年用浸潤式造了7nm就火速換EUV了。就算技術上能成,良率也得大打折扣,直接影響芯片成本和制造效率。
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說到底,關鍵還是得有EUV光刻機。可買是買不到了——ASML早就攤牌,賣給中國的光刻機相當于2013、2014年賣給西方的,落后十年以上,連最先進的浸潤式DUV都不給,更別說EUV了。所以咱們只能自己造。
但造EUV光刻機可不是搭積木。EUV光源、物鏡系統這些核心部件,供應鏈全被ASML綁在戰(zhàn)車上。比如EUV光源需要高功率激光器,技術門檻高得離譜;物鏡系統得用超精密光學元件,加工難度堪比繡花。這些坎兒,都得一個個邁過去。
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不過再難也得造。要是造不出自己的EUV,咱們和三星、臺積電的芯片制造技術差距只會越拉越大,這后果咱們承受不起。畢竟芯片是現代工業(yè)的“糧食”,從手機到汽車,從人工智能到國防科技,都離不開它。要是芯片制造技術落后,整個產業(yè)鏈都得受牽連。
現在咱們國內也有不少企業(yè)和科研機構在攻關EUV技術,比如中科院、上海微電子等。雖然進展可能沒那么快,但只要堅持投入,持續(xù)創(chuàng)新,總有一天能突破這些技術壁壘。
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三星2nm芯片的推出,確實讓咱們看到了差距。但這不是壞事,反而提醒咱們得更努力。國產化不是為了“面子”,而是為了產業(yè)鏈安全,為了不被別人卡脖子。只要咱們堅持自主研發(fā),不斷突破,總有一天能迎頭趕上,甚至實現反超。畢竟,咱們中國人最擅長的,就是把“不可能”變成“可能”。
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