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人工智能數據中心蓬勃發展帶來的供應短缺已經影響到DRAM和NAND市場。現在,NOR閃存也受到了波及。
據報道稱,隨著人工智能服務器需求的增長,這些服務器中使用的NOR閃存的需求也隨之增長。這些產品以及其他產品,例如嵌入式應用服務器,都使用NOR閃存來存儲引導代碼和固件、元數據配置以及其他低延遲代碼,這些代碼可以直接執行,無需復制到DRAM。
《商業時報》稱,一個GPU服務器機架中現在可以容納多達30個NOR設備,每個Nvidia GB200 NVL72系統的成本高達600美元,并預測幾年內這一價格可能會達到900美元。
NOR 和 NAND 閃存以相同的方式將位存儲在單元中,但訪問單元的方式不同。
NOR 單元并聯連接。每個單元的漏極直接連接到一條位線,源極共用一條公共線。這使得可以直接隨機訪問單個單元或小組。
NAND 單元體積較小,它們以串聯方式連接(就像一條鏈子或一串繩子;一頁紙)。只有鏈子的兩端連接到位線/源線,因此訪問需要經過整個鏈子。
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NOR閃存圖
NAND 存儲器以頁為單位訪問單元,而不是單個比特。要讀取一個 NAND 單元,必須將序列中的其他單元導通并充當傳輸晶體管。一個 NAND 塊包含多個頁,并且寫入操作只需一次即可完成。
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NAND閃存圖
這導致了不同的讀寫性能。NOR閃存的隨機讀取速度快,但寫入速度比NAND慢。NOR閃存還可以在比NAND更高的溫度下工作,因此更適合某些汽車和工業應用。
總部位于中國臺灣的宏碁公司(Macronix)生產這兩種類型的存儲器,是NOR閃存的主要供應商。該公司總裁盧志源表示,“用于人工智能服務器和高性能計算設備的2D NOR閃存芯片需求強勁”。
為應對不斷增長的 NAND 需求,宏碁正在擴大其 NAND 制造能力,這將使提升產能的3D NOR芯片的推出推遲兩年。
華邦電子(Winbond)也生產這兩種芯片,其目標是將NOR閃存的產能同比增長30%至40%。總裁陳建民表示:“我們今年和明年的產能都已全部預訂完畢,包括DRAM、NOR和NAND閃存。行業的上升周期應該會持續相當長一段時間。”
https://www.blocksandfiles.com/flash/2026/02/12/nor-flash-shortages-loom-amid-ai-datacenter-demand-surge/4091207
(來源:Blocks&Files)
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