上海
【SK海力士猛攻1c DRAM：良率已升至80% 超半數產能年內轉換】《科創板日報》9日訊，SK海力士正在加快提升其10納米第六代（1c）DRAM的競爭力，用于該工藝的極紫外（EUV）設備投資也比原計劃增加了約三倍。業內人士透露，SK海力士正集中精力推進1c DRAM技術的發展，以應用于第七代高帶寬內存（HBM）HBM4E核心芯片，并計劃于今年交付樣品。由于HBM的最大客戶英偉達計劃于明年下半年推出搭載HBM4E的下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”，SK海力士必須加快研發步伐。業內人士透露，SK海力士通用DRAM的1c DRAM良率已升至80%。該公司計劃今年將其超過一半的DRAM產能轉換為1c工藝產品，預計到年底將確保約19萬片的產能。
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