美國不準三星和SK升級擴建中國工廠，中國這個技術領域突破要抓緊

美國對存儲芯片下手了。

8月30日，韓國媒體《亞洲經濟》發表文章稱，美國政府已決定撤銷三星電子和SK海力士中國工廠的“已驗證最終用戶（VEU）”資格。從明年開始，兩家公司每批設備發貨都需要單獨獲得許可。

美國把豁免關掉，就是讓三星、SK海力士在中國沒法再用美國機器造高端芯片。根據市場追蹤機構Gartner的數據，全球前五大半導體設備公司占整個市場的70%以上的設備，大多為美國制造。

這一刀下去，兩家廠子不得不為每批運往中國的貨物尋求美國的批準，從而造成嚴重的延誤和效率低下，從而很可能導致減產，全球內存條價格肯定跟著跳。

美國為何盯上存儲芯片？這要從存儲芯片說起，存儲芯片有兩種，一種是NAND flash，又叫閃充，主要用在U盤、SD卡、移動硬盤上，另一類是DRAM動態隨機存儲，主要用在手機、電腦、服務器的內存里。

在2022年10月，美方就發布了嚴苛的出口管制新規，不僅規定了邏輯芯片的限制標準，還對存儲芯片DRAM和NAND進行了明確限制，但這些芯片是支撐三星、SK海力士利潤的核心業務，當時的制裁，導致這兩家公司在中國的利潤跌了90%，退出了工業皇冠的行列，其次，當時我們在生產內存存儲芯片與固態硬盤上取得了實質性突破！

因此，當時老美意識到，不能再制裁下去了，而是要圍繞取我們已經取得突破領域發動“價格戰”與“傾銷戰”。

因此，在2023年10月，美國政府作出了一項決定，就是無限期豁免三星電子和SK海力士向其在華工廠提供半導體設備，無需其它許可。

那么為何原本被無限期解禁的兩家公司，突然又被重新管制了呢？原因是AI芯片的競爭已經到了深水區，三星與SK海力士不僅在悶聲發大財，而且已有能力卡英偉達的脖子了。

根據美國Gartne公布2024年全球半導體廠商營收10強榜，全球半導體市場規模比2023年增長18%，達到了6260億美元，而三星憑借存儲芯片與設備的價格反彈，從英特爾手里奪回第一，英特爾原地踏步，增長僅1%。英偉達排名第三，收入增長84%，排名第三，SK海力士排名第四。可以看出，AI浪潮的紅利，三星吃的最多，其次是英偉達與SK海力士。

而三星一直在中國西安工廠生產 NAND 閃存，該工廠已投資260 億美元。這些工廠占三星全球 NAND 產量的 40%。

單從存儲芯片這一塊來看，2025 年第二季度，韓國存儲巨頭 SK 海力士以 21.8 萬億韓元的銷售額，首次超越長期占據榜首的三星電子，奪得全球存儲市場（含 DRAM 和 NAND）銷售額冠軍。

不僅是銷售猛增，三星SK海力士技術上也有能力卡英偉達的脖子。在芯片產業鏈上，如果說英偉達是寫菜譜的，臺積電是掌勺的，而韓國恰恰掌握著AI芯片最核心的食材，HBM內存，全稱高帶寬內存處理器，HBM內存就是DRAM大類里的高端細分產品，基本都用在AI領域，能滿足海量的數據處理需求，是AI芯片的心臟。

而全球能量產HBM內存的，只有韓國，光三星和SK海力士就壟斷了全球90%的市場，英偉達也得排隊進貨。在HBM領域，SK海力士比三星更厲害。不僅獨占9成高端市場，一度還是英偉達御用供應商。

因此，在AI芯片競爭進入到深水區，美國意識到三星SK海力士掌握著大殺器，尤其是SK海力士的HBM內存，與其他玩家拉開了差距，2023年以來，SK海力士的HBM3的價格已經上漲5倍多，隨著AI浪潮的爆發，對海量數據的運算需求越來越大，SK海力士站上了C位。

