GaN大廠，新動態(tài)

導(dǎo)語

瑞薩電子拓展氮化鎵業(yè)務(wù)，與美國EPC公司簽署許可協(xié)議

瑞薩電子正在加強其氮化鎵（GaN）功率器件業(yè)務(wù)。該公司已與美國氮化鎵專業(yè)制造商EPC簽署了一項全面的許可協(xié)議。這將使瑞薩電子獲得EPC的低壓氮化鎵技術(shù)，該公司表示，這將“拓展其在人工智能功率架構(gòu)等大批量市場的機遇”。

EPC于2026年2月10日（美國時間）宣布，已與瑞薩電子簽署了一項全面的氮化鎵（GaN）功率器件許可協(xié)議。該協(xié)議將使瑞薩能夠獲得EPC的低壓GaN技術(shù)和供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)，從而拓展其在人工智能電源架構(gòu)等大批量市場的機遇。

在一年的時間里，該公司將建立起自己參與合作研發(fā)的產(chǎn)品的生產(chǎn)能力。

EPC成立于2007年，是一家專注于氮化鎵（GaN）的美國制造商，致力于開發(fā)其增強型氮化鎵（eGaN）技術(shù)。根據(jù)Yole Group的研究，EPC是氮化鎵功率器件市場第四大廠商，預(yù)計到2024年市場份額將達(dá)到13.5% 。根據(jù)這項協(xié)議，瑞薩電子將能夠利用EPC的低壓eGaN技術(shù)及其成熟的供應(yīng)鏈生態(tài)系統(tǒng)。未來一年，兩家公司計劃建立各自的生產(chǎn)能力，以生產(chǎn)此次合作的成果。

瑞薩電子表示，這項協(xié)議將為瑞薩電子帶來EPC在低壓GaN技術(shù)方面的專業(yè)知識，使其能夠“提供涵蓋從低到高的電壓范圍的全面GaN功率產(chǎn)品組合，進一步加速GaN的廣泛應(yīng)用”。

瑞薩電子還計劃向EPC供應(yīng)一些已經(jīng)量產(chǎn)的GaN器件，作為第二來源，“從而為客戶帶來更強大的供應(yīng)鏈”。

瑞薩電子收購Transphorm，旨在通過650V產(chǎn)品拓展GaN業(yè)務(wù)。

2024年，瑞薩電子完成了對Transphorm的收購，該公司主要從事650V產(chǎn)品業(yè)務(wù)，這標(biāo)志著瑞薩電子全面進軍氮化鎵（GaN）市場。通過此次收購獲得的專有技術(shù)“SuperGaN”采用級聯(lián)結(jié)構(gòu)，將高壓D模GaN和低壓Si MOSFET串聯(lián)連接。2025年7月，瑞薩電子發(fā)布了收購后的首款新型GaN產(chǎn)品。目前，該產(chǎn)品在其自有的6英寸晶圓廠進行生產(chǎn)。瑞薩電子已宣布計劃從2027年起在其合作方——美國公司Polar Semiconductor的8英寸晶圓廠開始生產(chǎn)。

瑞薩電子氮化鎵事業(yè)部副總裁羅翰·薩姆西在評論此次合作時表示：“拓展低壓氮化鎵業(yè)務(wù)，旨在滿足增長最快的電源領(lǐng)域需求。這項協(xié)議是對我們現(xiàn)有650V及以上高壓產(chǎn)品組合的有力補充，使我們能夠抓住人工智能電源架構(gòu)（涵蓋48V、12V甚至1V）以及客戶端計算和電池供電應(yīng)用等大批量市場的機遇?！?/p>

“我們兩家公司正在攜手組建全球聯(lián)盟，旨在提供尖端的能源效率，降低人工智能數(shù)據(jù)中心的成本，并為自主系統(tǒng)提供動力。這對我們的行業(yè)和公司來說都是一個激動人心的時刻，”EPC首席執(zhí)行官Alex Lidow表示。

英飛凌逐步淘汰GaN系統(tǒng)部件

英飛凌科技正在逐步淘汰其從 GaN Systems 收購的汽車用氮化鎵 (GaN) 功率器件，轉(zhuǎn)而推出自己的 GaN 產(chǎn)品。

2023 年，英飛凌收購了 GaN Systems，該公司擁有 650V 器件的專利島狀器件架構(gòu)，其客戶包括汽車制造商寶馬和豐田，以及汽車設(shè)備制造商 Vitesco Technologies 和 Hella。

然而，GaN Systems 的器件是由臺積電制造的，而臺積電去年宣布將在 2027 年 7 月之前關(guān)閉其 GaN 代工業(yè)務(wù)。

“臺積電退出GaN Systems的GaN代工廠意味著我們不能繼續(xù)生產(chǎn)這些零件，這意味著我們需要用我們內(nèi)部的650V產(chǎn)品來滿足汽車客戶的需求，因此我們將擁有GaN Systems的技術(shù)訣竅，”英飛凌高級副總裁兼GaN業(yè)務(wù)線經(jīng)理Johannes Schoiswohl博士表示。

“如果你看看市場上650V的產(chǎn)品，就會發(fā)現(xiàn)并不多。我們正在努力解決這個問題，并希望在今年晚些時候推出我們的汽車級氮化鎵器件，”他說。

“單就汽車領(lǐng)域的氮化鎵（GaN）而言，目前還沒有出現(xiàn)營收爆發(fā)式增長，但根據(jù)與客戶的互動，我認(rèn)為有很多設(shè)計項目正在進行中。這主要是因為汽車行業(yè)的研發(fā)周期更長，需要更多時間。在車載充電器（OBC）和直流-直流轉(zhuǎn)換器方面，我們與多個客戶合作的項目正在進入量產(chǎn)階段，我認(rèn)為今年晚些時候我們將看到首款采用氮化鎵技術(shù)的車載充電器問世，因此營收將在未來12到18個月內(nèi)開始產(chǎn)生?！?/p>

臺積電 (TSMC) 的 650V 和 80V 氮化鎵硅基 (GaN-on-silicon) 工藝已授權(quán)給另一家晶圓代工廠 GlobalFoundries (GF)，以確保客戶器件的持續(xù)供應(yīng)。然而，對于汽車行業(yè)而言，這意味著需要對現(xiàn)有器件進行大量重新認(rèn)證，以適應(yīng)新的工藝，這可能需要數(shù)月時間。預(yù)計該工藝移植工作將于 2026 年晚些時候在 GF 位于佛蒙特州伯靈頓的晶圓廠完成，從而實現(xiàn)美國自主芯片供應(yīng)。

“目前我們對如何繼續(xù)與代工廠合作持開放態(tài)度，隨著氮化鎵技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，在供應(yīng)鏈方面保持靈活性以應(yīng)對地緣政治變化是一件好事。我認(rèn)為這是未來發(fā)展的一個可選項，”Schoiswohl說道。

他表示，在英飛凌位于奧地利菲拉赫和馬來西亞居林的工廠進行內(nèi)部生產(chǎn)和封裝，對于達(dá)到汽車認(rèn)證所需的質(zhì)量水平至關(guān)重要?！拔覀儚囊婚_始就將封裝納入內(nèi)部設(shè)計，這樣一旦出現(xiàn)問題，我們就能進行全程追蹤，而內(nèi)部生產(chǎn)讓追蹤變得更加容易。對于像汽車牽引逆變器這樣具有挑戰(zhàn)性的產(chǎn)品來說，這一點尤其重要?！?/p>

（來源：綜合整理自網(wǎng)絡(luò)信息）

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