存儲巨頭掀桌，SK 海力士的新殺招

文 | 半導體產業縱橫

當前，NAND閃存晶圓供應進一步收緊，部分產品11月份合同價格漲幅超過60%。

內存價格上漲顯著推高了消費電子產品的物料清單成本，導致智能手機、筆記本電腦、游戲機等設備出貨量減少。

人工智能基礎設施持續推動NAND閃存需求增長，全球排名前五的NAND 閃存供應商的總營收環比增長 16.5%，接近 171 億美元。

今年下半年來，存儲漲價已經成為大眾熱議的話題。未來，存儲將怎么走？

SK 海力士的野心：AI

在最近自家舉行的SKAI Summit 2025峰會上，SK海力士CEO郭魯正宣布了新的戰略愿景：“全線AI存儲創造者”。并且給出了非常詳細的產品路線圖，涵蓋了從2026年至2031年的時間跨度。

具體來看，SK 海力士有三個布局：定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N）。

在HBM方面，SK海力士將推出HBM4 16層堆疊產品，并從HBM4E開始供應定制化HBM解決方案。定制化HBM通過將協議和控制器從XPU芯片移至HBM基礎裸片，為計算單元釋放更多空間，顯著降低接口能耗。

在DRAM領域，公司將推出LPDDR5R和LPDDR6等標準解決方案，同時引入全新的AI DRAM產品線。

NAND方面，將推出PCIe Gen6企業級與客戶端固態硬盤，以及UFS 5.0等標準解決方案。

2029-2031年，HBM5與3D DRAM問世。中長期規劃中，SK海力士將全面進入HBM5世代。通用DRAM領域將看到下一代GDDR7、DDR6以及晶體管結構發生重大變化的3D DRAM面世。NAND部分將實現400層以上堆疊，并推出PCIe Gen7 SSD和UFS 6.0等產品。

第一步，定制化HBM

谷歌第七代TPU即將量產。它的HBM由兩家公司供應：SK海力士和三星電子。

SK海力士提供兩種HBM3E芯片：8層版本用于TPU 7，12層版本用于TPU 7e。TPU 7e是TPU 7的改進型，目標是提升能效。韓國投資證券預測，2025年SK海力士在谷歌TPU HBM供應中占56.6%，三星電子占43.4%。Meritz Securities預測SK海力士占比為60%。

對于HBM，SK 海力士有自己的見解。

SK 海力士認為，隨著AI市場從商品化拓展到推論效率和優化，未來HBM也將從傳統的產品演變為定制化的產品。定制化HBM（Custom HBM）就是把GPU和ASIC的特定功能整合到HBM 基座上的產品。這樣做的結果有兩個：一是讓GPU或ASIC的性能發揮得更充分；二是減少HBM和處理器之間的數據傳輸功耗。

SK海力士公開表示已收到美國“七巨頭”成員的定制 HBM 請求，這七大巨頭包括蘋果、微軟、谷歌、亞馬遜、Nvidia、Meta 和特斯拉。華爾街分析師指出，定制化HBM（cHBM）已經從曾經的被動元件轉變為具備邏輯算力的主動部件，重塑存儲的角色。

定制HBM已經成為存儲巨頭競爭的關鍵。

三星電子已在布局定制化HBM，支持客戶把自有IP集成到基底芯片中。美光表示，HBM4e將體現公司業務范式的轉變。HBM4e可以為客戶定制，這部分業務預計會改善公司業績。

ASIC廠商美滿電子（Marvell）正與美光、三星和SK海力士合作，為下一代XPU定制HBM方案。該公司在其官網博客中寫道：“定制是芯片行業最大的趨勢之一。到2028年，加速基礎設施計算芯片市場將有25%的份額屬于定制芯片。”

Meta和英偉達正在探討一種新方案：在HBM基底芯片中嵌入GPU核心。他們已就此與SK海力士和三星電子接觸。這個方案屬于定制化HBM的一部分。它的核心是把GPU運算單元直接放在HBM最下層的基底芯片里。目前HBM基底芯片只負責通信，HBM4會在基底芯片中加入控制器。GPU核心集成比控制器更進一步。

從市場層面來看，HBM市場正在發生變化。過去以通用型產品為主，即廠商自主開發、量產、推向全行業的標準產品。現在開始轉向定制化產品，即根據客戶要求設計基底芯片，并配套供應。這個轉變從HBM4e開始。

從存儲企業的進度來看，三星電子和SK海力士都計劃在2026年上半年完成HBM4e的開發。HBM4e將用于英偉達“Rubin”平臺的旗艦型號R300。R300計劃在2027年發布。為配合發布時間，相關廠商正在推進研發，目標是在2026年下半年完成品質驗證。

三家廠商的技術路徑不同。三星電子自HBM4起使用自家代工廠工藝制造基底芯片。SK海力士自HBM4起使用臺積電代工工藝制造基底芯片。美光此前在HBM4中使用自有DRAM工藝制造基底芯片，現在正與臺積電合作開發HBM4e。