因此，當AI競爭走到今天，需要強悍的性能，普通的DDR內存滿足不了速度的要求，需要HBM內存。CK海力士與三星又開始在制裁中發揮作用了。

一旦美國這個文件生效，意味著三星西安NAND工廠、SK海力士無錫DRAM工廠以及大連NAND工廠將從明年1月起，未經許可不得進口美國制造的設備，每家工廠都將接受單獨的審批程序。

根據美國商務部的說法：“在允許維持現狀的同時，不允許擴大生產和技術升級。”這直接把他們在中國升級擴產的路給堵死了。

目前三星西安工廠以及SK海力士無錫和大連工廠的工藝流程比韓國總部落后一到兩代，關鍵戰略產品也集中在韓國國內和美國的生產線上。尤其是用于AI服務器的高帶寬存儲器（HBM），尚未在中國生產。

那么美國不讓三星與SK海力士升級或擴建半導體工廠，本質上它怕的就是三星與SK海力士把用于AI服務器的高帶寬存儲器（HBM）放到中國生產。因此，限制美國半導體設備，也能拖慢中國HBM研發上的進度，中國的生產基地可能會淪為低規格產品的固定生產基地，還能通過打壓三星與SK海力士，讓美國的美光從中受惠。

三星與SK海力士的銷售業績，都離不開中國市場。過去三星、SK海力士被限制之后，中國市場利潤大跌，后來被解禁后，其利潤營收暴漲，可以知道中國市場是這兩家廠商的基本盤。

美國的戰略很清楚，它怕中國AI崛起，一是不允許英偉達將先進的AI芯片賣給中國，二是鎖死中國先進制程與高端存儲芯片的發展，不準HBM這種存儲芯片，賣給中國。

在這個過程中，韓國公司卻成了夾心餅干，訂單大、設備斷，營收面臨重大壓力。

中國已在加速突圍芯片半導體。接下來，中國也會整合資源，集中力量辦大事，報道顯示，長江存儲正深化與本土工具制造商，如專門從事蝕刻設備的中微公司、專注于沉積和蝕刻設備的北方華創、沉積設備供應商拓荊科技的合作，都在加速替換外國設備。這可能提升本土公司在光刻膠、蝕刻機等領域的競爭力，甚至是成熟工藝的競爭力。

美國限制SK海力士與三星其實給我們提了一個醒，在半導體設備與存儲芯片尤其是HBM內存上，中國需要抓緊進一步發力。HBM 是先進 AI 芯片的關鍵存儲組件，約占芯片價值的一半，對 AI 模型訓練和芯片封裝至關重要。美國卡哪里，意味著中國需要在哪里突圍。

韓國急得團團轉，一邊安撫企業，一邊去美國求寬限。有技術沒有市場，手里有貨，賣不出去，那種難受可想而知。

這相當于給中國國產替代空出了市場，中國想要發展AI芯片，就必須研發出自己的高端HBM內存。HBM分好多代，HBM第一代此前已有廠商量產，但落后SK海力士、三星們兩代，畢竟對方已經發展到了HBM3/HBM3e了。

這意味著，中國在這個領域要抓緊進度。根據業內人士的說法，HBM本質是一種先進封裝，國產的HBM2e已有公司宣布量產，即便沒量產但也近了。HBM3以及以后的，目前在先進封裝與良率上還搞差點火候，這是SK海力士的核心領域，有3個挑戰：DRAM顆粒、邏輯die和先進封裝。

而國產的HBM供應鏈正在建立過程中，包括HBM Die的生產和配套的CoWoS封裝，技術上要突圍的是HBM 3e，這意味著國產HBM來到了由0到1的關鍵突破期，業內估計26年能有送樣，量產爬坡得再晚一年半載的。

我們需要相信中國半導體產業的韌性，美國能制裁中國芯片的環節不多了，AI芯片的競爭已經在中場，美國以限制中國為由損害盟友商業利益，將反噬自身，并加速非美生態壯大，并推動中國HBM內存突破進入快車道，我們拭目以待。

作者：王新喜 TMT資深評論人 本文未經許可謝絕轉載