綠芯的NVMe NANDrive?固態(tài)硬盤已在重點工業(yè)、航空航天和關(guān)鍵領(lǐng)域的項目中被選用

高性能BGA 固態(tài)硬盤提供經(jīng)過驗證的可靠性

中國，北京和美國，硅谷 - EQS Newswire - 2025年12月22日 –綠芯半導(dǎo)體已為其重點工業(yè)、航空航天以及關(guān)鍵領(lǐng)域的客戶提供高耐久性、小尺寸封裝（16mm x 20mm）的NVMe NANDrive?EX系列BGA固態(tài)硬盤樣品。采用綠芯專有的EnduroSLC?技術(shù)設(shè)計，并且憑借在嚴(yán)苛環(huán)境下長時間工作的能力、穩(wěn)定的讀寫性能以及超長的耐久性和數(shù)據(jù)完整性，GLS85LE NVMe NANDrive BGA固態(tài)硬盤持續(xù)吸引其客戶強烈的關(guān)注。

EnduroSLC NVMe NANDrive EX系列固態(tài)硬盤可在惡劣的高溫環(huán)境中可靠地存儲數(shù)據(jù)，并且具有卓越的數(shù)據(jù)保持能力。支持符合OPAL標(biāo)準(zhǔn)的AES-256硬件加密、硬件秘鑰擦除（HCE）和用戶數(shù)據(jù)安全擦除等先進(jìn)的數(shù)據(jù)安全功能。該EX產(chǎn)品系列支持7.5萬、15萬或40萬擦寫（P/E）次數(shù)的高耐久性（高達(dá)17800 TB寫入（TBW）），可在-40oC至+95oC (Tc:外殼溫度)溫度范圍內(nèi)工作。

同時，綠芯也積極為客戶提供工業(yè)級NVMe NANDrive PX系列的樣品，該PX產(chǎn)品系列采用3D TLC（每單元3bit）NAND，支持5千擦寫（P/E）次數(shù)（高達(dá)6700 TBW）的高耐久性。

綠芯NANDrive BGA 固態(tài)硬盤產(chǎn)品系列支持工業(yè)級溫度，支持PCIe和SATA接口，可滿足嵌入式系統(tǒng)中對接口、可靠性、耐久性和數(shù)據(jù)保持等不同應(yīng)用的要求。綠芯致力于與客戶緊密合作，全面的支持產(chǎn)品的驗證與測試以及應(yīng)用上的技術(shù)服務(wù)，并專注于在長生命應(yīng)用中開發(fā)與擴展NANDrive產(chǎn)品線。

關(guān)于EnduroSLC?技術(shù)

EnduroSLC是綠芯開發(fā)的專有3D NAND管理技術(shù)，適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境下需要超長的數(shù)據(jù)保存時間和超高耐久性的高可靠性應(yīng)用。采用EnduroSLC技術(shù)的固態(tài)硬盤可在復(fù)雜的溫度條件下實現(xiàn)超強的數(shù)據(jù)保持能力，并支持高度交叉溫度范圍內(nèi)的數(shù)據(jù)寫入和讀取。憑借先進(jìn)的硬件ECC功能和NAND管理算法，EnduroSLC技術(shù)可顯著提升基于SLC（每單元1比特）NAND固態(tài)硬盤的擦寫耐久性，從而達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的40萬擦寫次數(shù)。

關(guān)于綠芯

基于超過30年的固態(tài)存儲設(shè)計經(jīng)驗，綠芯致力于為嵌入式和工業(yè)企業(yè)系統(tǒng)開發(fā)耐久、可靠和安全的存儲解決方案。公司總部設(shè)在北京，并在北京、上海、廈門、臺灣新竹和美國硅谷設(shè)有產(chǎn)品研發(fā)中心。