美光：DRAM缺貨將持續至2027年，制造設備產能不足成新瓶頸

4月2日消息，外資投行摩根士丹利近日在針對內存芯片大廠美光科技（Micron）跟蹤報告中披露，美光董事長兼CEO Sanjay Mehrotra等高層于日前投資人會議中指出，雖然美光正在積極擴產DRAM，但新產能最快也要2027年底才會出貨，所以DRAM供不應求的狀態將持續至2027年，其中另一關鍵原因則在于一些半導體設備產能不足。

目前，人工智能芯片所驅動的對于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，仍是導致整個DRAM市場供不應求的關鍵瓶頸。美光已在2025年第三季達成HBM位市占率追平其整體DRAM市占的目標，美光還看好其未來HBM4E與HBM5導入定制化邏輯基礎芯片后，將進一步推升HBM價格、成本與利潤率。因為從HBM3E過渡至HBM4/5時，消耗DRAM產能的比重可能高達4:1（此前為3:1）。而且此前數據顯示，目前利用DRAM堆疊制造HBM的良率仍在50%-60%左右，這將使得DRAM整體供需失衡的狀況更加劇烈。

為了應對這種結構性改變，AI與數據中心的發展已使DRAM成為策略性重要資產。美光近期啟動了“戰略性客戶協議”（SCA），目前已簽署了一份為期五年的長期合約，以確保資本支出的適當資本回報率（ROIC），展現出與以往周期不同的運營持久性。

在財務指標上，美光最新一季的毛利率財測指引高達81%，管理層更將遠期目標放眼至80%區間中段。盡管市場近期對DRAM現貨價格下跌及部分過量出貨傳聞抱持疑慮，但美光認為這些因素影響有限，并樂觀預期到2027年每股盈余（EPS）將上看至少100美元。

在擴產規劃上，為支持HBM及先進制程DRAM的制造，美光大幅上修資本支出，預估2026財年資本支出將達250億美元，2027財年更預期將突破370億美元，并計劃讓所有產線皆具備EUV設備能力。雖然，美光正積極地擴產，但是美光預期首批新建晶圓廠的產能最快于2027年底出貨，預估至2028年才會對市場供給產生實質影響，屆時可能迎來DRAM的供需平衡。而在這一過程中，關鍵半導體設備的重足供應尤為關鍵。但目前先進制程所需的極紫外光刻（EUV）設備產能有限，且交付周期較長。

針對近期中東等地的地緣政治風險，美光強調其產能布局分散，且作為美國供應商，對比日韓競爭者具有高度的戰略競爭優勢。

在資本回報方面，受限于美國《芯片與科學法案》的五年期資金補貼協議，美光在協議前兩年設有回購上限，目前將優先部署資本償還債務并增加股息。不過，美光預期自2026年12月9日限制解除后，將啟動非常積極的股票回購計劃。整體來說，美光憑借領先制程、HBM比重上升以及長期的客戶綁定策略，持續迎來多年上行循環。

編輯：芯智訊-浪客劍