北京
源掩模協(xié)同優(yōu)化（SMO）技術(shù)通過 聯(lián)合、迭代地優(yōu)化照明光源形狀和掩模版圖形設(shè)計 ，以同時改善多項關(guān)鍵的光刻工藝指標。
1.核心優(yōu)化機制
SMO建立了一個系統(tǒng)的優(yōu)化框架，通過定義包含多個工藝指標的成本函數(shù)，驅(qū)動光源和掩模的協(xié)同迭代：
- 輸入與建模
以典型掩模圖形（如密集線條、孤立線條等）和初始照明條件（如環(huán)形照明）為起點，建立包含光學像差、光刻膠效應等因素的光刻成像模型。
- 協(xié)同迭代
算法在每次迭代中，同時調(diào)整 照明光源 的強度分布（如圖3所示的光源演化）和 掩模版 的圖形（包括主圖形和輔助圖形SRAF），以最小化成本函數(shù)。
- 目標
最終目標是找到能使晶圓上的成像圖形最接近目標設(shè)計的最佳光源-掩模組合。
研究人員通過模擬（針對40nm最小節(jié)距的切割層）表明，SMO能顯著改善以下工藝指標：
3. 對光學像差的補償能力
SMO技術(shù)還能在一定程度上補償光學系統(tǒng)的像差（如澤尼克像差Z8），以減輕其對成像質(zhì)量的負面影響：
模擬顯示，對于較小量級的像差（如Z8=0.25 nm RMS），SMO優(yōu)化能有效維持工藝窗口。
對于大量級像差（≥0.5 nm RMS），SMO的補償能力會受限，難以滿足嚴苛的生產(chǎn)規(guī)格。這指出了該技術(shù)當前的局限性和未來需要改進的方向。
綜上所述，文檔表明， SMO技術(shù)通過其協(xié)同迭代的優(yōu)化框架，能夠系統(tǒng)性地、同時地優(yōu)化關(guān)鍵尺寸均勻性、曝光寬容度和掩模誤差因子這三大核心工藝指標，并具備一定的光學像差補償能力，從而有效拓寬工藝窗口，提升先進節(jié)點極紫外光刻的成像質(zhì)量和工藝穩(wěn)定性
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