光刻機,絕對是芯片產業最為牽動敏感神經的設備。
原因是我們相比于國際頂尖水平,太落后了,和ASML相比的話,應該落后起碼有10年吧。
早幾天,ASML的CEO都稱,ASML賣給中國的光刻機,其實是相當于2014年左右的水平,落后了8代,就這樣的光刻機,都比中國本土的強。
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而光刻機是制造芯片必不可少的設備,ASML這樣卡脖子,已經嚴重影響到我們的芯片制造水平了。
所以大家期望國產光刻機能突破,特別是EUV光刻機突破,因為EUV光刻機,可以用于制造7nm以下芯片,ASML是被禁止賣給中國的。
在這樣的背景之下,一旦有什么EUV光刻機,或者能夠繞過EUV光刻機,制造5nm及以下芯片的技術出現,都能讓大家興奮。
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而近日,有媒體報道稱,日本企業DNP(日本印刷株式會社)宣布,研發出了線寬為10nm的NIL納米壓印機,而10nn的線寬,意味著相當于1.4nm級別的邏輯芯片了。
于是網友們炸鍋了,什么日本為何這么厲害,我們為何這么落后,什么日本的1.4nm這種“光刻機”會不會賣給我們之類的。
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當然,日本研發出這樣的NIL納米壓印技術,也并不是不可能,畢竟之前佳能也研發出了所謂的能夠制造5nm,甚至3nm芯片的NIL納米壓印機。
但如果認為它就是能夠制造1.4nm芯片,能夠替代EUV,那就大錯特錯了,別聽日本來吹牛了。
NIL和EUV是完全不同的路線,NIL類似于蓋章,先要雕刻一個母板,將芯片的電路圖刻到這個母板上,然后再將母板壓到硅晶圓上,于是電路圖就像蓋章一樣,蓋上去了,這就是所謂納米壓印的原因。
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母板與芯片的比例是1:1的,然后這么去印,損耗是非常大的,可能蓋個50次就得報廢,又得重新制造母板……蓋50次又報廢,又得重新制造。
所以納米壓印無法制造高精度的芯片,特別是復雜的邏輯芯片,幾乎就不太可能用它來制造。最多用于NAND、DRAM這樣的存儲芯片上。
其次,納米壓印的效率非常低,和EUV完全不是一個級別的對比。
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EUV制造掩模板時,可以不需要那么精細,因為光線可以放大,通常制造4:1比例的就行,同時光線照射掩膜版,不會直接接觸,一塊掩膜版,可以用幾千次才報廢。
所以納米壓印,是不可能取代EUV的,所謂的1.4nm納米壓印機,更多的還是吹牛,或許并不是廠商吹出來的,而是媒體吹出來的。
納米壓印,真的的用武之地,其實是實驗室,如果有一些先進芯片要制造,但又不可能搞出EUV生產線,成本太高了,且生產的量也小,用納米壓印,成本低,精度還行。
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按照DNP的說法,他們要力爭在 2030 財年,將納米壓印相關業務的營收,提升至 40 億日元(約 1.8 億元人民幣)。
你說說看,1.8億人民幣的收入,就能讓替代EUV么,制造1.4nm芯片么,一臺好一點的DUV光刻機,都是幾億人民幣,所以大家散了吧,看看就好,真正大規模的芯片制造,還是老老實實的研發EUV才是最靠譜的方案。
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