上海
蓋世汽車(chē)訊 12月4日，安森美半導(dǎo)體（onsemi）宣布推出采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)T2PAK頂部散熱封裝的EliteSiC MOSFET，進(jìn)一步提升了汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的功率封裝技術(shù)。這款新產(chǎn)品為電動(dòng)汽車(chē)、太陽(yáng)能基礎(chǔ)設(shè)施和儲(chǔ)能系統(tǒng)等市場(chǎng)中嚴(yán)苛的高功率、高電壓應(yīng)用提供了更優(yōu)異的散熱性能、可靠性和設(shè)計(jì)靈活性。
圖片來(lái)源： 安森美
安森美半導(dǎo)體最新推出的650V和950V EliteSiC MOSFET產(chǎn)品組合采用T2PAK封裝，融合了公司業(yè)界領(lǐng)先的碳化硅技術(shù)和創(chuàng)新的頂部散熱封裝技術(shù)。首批產(chǎn)品已交付給主要客戶，更多產(chǎn)品計(jì)劃于2025年第四季度及以后陸續(xù)上市。通過(guò)在EliteSiC系列產(chǎn)品中引入T2PAK封裝，安森美半導(dǎo)體為尋求在高電壓應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、緊湊和耐用的汽車(chē)和工業(yè)客戶提供了一個(gè)強(qiáng)大的全新選擇。
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