臺積電要慌？三星又搶先！首發2nm芯片，“黑科技”能降溫16%

3nm時，三星就不講武德，全球首發3nm芯片，比臺積電領先了半年時間。

不僅如此，三星還率先全球首家采用GAAFET晶體管技術， 放棄了老邁的FinFET晶體管技術，一時之間，讓大家都覺得三星可能在3nm芯片上要翻身了。

但是，三星雖然起了個大早，卻趕了一個晚集，3nm芯片是領先半年量產，還采用了新的技術，卻在率良上栽了跟頭。

因為良率太低，據稱只有20%左右，也就是說制造出10顆芯片，有8顆是廢的，只有2顆能用，這實在是太嚇人了。

所以最后連三星的最大客戶高通、英偉達等都跑路了，轉單至臺積電去了。

數據顯示，在3nm工藝上，臺積電一家拿下了95%以上的份額，三星可能只有5%左右，可見真是起了個大早也沒什么用。

所以三星，又將目光瞄向了2nm，并且還是采用同樣的戰術，那就是領先臺積電先量產，同時也要搞點黑科技出來，用來吸引客戶的訂單。

這不，三星正式公布了2nm芯片Exynos 2600的完整細節，也就相當于是全球首發了。

Exynos 2600采用的就是三星的2nm工藝，同樣采用GAAFET晶體管技術，對于三星來講，已經是第二代了，所以這一點沒什么可講的。

為了讓Exynos 2600表現更強一點，這次三星采用了10核超強CPU設計，一顆3.8GHz Cortex-C1 Ultra超級核，3顆3.25GHz Cortex-C1 Pro性能核，還有6顆2.75GHz Cortex-C1 Pro能效，據稱比上一代性能提升39%。

性能這么強，大家是不是擔心發熱大？畢竟之前在5nm上，三星就栽倒在了發熱上，所以這次三星的黑科技就是HPB技術（Heat Pass Block）

這個技術三星用在了HBM芯片中，其它就是一種新的3D封裝方式，讓一個銅基 HPB 散熱器，直接與處理器核心直接接觸，這樣能夠快速將產生的熱量排出來，達到降溫的目的。

三星稱，采用了這種HPB技術后，熱阻最多能降低16%，破解高端芯片散熱痛點。

事實上，目前不管是高通，還是聯發科、蘋果等廠商，都存在芯片越來越強，熱量越來越大，然后散熱越來越難的問題。

三星此前就已經表態了，如果讓三星來代工，HPB技術就會共享給高通、蘋果等廠商，可見三星就是希望用這種技術，以及拿出2nm芯片，來吸引高通、蘋果等的訂單。

接下來就看三星的這顆Exynos 2600芯片表現如何了，如果真的性能強，散熱還好，良率也高，那么未必不能挽回高通等的訂單。

所以現在壓力給到了臺積電了，如果不能從技術上碾壓三星，那么臺積電當前這種壟斷高端芯片的局勢，可能就會被打破了。