萬事俱備，只欠東風！傳三星已完成HBM4研發，等待英偉達批準量產

近日，據半導體行業消息人士透露，三星電子半導體事業部內存業務部門正式完成第六代高帶寬內存（HBM4）的量產就緒認證（Production Readiness Approval，簡稱PRA）。

作為半導體產品從研發到量產的關鍵里程碑，PRA代表內部質量驗證的最終階段，標志著HBM4的技術開發已實質結束，三星已全面進入大規模生產籌備。

HBM4技術亮點：性能躍升60%以上

HBM4在數據傳輸速率、內存容量和I/O通道等方面實現全面升級。相比第五代HBM3E，其單堆棧帶寬預計提升60%以上，最高可達1.6TB/s；接口位寬從1024位翻倍至2048位；即便單通道傳輸速率維持在6.4GT/s左右，整體吞吐能力仍大幅領先，請參閱下圖。

三星采用4nm工藝制造底層邏輯芯片，并搭配10nm級DRAM顆粒，進一步優化功耗與散熱表現。此技術專為人工智能加速器和高性能計算（HPC）量身打造，將顯著提升英偉達Rubin系列GPU、谷歌TPU及微軟Azure等平臺的內存集成度與吞吐效率。

量產路徑與客戶驗證

三星已于今年上半年向英偉達等核心客戶交付HBM4樣品，并通過初步可靠性測試（包括72小時循環驗證，錯誤率低于JEDEC標準的1E-18）。

隨著PRA認證通過，只要客戶端品質驗證（如英偉達的GPU兼容性測試）獲批，三星即可立即啟動量產。公司已預先構建三階段生產路線圖：2025年第四季度首階段每月5萬片晶圓產能，預計2026年實現商業化供應。

此外，三星正與微軟、Meta及特斯拉等合作開發定制HBM4E變體，涵蓋AI數據中心和自動駕駛應用。相較于其競爭對手SK海力士（已于今年上半年交付HBM4樣品，計劃下半年量產12層版本），三星的進度雖略顯保守，但良率已達65%，顯示出強勁競爭力。

產業影響：AI內存競賽白熱化

HBM4的推進凸顯AI基礎設施對高性能內存的旺盛需求，英偉達CEO黃仁勛曾要求供應商提前半年供貨，推動整個生態加速。三星此舉不僅鞏固其全球第二大內存廠商地位，還將助力扭轉HBM3E市場份額落后的局面，目前，SK海力士占英偉達供應70%以上，處于絕對上風。

展望2026年，HBM4預計單價較HBM3E高60%-70%（12層版本約500美元），將進一步推升AI硬件成本，但也為存儲巨頭帶來豐厚利潤。三星電子存儲業務執行副總裁Kim Jae-joon強調：“我們正按計劃推進HBM4，以滿足客戶對更高能效的需求。”

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