前言
近期,充電頭網(wǎng)了解到羅姆目前推出GNE1008TB與GNE1040TB兩款150V低壓氮化鎵功率器件,面向服務(wù)器電源、PD快充次級(jí)同步整流以及人形/四足機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等前沿應(yīng)用,為電源系統(tǒng)工程師帶來更豐富的設(shè)計(jì)選擇。
羅姆推出的低壓GaN器件相比傳統(tǒng)硅MOSFET,具備更低導(dǎo)阻、更快的開關(guān)速度以及更優(yōu)的高頻特性,能夠在更高效率與更小體積之間取得平衡,特別適用于追求高效、高功率密度的場景。此外,上述兩款器件還采用DF5060封裝,可直接PIN TO PIN替換同封裝硅MOS,降低設(shè)計(jì)成本,具備更優(yōu)的適配性。
羅姆低壓GaN
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充電頭網(wǎng)了解到,羅姆推出多款150V低壓氮化鎵,導(dǎo)阻分別為8.5mΩ和40mΩ,并均為DFN5060封裝。
羅姆GNE1008TB
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羅姆GNE1008TB是一款柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT,屬于EcoGaN系列產(chǎn)品,利用該系列產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的特性,有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸;即使在1MHz的高頻段,電源效率也可達(dá)到96.5%以上。另外,通過采用DFN5060封裝,實(shí)現(xiàn)出色的散熱性能,并易于流水線自動(dòng)化生產(chǎn)。
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羅姆GNE1008TB這款低壓氮化鎵器件非常適合半橋拓?fù)洹⒋渭?jí)同步整流、D類音頻放大器、紅外LED以及激光二極管驅(qū)動(dòng)等場景應(yīng)用。
羅姆GNE1040TB
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羅姆GNE1040TB是柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT,導(dǎo)阻僅為40mΩ,并無反向恢復(fù)電荷。該產(chǎn)品屬于EcoGaN系列,該系列產(chǎn)品通過更大程度地激發(fā)低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能,助力應(yīng)用產(chǎn)品更節(jié)能和小型化。GNE1040TB的電源效率在1MHz的高頻段也高達(dá)96.5%以上。另外,該產(chǎn)品采用支持大電流且具有出色散熱性的DFN5060封裝,便于流水線成產(chǎn)。
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羅姆GNE1040TB這款低壓氮化鎵器件同樣非常適合半橋拓?fù)洹⒋渭?jí)同步整流、D類音頻放大器、紅外LED以及激光二極管驅(qū)動(dòng)等場景應(yīng)用。
充電頭網(wǎng)總結(jié)
隨著高頻、高效率和小型化電源設(shè)計(jì)的需求不斷提升,低壓GaN器件正在逐步取代傳統(tǒng)硅MOSFET,成為高性能電源系統(tǒng)的重要選擇。羅姆推出的GNE1008TB與GNE1040TB兩款150V低壓GaN HEMT,憑借低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)特性,為工程師在半橋拓?fù)洹⒋渭?jí)同步整流、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、D類音頻放大器、紅外LED及激光二極管驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場景提供了可靠的解決方案,為高效電源設(shè)計(jì)帶來了更多可能性。
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