HBM芯片中國落后，但HBF芯片，中國早有布局要翻身了？

最近一年多，如果你裝過電腦或者關注過數碼產品，肯定聽說過內存（DRAM）價格飛漲的消息。

DDR4、DDR5這些名詞伴隨著“缺貨”、“翻倍”成了熱門話題。但在存儲芯片這個大家族里，真正站在金字塔尖、技術門檻最高、也最賺錢的，其實是一種你可能不太熟悉的產品——HBM芯片。

你可以把HBM理解為內存里的“超跑”。它本質上也是DRAM，但采用了先進的堆疊技術，把多層內存像搭積木一樣疊在一起。

這樣做帶來的好處是性能猛增：帶寬極大、延遲極低。尤其在當前火爆的AI領域，那些訓練大模型的算力芯片，比如英偉達的GPU，必須搭配HBM這種“超級內存”才能全力奔跑。目前，這個尖端市場幾乎被三星、SK海力士和美光三家巨頭壟斷，尤其是韓國企業優勢明顯。客觀地說，在這一輪競爭中，中國企業確實落后了，短期內仍需依賴進口。

然而，技術的故事永遠充滿轉折。就在近日，處于HBM統治地位的韓國，其業內專家卻提出了一個引人深思的觀點：未來，可能出現一種名為HBF的技術，挑戰甚至部分取代HBM的地位。

HBF與HBM，只有一個字母之差，但本質完全不同。HBM是用于高速數據讀取的“工作內存”；而HBF則是基于NAND閃存（類似我們手機、固態硬盤里的存儲芯片）發展起來的“存儲內存”。它是一種堆疊式閃存芯片，結構更立體。

如果把HBM比作短跑速度極快的“超跑”，那么HBF就像是載貨量驚人的“超級貨車”。專家分析，HBF的速度約為HBM的80%到90%，不算慢，但它的容量卻能達到HBM的8到16倍，同時功耗還能降低40%。在大數據處理的AI和數據中心場景中，這種大容量、低成本的特性，讓它有望成為一種關鍵的“中層內存”，與HBM組合工作，解決單純追求速度帶來的容量瓶頸和成本壓力。

而這個可能的未來，恰恰給中國企業打開了一扇新的大門。一旦HBF流行起來，這次我們或許不會再像在HBM領域那樣被動。

為什么？因為HBF技術的核心之一，在于多層堆疊所需的“混合鍵合”技術。簡單說，就是如何把存儲單元和外圍電路等不同部分，精準、高效地“焊接”在一起。而在這個關鍵技術上，中國的長江存儲早已憑借其獨有的“晶棧”（Xtacking）架構，積累了全球領先的專利優勢。

就連三星、SK海力士這樣的巨頭，在某些方面也需要向長江存儲尋求專利授權。這意味著，如果未來技術路線真的向HBF方向發展，中國企業不再是單純的追趕者，而是手握重要籌碼的參與者，甚至能在專利生態中占據一席之地。

當然，一項新技術從概念到主流還有很長的路要走，HBM在可見的未來仍將是性能王者。但HBF可能性的浮現，揭示了一個重要道理：在快速迭代的科技賽道上，一時的落后并不意味著永遠錯過。當賽道可能切換時，提前布局的核心技術專利，就是下一次起跑時最有力的助推器。中國芯片的追趕故事，也許正悄悄迎來新的章節。