四川
2025年長光華芯業績扭虧為盈，技術突破不斷，還積極拓展國內外市場，同時推進重點產能項目，整體呈現良好發展態勢，多項技術指標刷新紀錄，雙結單管芯片室溫連續功率突破132W，780nm DFB激光器輸出功率超10W，多結VCSEL單模功率達20.2mW；新品方面，9月發布200mW Uncool CW DFB光通信芯片，其60kW 808nm宏通道疊陣模組獲行業技術創新獎，“高功率半導體激光芯片關鍵技術及產業化”項目還拿下中國光電博覽獎金獎。此外，100G EML芯片實現量產，200G EML完成送樣。
9月在深圳光博會雙展亮相并舉辦新品發布會；海外布局上，4月攜高功率單管芯片、905nm 300W VCSEL芯片等產品亮相日本OPIE展會，對接當地核心合作伙伴以深耕日本市場。同時業務合作持續落地，VCSEL芯片進入禾賽科技等激光雷達頭部企業供應鏈，高功率芯片也導入銳科激光等主流設備廠商。
長光華芯在國內江蘇蘇州設有核心生產基地，該基地是其開展半導體激光芯片研發與量產的核心載體，基地位于蘇州高新區漓江路56號，2022年完成搬遷并投入使用，是全球少數具備6吋線外延、晶圓制造等關鍵制程生產能力的IDM模式工廠。這里搭建了覆蓋芯片設計、外延生長到封裝測試的全流程工藝平臺，布局有2吋、3吋、6吋多條量產線，其中6英寸晶圓垂直整合生產線性能領先，相比傳統產線可使芯片容納量增加5倍，還能大幅降低人工成本和次品率。
該基地可量產高功率單管、巴條等系列激光芯片，同時承擔VCSEL芯片、光通信芯片等產品的生產任務，月產激光芯片能力可達超千萬顆，能滿足國內高端光通信芯片未來2 - 3年的需求，其產出的芯片廣泛應用于激光智能制造、醫學美容、激光雷達、數據中心等多個領域。此外基地還配套建有蘇州半導體激光創新研究院，助力氮化鎵等新型激光芯片的技術攻關與產業化落地。
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