內(nèi)存功耗大降90%！22人存儲創(chuàng)企融資超1億，恩智浦領(lǐng)投

有望解決AI芯片內(nèi)存瓶頸問題。

作者 |ZeR0

漠影

芯東西11月10日報道，近日，以色列片上存儲IP創(chuàng)企RAAAM宣布已完成超額認(rèn)購的1750萬美元（約合人民幣1.2億元）A輪融資，由恩智浦半導(dǎo)體領(lǐng)投。

本輪融資完成后，RAAAM總?cè)谫Y額超過2400萬美元（約合人民幣1.7億元）。

RAAAM成立于2021年5月，總部位于以色列，在瑞士設(shè)有研發(fā)中心，共有22名員工。該公司開發(fā)了新一代片上存儲技術(shù)GCRAM，與高密度SRAM相比，其面積最多可縮減50%，功耗最多可降低90%

據(jù)官網(wǎng)介紹，RAAAM由4位來自巴伊蘭大學(xué)和洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院、專攻超大規(guī)模集成電路（VLSI）設(shè)計的博士創(chuàng)立。

“與SRAM相比，我們的解決方案有望通過顯著提高內(nèi)存密度和降低功耗，解決頂尖AI芯片的內(nèi)存瓶頸問題?！盧AAAM聯(lián)合創(chuàng)始人兼CEO Robert Giterman談道。

為了減少芯片外數(shù)據(jù)傳輸，幾乎所有SoC都集成了大量的片上嵌入式內(nèi)存緩存。這些緩存通常采用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM）實(shí)現(xiàn)，并往往占據(jù)超過50%的芯片面積。由于SRAM的尺寸縮小已達(dá)極限，在5nm以下的先進(jìn)CMOS工藝節(jié)點(diǎn)中不再進(jìn)一步縮小，內(nèi)存瓶頸問題更加嚴(yán)重。

在芯片尺寸不變的情況下，RAAAM的GCRAM技術(shù)能夠增加片上存儲容量，通過減少或完全消除片外數(shù)據(jù)傳輸，顯著提升系統(tǒng)帶寬和能效。減小存儲器占用空間還可以通過縮小芯片尺寸大幅降低制造成本。

GCRAM的bitcell包含3顆晶體管，而DRAM只有1顆晶體管和1個電容。SRAM的bitcell通常包含6顆晶體管，是GCRAM的2倍。因此在其他條件相同的情況下，SRAM的面積和功耗大約是GCRAM的2倍。對于2Mbit等大型存儲陣列而言，GCRAM的密度優(yōu)勢有助于大幅降低成本。

除了面積優(yōu)勢外，GCRAM bitcell采用解耦的讀寫端口，無需額外成本即可實(shí)現(xiàn)原生雙端口操作，顯著提升存儲器帶寬。

GCRAM在16nm FinFET工藝下可實(shí)現(xiàn)低至450mV的讀寫電壓，標(biāo)準(zhǔn)片上SRAM的Vmin則為700mV。與其他SRAM解決方案相比，GCRAM能大幅降低功耗。

RAAAM的GCRAM技術(shù)已在領(lǐng)先晶圓代工廠的芯片上得到驗證，工藝節(jié)點(diǎn)范圍從16nm到180nm，并在5nm FinFET技術(shù)中成功進(jìn)行了評估。

▲16nm-180nm工藝中RAAAM GCRAM技術(shù)的芯片實(shí)現(xiàn)顯微照片

GCRAM技術(shù)能夠采用任何標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制造。半導(dǎo)體公司可將其作為SRAM的直接替代品，在更小的硅片面積上實(shí)現(xiàn)更大的片上存儲容量，并降低功耗和成本。

新一輪融資將用于支持RAAAM在多家頂級晶圓代工廠的先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上對GCRAM進(jìn)行全面認(rèn)證。

RAAAM還宣布與恩智浦展開緊密合作。恩智浦半導(dǎo)體前端創(chuàng)新副總裁Victor Wang評價說，RAAAM在片上存儲器方面的突破直接解決了半導(dǎo)體價值鏈中的一個關(guān)鍵挑戰(zhàn)。