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文/陳昊星
在北京中關(guān)村科貿(mào)電子城做了多年電腦配件生意的侯瑩,最近明顯感到“生意不如從前好做了”。
作為電腦核心配件的內(nèi)存條價格近月來持續(xù)走高。近一個多月來,32G DDR4型號的價格從350元飆升至850元,DDR5同規(guī)格產(chǎn)品更是從550元暴漲至1600元,讓商家陷入"報價兩難”的困境。
全球科技產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈分析平臺DigiTimes統(tǒng)計也顯示,9月底至11月,內(nèi)存現(xiàn)貨價格出現(xiàn)較大幅度上漲,DDR416G(2Gx8)單月漲幅逾九成,DDR516G單月漲幅則高達102%,漲幅遠超同期黃金。
“根本沒法跟客戶報價,報低了立刻虧本,報高了客戶又覺得我們在坑人。”侯瑩說。
內(nèi)存條價格為什么飆得比黃金還猛?
供需失衡已達臨界點
目前,內(nèi)存條市場需求猛增,供給卻主動收緊。一方面,數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域?qū)?nèi)存的需求持續(xù)增加;另一方面,三大存儲顆粒巨頭陸續(xù)公布了內(nèi)存產(chǎn)品的停產(chǎn)計劃。
花旗報告指出,到2026年,動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)將面臨供不應(yīng)求的局面。預計2026年DRAM需求量同比將增長約20.1%,而供給僅增長約17.5%,供需差距將進一步加大。
全球三大存儲顆粒巨頭——三星電子、SK海力士和美光科技自今年年中起,陸續(xù)公布了舊一代DDR4和LPDDR4內(nèi)存產(chǎn)品的停產(chǎn)計劃,這進一步加劇了內(nèi)存條市場緊缺。
不僅是內(nèi)存市場,整個存儲芯片行業(yè)都面臨緊張局面。
瑞銀11月初發(fā)布的最新行業(yè)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,存儲芯片行業(yè)正進入一個“嚴重短缺”的時期,強勁的需求與有限的產(chǎn)能擴張共同推動DRAM的價格進入強勁上行周期;2025年第四季度的DDR(雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器)內(nèi)存合同價格也預計環(huán)比漲幅將超過21%。
南開大學金融發(fā)展研究院院長田利輝在接受中新社國是直通車采訪時指出,目前存儲市場的供需失衡已經(jīng)到了臨界點。三星3nm工廠出現(xiàn)故障,加上SK海力士等巨頭減產(chǎn),使全球DRAM庫存驟降。同時,三大廠商將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤更高的HBM(高帶寬內(nèi)存)和DDR5,進一步加劇了消費級內(nèi)存的短缺。
田利輝說,AI的爆發(fā)性需求正在重塑產(chǎn)業(yè)格局。存儲行業(yè)正從以往的周期性波動,轉(zhuǎn)向“技術(shù)驅(qū)動+AI需求”的雙輪驅(qū)動模式。云計算巨頭提前鎖定未來三年的產(chǎn)能,而HBM產(chǎn)能的優(yōu)先投入,也擠占了消費級內(nèi)存供應(yīng)。可以說,內(nèi)存價格的大幅上漲,是AI需求爆發(fā)與產(chǎn)能供給不足相互碰撞的必然結(jié)果。
達睿咨詢創(chuàng)始人馬繼華在接受采訪時還表示,此次內(nèi)存價格上漲的原因,除了供需失衡之外,也與芯片產(chǎn)業(yè)面臨的各種制裁和限制密切相關(guān)。這些因素打亂了產(chǎn)業(yè)的投資節(jié)奏,也抑制了產(chǎn)能的增長,從而推動了內(nèi)存市場的緊張局面。
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存儲上漲影響日常生活
相比具有避險屬性的黃金,存儲芯片的漲價雖然不及黃金那般引人矚目,但它同樣在悄然推高我們?nèi)粘I钪械牟糠殖杀尽?/p>
馬繼華表示,例如新款手機、電腦的定價可能因此變貴,同時換機和裝機成本隨之上升,線上線下配件店的“漲價潮”也會快速傳導到消費者身上,使設(shè)備升級變得更貴。
在他看來,內(nèi)存價格的大幅上漲必然會推動終端產(chǎn)品成本上升,尤其對低端手機、平板和電腦的影響更為明顯,甚至可能在一定程度上抑制消費需求。一般來說,內(nèi)存在整機成本中占比不足10%,但若價格持續(xù)大漲,成本占比可能提升5-10個百分點,這也將對終端廠商的利潤構(gòu)成不小壓力。
此外,電子產(chǎn)品的更新?lián)Q代節(jié)奏也可能因此放緩。關(guān)鍵零部件價格上漲,會促使整機廠商減少高配版本的推出,控制產(chǎn)量,甚至推遲部分新品的上市時間。這意味著消費者將更難以在同樣的價格區(qū)間內(nèi)買到配置更高的設(shè)備。
與此同時,游戲玩家也會受到明顯影響。內(nèi)存和存儲價格走高不僅會提高裝機和升級成本,還可能影響整機的性能配置選擇,玩家想提升畫質(zhì)、幀率或打造高性能主機,都需要付出比以往更高的預算。
本土企業(yè)迎來窗口期
雖然全球存儲市場長期被三大巨頭掌控,但近年來,本土存儲企業(yè)的成長速度正在不斷加快,市場競爭格局正悄然發(fā)生變化。
中商產(chǎn)業(yè)研究院撰文指出,2025年中國內(nèi)存企業(yè)核心競爭力體現(xiàn)在技術(shù)突破與全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力上,擁有自主晶圓制造能力、高端接口芯片設(shè)計技術(shù)、先進封裝工藝或關(guān)鍵材料供應(yīng)能力的企業(yè)正構(gòu)筑起強大壁壘。
例如,長鑫存儲是目前國內(nèi)較為成熟的DRAM廠商,國內(nèi)唯一實現(xiàn)通用型DRAM晶圓大規(guī)模量產(chǎn)的企業(yè),已成功量產(chǎn)19nm DDR5和LPDDR5X產(chǎn)品,良率超95%,在利基市場和車規(guī)級領(lǐng)域占比顯著。
兆易創(chuàng)新目前全球NORFlash(非易失性閃存技術(shù))市場前三,國內(nèi)份額第一,利基型DRAM自研突破LPDDR4/5,車規(guī)級存儲產(chǎn)品通過特斯拉等頭部車企認證,技術(shù)壁壘和毛利率水平突出。
田利輝直言,此輪內(nèi)存漲價,實際上為本土存儲企業(yè)打開了一個難得的戰(zhàn)略窗口期。部分模組廠商已經(jīng)實現(xiàn)快速扭虧,本土替代進程也在明顯加速。
他認為,目前一些本土存儲企業(yè)已具備國際競爭力,本應(yīng)在這一輪周期中實現(xiàn)跨越式發(fā)展。隨著國內(nèi)云廠商加大資本投入,存儲產(chǎn)業(yè)正從以性價比為主的競爭模式,轉(zhuǎn)向以技術(shù)創(chuàng)新為核心,這也為本土企業(yè)突破國際壟斷、實現(xiàn)技術(shù)躍升創(chuàng)造了歷史性機遇。
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