在半導體工藝向2nm及以下節點邁進的重要階段,等離子體控制的穩定性與精度成為良率的核心。本次SEMICON China展會上,北京華丞電子有限公司(簡稱“華丞電子”)正式發布“新一代射頻電源”,展示了在射頻核心部件領域的創新突破。
行業痛點:先進制程的嚴苛挑戰
隨著芯片制程演進至2nm及Chiplet、3D IC封裝技術的發展,傳統射頻電源在面對復雜等離子體負載時,常出現響應滯后、功率波動大及脈沖控制粗糙等問題,難以滿足先進制程對高可靠性與一致性的苛刻需求。
核心突破:三大技術護城河
華丞電子通過底層架構革新,實現了三大核心突破:
1. 脈沖自適應:采用創新性的脈沖自適應原理,可根據等離子阻抗特性動態調整過沖幅度,以自適應方式精準點火,既保證點火精準穩定,又提升效率,彰顯核心技術創新實力。
2. 微秒級快速響應:基于BDA動態算法的掃頻技術,響應速度較傳統提升100倍,進入微秒級。配合多特征融合電弧檢測,實現30μs檢測延時與10μs抑制時間,能在電弧發生瞬間“主動撲滅”,大幅降低晶圓損傷。
3. 納米級精準控制:功率精度達到0.1W,配合HALO功能確保能量均勻;實現≤5μs甚至1μs極窄脈沖控制,支持多級脈沖及相位同步,全面適配原子層刻蝕(ALE)等高端工藝。
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產品策略:“一門三杰”靈活定制
基于同一硬件平臺,華丞電子推出“自適應版”、“標準版”、“平衡版”三種配置射頻電源。客戶可靈活選擇VDMOS或LDMOS模塊,搭配不同合成技術。產品頻率覆蓋400kHz至60MHz,功率橫跨1.2kW至50kW,全面覆蓋從成熟制程到先進制程的各種需求。
生態協同:首發一體化方案
華丞電子首發“射頻電源+匹配器”一體化協同解決方案。通過打破設備間“黑盒”,實現毫秒級阻抗匹配協同與動態功率分配,將獨立部件整合為智能系統。此舉不僅簡化了產線調試,更從系統層面提升了工藝窗口范圍與良率。
關于華丞電子
北京華丞電子有限公司總部坐落于北京亦莊經濟技術開發區,擁有三大研發生產基地,總面積超10萬平方米。核心團隊在半導體行業深耕20余年,深刻理解高端工藝裝備對零部件的需求及精密控制底層技術,他們在設計和制造高精度和高可靠性的產品方面擁有豐富的專業經驗。
華丞電子為客戶提供高性能的精密控制解決方案,憑借先進的射頻控制、流量控制、壓力控制及晶圓傳輸技術,為半導體、清潔能源、真空工業、生命科學及科學研究五大領域客戶創造核心價值。華丞電子提供通過CE-EMC、RoHS、UL、SEMI S2、SEMI F47等認證的標準化產品系列,同時可根據客戶實際需求進行定制化開發,兼顧了產品規范性與應用靈活性。
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華丞電子研發團隊現有300余名工程師,其中70%具備碩士及以上學歷,依托全鏈條自主可控的研發制造體系,產品從研發設計到零部件加工,再到最終交付的每個環節,都實現了嚴格的內控管理和高效的質量溯源。
華丞電子在國內設有10個服務中心及網點,覆蓋主要區域,能夠快速響應客戶需求,在多個領域擁有豐富的技術支持經驗,能夠提供售前產品選型、售后維修及技術支持等全方位服務。
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