存儲芯片漲價潮延續(xù) 機構(gòu)預(yù)警DRAM供需缺口進(jìn)一步擴大

多家行業(yè)機構(gòu)同步發(fā)布存儲芯片市場預(yù)測報告，受AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)持續(xù)推進(jìn)影響，全球DRAM存儲芯片供需缺口進(jìn)一步擴大，預(yù)計2026年第二季度DRAM價格將環(huán)比再漲30%，延續(xù)此前的漲價態(tài)勢，全球半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)持續(xù)升溫。

AI生成

據(jù)行業(yè)分析機構(gòu)測算，當(dāng)前全球DRAM市場供需失衡態(tài)勢明顯，需求端主要受AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)拉動，隨著生成式AI、大模型訓(xùn)練及推理需求的爆發(fā)，數(shù)據(jù)中心對高帶寬內(nèi)存（HBM）、服務(wù)器級DRAM的需求呈指數(shù)級增長，成為推動DRAM價格上漲的核心動力。供給端方面，三星、SK海力士等主要廠商雖在逐步擴大產(chǎn)能，但產(chǎn)能釋放存在滯后性，短期內(nèi)難以滿足激增的市場需求。

此前，三星電子已明確在2026年第二季度對旗下全系列DRAM產(chǎn)品執(zhí)行平均30%的環(huán)比漲價，涵蓋HBM、服務(wù)器級、消費級等全品類，而第一季度DRAM產(chǎn)品同比漲幅已達(dá)100%，連續(xù)兩輪大幅漲價力度遠(yuǎn)超市場預(yù)期。機構(gòu)指出，此次漲價并非單一企業(yè)行為，而是行業(yè)整體供需格局的體現(xiàn)，SK海力士、美光等廠商也有望跟進(jìn)漲價，進(jìn)一步推動DRAM價格上行。

業(yè)內(nèi)人士表示，AI產(chǎn)業(yè)的持續(xù)爆發(fā)將長期支撐DRAM需求，預(yù)計2026年全年DRAM市場規(guī)模將同比增長超50%，供需缺口可能持續(xù)至2027年。對于下游企業(yè)而言，存儲芯片價格的持續(xù)上漲將增加生產(chǎn)成本，尤其是AI數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器廠商的成本壓力將進(jìn)一步加大，部分中小企業(yè)可能面臨盈利承壓的困境。