美國商務部長：臺積電對美國投資將超2000億美元！

當地時間12月11日，美國商務部長霍華德·盧特尼克（Howard Lutnick）在接受CNBC專訪時表示，他認為特朗普政府將讓臺積電在美設廠投資金額超過2,000億美元，創造3萬個工作機會。

盧特尼克強烈批評了前美國總統拜登推出的“芯片法案”，稱該法案對芯片制造商提供了過于慷慨的補貼。他進一步指出，拜登政府還給了英特爾110億美元補貼，“就像給股東發圣誕賀卡一樣”。特朗普政府上臺后，將這 110 億美元的補貼轉化為了政府持有的英特爾股權。

拜登政府還為臺積電提供了66億美元左右的補貼，以支持臺積電在美國建廠，結果臺積電在美國只宣布了650億美元的投資。“我們當時就覺得這不對勁。”盧特尼克表示。

盧特尼克強調，“唐納德·特朗普絕不接受政府只是隨意揮霍納稅人錢財這種觀念。他希望美國人民能夠真正從中受益。仔細想想，這完全合情合理。”

在特朗普政府上臺后，威脅將會對半導體加征關稅，但表示若承諾在美設廠或正在設廠，則可豁免。此舉推動了臺積電將對美國的投資提高到了1,650億美元。

“我認為我們會讓他們（臺積電）在美國設廠投資超過2,000億美元，創造3萬個工作機會，這才是我們應該做的事。”盧特尼克說道。

但盧特尼克并沒有提供任何證據來支持他的說法。目前臺積電也并未回應該消息。

根據資料顯示，臺積電最初是在2020年5月宣布將在美國亞利桑那州的建設一座先進制程晶圓廠，當時的計劃投資額也才120億美元左右。隨后在拜登政府的“芯片法案”政策的影響下，臺積電于2023年又宣布在美國建第二座晶圓廠，將整體的對美國投資規模提升到400億美元。

2024年4月，臺積電又宣布將在亞利桑那州鳳凰城建造兩座晶圓廠計劃的基礎上，再建造第三座晶圓廠，使得總體投資金額從原來的400億美元提升到650億美元，并創造超過25000個直接建筑和制造業就業機會，以及數千個間接就業機會。有助于實現美國到 2030 年生產 20% 全球最先進邏輯芯片的目標。

目前，這三座晶圓廠當中一期的4nm晶圓廠，去年四季度已經開始量產；二期的3nm晶圓廠，目前正在建設當中，原定于2026年開始量產，目前預計可能會在2027年量產。兩座晶圓廠完工后，合計將年產超過60萬片晶圓，換算至終端產品市場價值預估超過400億美元。新增的三期晶圓廠將生產2nm或更先進的制程技術，預計將在21世紀20年代底（2029～2030年）間量產。

今年3月初，在特朗普政府的半導體關稅政策威脅下，臺積電宣布對美國追加1000億美元投資，包含興建三座新晶圓廠、兩座先進封裝設施，以及一座研發中心。但這些項目似乎都還沒有確切的開工時間。

編輯：芯智訊-浪客劍