天津
（全球TMT2026年3月31日訊）第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC），因高擊穿場強(qiáng)、卓越熱導(dǎo)率與低導(dǎo)通損耗，精準(zhǔn)命中了AI電源對(duì)“高效率、高功率密度、高可靠性”的終極要求，成為支撐“東數(shù)西算”與綠色數(shù)據(jù)中心的核心基石。三安光電構(gòu)建了從長晶、襯底、外延到芯片制造的垂直整合制造服務(wù)平臺(tái)。旗下湖南三安已成功打造覆蓋650V至2000V全電壓梯度的碳化硅二極管與MOSFET產(chǎn)品矩陣，可滿足從邊緣計(jì)算服務(wù)器到超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的全場景需求。三安光電碳化硅產(chǎn)品已成功導(dǎo)入維諦技術(shù)、臺(tái)達(dá)、光寶科技、長城電源、偉創(chuàng)力等全球頭部電源制造商供應(yīng)鏈，并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)交付。
為全面覆蓋AI電源從數(shù)據(jù)中心到邊緣側(cè)的廣闊譜系需求，三安光電堅(jiān)持“碳化硅+氮化鎵（GaN）”雙技術(shù)路線驅(qū)動(dòng)。在持續(xù)優(yōu)化碳化硅器件的同時(shí)，公司已推出適用于高頻、高效場景的100V/650V GaN產(chǎn)品，并為國內(nèi)頭部設(shè)計(jì)公司提供代工服務(wù)。三安光電與意法半導(dǎo)體合作建設(shè)8英寸碳化硅芯片產(chǎn)線，加速技術(shù)落地與成本優(yōu)化。
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