中國再出王牌？殼豐度僅為稀土的百分之一，半導體革命誰主沉浮？

稀土之后中國再出王牌？稀缺百倍卻領先全球！半導體革命誰主沉浮？

剛從被人們嘲笑為“工業的維生素”的稀土的轉折中走出來的當下，另一塊更稀缺的戰略資源卻已悄然地將全球的科技競爭格局都撬動起來了。

它的地殼豐度僅為稀土的百分之一，靜態儲采比低至22年，中國剩余供給年限甚至只有11年——這就是支撐第四代半導體的關鍵礦產“銻”。

與稀土不同，銻的價值體現在其對半導體材料的顛覆性賦能，以氧化鎵為代表的第四代半導體，憑借超寬禁帶（禁帶寬度達4.9eV，遠超碳化硅的3.2eV）和超高擊穿場強（是氮化鎵的2.4倍），能將器件功率損耗降至硅基材料的四十九分之一。

由此可見，通過將氧化鎵的電池的電壓提升至1200伏以上，就能輕松實現“充電7分鐘續航800公里”的高性能的同時，也將相應的成本降低了四成以上。

中國的優勢不僅在于資源儲量。但更值得注意的是,全球近30%的銻礦儲量都匯聚在了中國的身上,更關鍵的則是中國的銻業技術也正以驚人的速度在不斷的突破中前進：杭州的鎵仁半導體就以驚人的速度,在全球首次將8英寸的氧化鎵的單晶都給制備了,比日本的計劃都提前了三年。

而在富加鎵業的身上就更是將6英寸的氧化鎵的晶圓的全產業鏈都給打通了，并通過對美、日等多國的技術的不斷的研究,也將對應的國際的專利的布局都給做了，也就從此掌握了對美、日等多國的技術的話語權。這些進展使中國在超寬禁帶半導體領域從跟跑者變為規則制定者。

基于第四代半導體的逐步落地，其在軍事與航天領域的應用已初現端倪，將為這一領域的高性能、高可靠的電子設備的研制提供了新的技術基礎和發展方向。

氧化鎵器件在耐高溫、抗輻射方面的特性，可直接提升雷達探測距離與分辨率，并增強航天器在極端環境下的穩定性。其可通過智能電網的應用使線路的能量損耗大大降低，光伏逆變器的轉換效率也能突破99.5%，對國家的能源安全也具有著非常的戰略意義。

伴隨這場以“物質的物化”為標志的物質的革命的不斷深入推進，逐漸地將國家的層次之間的生態化的布局的趨勢越來越明顯了。

依托于大基金三期的投入超3440億元的支持下，我們已經初步形成了從湖南的銻礦的開采、長三角的晶圓的制造等一系列的完整的產業鏈的布局，極大的推動了我國的半導體材料的研發事業的發展。

而美國將氧化鎵的出口都給列了個通通的禁令，歐盟又拿出22億歐元的天價把金剛石的試驗線都給打造了出來，反倒更是充分地體現了我們在突破了西方的技術封鎖的那一份實效性。

中國此次的領先，并非簡單資源替代，而是從材料源頭到應用場景的全鏈條創新。

而隨著第四代半導體的開啟，誰能把控下一代的核心材料標準，就將擁有主導未來的先機，甚至將對未來科技的發展和戰爭的主動權都掌握在自己手中。