第二步，AI DRAM

根據TrendForce的數據，2025年DRAM的資本支出預計為537億美元，預計在2026年進一步成長至613億美元，同比增長約14%。

在AI DRAM細分場景中，SK 海力士進一步細化了三大方向。

第一，AI-D O（Optimization）的優化。類似MRDIMM、SOCAMM2、LPDDR5R等低功耗、高性能方案中，降低總體擁有成本（TCO）并提高營運效率。

MRDIMM技術的出現，主要是解決數據傳輸速率的問題，即提升數據的運力。原理是，使用高速多路復用器或數據緩沖器來同時讀取內存組并將數據傳輸到 CPU。

在美光和英特爾的聯合測試中，研究人員使用英特爾Hibench基準測試套件中的2.4TB數據集進行測試。結果顯示，在內存容量相同的情況下，MRDIMM的運算效率相比RDIMM提高了1.2倍；使用容量翻倍的TFF MRDIMM時，運算效率更是提高了1.7倍，內存與存儲之間的數據遷移減少了10倍。

SK海力士在臺積電北美技術論壇上，展示了三款面向先進服務器、速度可達12800MT/s的MRDIMM產品：標準板型、基于1c nm DRAM的款式容量可達64GB；采用傳統板型但基于更舊制程的型號容量可達96GB；采用更高板型的產品容量則能進一步拓展到256GB。

MRDIMM技術不止SK 海力士關注。

美光在2024年，全面推出了MRDIMM，提供從32GB至256GB的廣泛容量選項；三星公布了其MRDIMM產品方案，該方案通過結合兩個DDR5組件，實現了現有DRAM組件帶寬的翻倍，提供高達8.8Gb/s的數據傳輸速率。

第二，AI-D B（Breakthrough）的突破。這方面是克服“存儲墻”的解決方案，這就包含了比較多的前沿技術了，比如CMM（CXL內存模塊）、PIM（Processing-In-Memory，存內計算）。

關于PIM方面，三星同樣也在研究。今年，三星電子大師級專家孫教民（音譯）表示，AI產業對內存性能的需求已經超越了當前的開發速度，DRAM廠商也在積極開發各種新技術以提升內存集成度。

三星認為，主要的下一代DRAM技術包括PIM、VCT（垂直晶體管通道）、CXL（Compute Express Link），以及LLW（低延遲、高帶寬）DRAM等。三星電子正針對不同的潛在客戶和應用場景同步開發這些技術，為AI時代做好準備。

第三，AI-D E（Expansion）的擴展。SK 海力士的目的是，進一步擴展DRAM的使用案例，不僅限于數據中心，還擴展至機器人、移動端和工業自動化等領域，并且這個擴展的方案里包括HBM。

第三步，AI NAND

根據TrendForce的數據，2025年NAND Flash的資本支出預計為211億美元，2026年預計小幅增長至222億美元，同比增長約5%。

在AI NAND方面，SK 海力士同樣提出了三個方向。

第一，AI-N P（Performance）是一款可在大規模AI推理環境中高效處理海量數據讀寫的解決方案。通過最小化AI計算與存儲之間的瓶頸，大幅提升處理速度和能效。公司目前正在以全新架構設計NAND與控制器，計劃于2026年底推出樣品。

第二，AI-N B（Bandwidth）加大頻寬。通過垂直堆疊半導體芯粒來擴大頻寬，做為彌補HBM 容量增長限制的解決方案。其關鍵在于將HBM的堆疊結構與高密度且具成本效益的NAND存儲結合，也就是HBF技術。

HBF技術上，SK 海力士可謂是大步前進。閃迪與SK海力士于今年8月簽署了諒解備忘錄，雙方將共同制定HBF技術規范，并推動標準化。目標是在2026年下半年推出HBF存儲器樣品，首批采用HBF的AI人工智能推理設備樣品預計將于2027年初上市。

三星也是有消息傳來的，據報道，三星電子已啟動其自有HBF產品的早期概念設計工作。報道稱，三星計劃利用其過去在類似技術和產品方面的研發經驗，以滿足面向數據中心的高帶寬閃存日益增長的需求。不過該開發仍處于早期階段，尚未確定詳細的產品規格或量產時間表。

第三，AI-N D（Density）發展密度。SK 海力士的目標是將密度提高到PB級別，并實現一種結合SSD 速度和HDD 成本效益的存儲解決方案。

結語

當前，存儲市場再次進入上升周期。

近期新機普遍漲100-300 元，這只是開始。閃迪 3 月、9 月兩輪漲價后，11 月直接提價 50%，三星跟進部分產品漲幅超 60%，市場節奏徹底被帶偏。存儲業內預計，更大幅度的漲價還在后面。

這次由AI規模化應用導致的結構性、長周期缺貨，完全超出所有人預期。AI的影響下，“存力升級”須緊隨追趕“算力升級”步伐。從場景來看，訓練側容量帶寬需求全面提升，推理側帶寬需求突出。

未來，存儲和AI 的綁定只會越來越深。