河南
快科技2月26日消息，據媒體報道，隨著存儲芯片技術持續迭代，三星正加速告別傳統工藝。自2013年率先量產3D V-NAND閃存以來，三星逐步將傳統的2D NAND產線轉向3D堆疊架構。
時隔十余年，這條技術過渡路線迎來了重要節點：三星最后一條2D NAND產線即將正式退出歷史舞臺。這條位于華城12號的生產線目前月產能約8萬至10萬片12英寸晶圓，三星最早將于3月停止其運營。
不過，這并非簡單的關停，而是產線角色的轉換——它將被改造為DRAM后處理車間，專注于金屬布線和表面處理等前端工藝完成后的后續工序。升級之后，該產線將分擔華城工廠其他DRAM生產線的工作量，從整體上提升生產效率。
事實上，這一調整早有跡可循。三星電子在去年第四季度的財報中已透露，將從傳統工藝向先進工藝過渡，包括停止生產傳統的2D NAND。
當前，2D NAND主要應用于U盤等低成本存儲設備，但隨著3D NAND的普及，市場需求已大幅萎縮，主要NAND廠商均已基本完成向3D閃存的過渡。
此番華城12號線升級完成后，三星的產能布局將更加清晰：華城工廠將全力生產DRAM內存，而平澤工廠則繼續兼顧DRAM、NAND生產。
值得注意的是，原本平澤P4產線混用DRAM、NAND和晶圓代工生產，如今新的規劃傾向于聚焦1c DRAM的生產。與此同時，三星位于西安的工廠將繼續負責NAND生產，并同步推進產線工藝的轉換。
三星此次產線調整，不僅是為了優化資源配置，更是為下一代高帶寬內存（HBM4）鋪路——改造后產出的1c DRAM，正是HBM4的重要基礎。根據三星的規劃，預計今年下半年，1c DRAM的總晶圓產能將達到每月約20萬片。
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