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1月12日消息，據報道，存儲芯片市場的缺貨漲價潮，已從上游晶圓制造蔓延至下游封測領域。
隨著DRAM和NAND Flash芯片大廠全力沖刺出貨，力成、華東、南茂等存儲封測廠訂單涌進，產能利用率直逼滿載，近期陸續調升封測價格，漲幅可達三成。
相關封測廠透露，訂單實在太多，后續不排除啟動第二波漲價。分析指出，封測報價上漲后，漲價效益將從第一季度開始逐步反映在財報中，若后續啟動第二波漲價，2026年將成為存儲封測行業“價量齊升”的一年，相關企業的業績有望大幅增長。
對于漲價話題，被點名的封測廠均表現得相當低調，僅強調報價會根據市場需求進行彈性調整。
業界分析認為，此輪漲價潮的背后推手是三星、SK海力士、美光等三大存儲芯片廠全力擴充AI用的HBM產能。
這些廠商將資源集中在先進制程與先進封裝上，導致標準型DRAM與NAND芯片產出受限，舊規格產品供給愈發緊張。
此外國內也有多家封測公司曾表示，2025年Q4需求旺盛，產能利用率得到提升。
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