聽美國調(diào)遣的ASML開始后悔，兩任CEO公開表示：制裁中國是在自掘墳?zāi)梗袊厝挥修k法突破封鎖

散英魂寄千萬雄鷹翱翔神州，

盡智魄載十億慧芯呼喚華夏。

01

前沿導(dǎo)讀

ASML前CEO彼得·溫寧克，現(xiàn)任CEO克里斯托弗·富凱曾多次批評美國政府對中國市場的出口管制，并且表示美國的對華制裁完全是基于意識形態(tài)所發(fā)動的限制，沒有任何事實(shí)依據(jù)可以證明中國發(fā)展芯片產(chǎn)業(yè)會影響美國的國家安全。

與其對中國實(shí)施制裁，不如將目光放在本土技術(shù)的發(fā)展上面，試圖阻止中國根本沒有意義，中國必然會集中力量創(chuàng)造可替代的技術(shù)方案。

02

深入市場

自從美國對中國市場封鎖了EUV光刻機(jī)之后，從西方媒體到中國媒體，討論熱度最高的問題就是“中國落后幾代芯片制程？”、“國產(chǎn)EUV什么時候突破封鎖？”、“中國的芯片產(chǎn)業(yè)與國外有多少年差距？”

從客觀角度出發(fā)，中國的芯片制造業(yè)距離國際水平還有明顯差距，尤其是在前端的光刻機(jī)上面。我們的光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)起步時間并不短，但是在發(fā)展的過程中遲遲沒有注重自主化和商業(yè)化，過于信任全球化的產(chǎn)業(yè)體系，導(dǎo)致在關(guān)鍵時期被美國卡脖子。

盡管EUV光刻機(jī)被譽(yù)為人類工業(yè)領(lǐng)域最精密的儀器之一，可以制造7nm及以下工藝的先進(jìn)芯片，但是在全球芯片制造業(yè)每年制造的1億片12英寸晶圓當(dāng)中，EUV制造的芯片只有1%的總量占比，更多產(chǎn)品則是依賴于DUV光刻機(jī)制造的傳統(tǒng)成熟芯片。

成熟芯片是一切產(chǎn)業(yè)運(yùn)轉(zhuǎn)的基石，先進(jìn)芯片的研發(fā)也是建立在成熟芯片的技術(shù)基礎(chǔ)之上。

美國前幾年重點(diǎn)在先進(jìn)芯片領(lǐng)域?qū)χ袊髽I(yè)圍追堵截，盡管中國制造出了7nm芯片，但中國企業(yè)因此付出了巨大的經(jīng)濟(jì)代價。

為了平衡在先進(jìn)芯片領(lǐng)域投入的巨量資源，中國企業(yè)開始在成熟芯片領(lǐng)域擴(kuò)充產(chǎn)能，銷售成熟芯片所帶來的經(jīng)濟(jì)效益，可以直接補(bǔ)貼到先進(jìn)芯片的研發(fā)當(dāng)中，同時讓兩種芯片技術(shù)并行發(fā)展。

先進(jìn)設(shè)備的研發(fā)并不能一蹴而就，ASML為了解決EUV光刻機(jī)的問題，也是經(jīng)過幾十年的驗證才成功的。

據(jù)我國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會副理事長葉甜春表示，中國芯片產(chǎn)業(yè)在材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了較為明顯的國產(chǎn)化發(fā)展。12英寸45nm—28nm工藝所用材料的品種覆蓋率已超過70%，先進(jìn)存儲工藝所用材料品種覆蓋率超過75%，300mm大硅片也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對國內(nèi)FAB工廠主要工藝的全覆蓋。

在前端的光刻膠材料領(lǐng)域，早期的i線光刻膠市場占比已經(jīng)超過了20%，ArF干式光刻膠開始批量應(yīng)用，繼續(xù)推動成熟芯片的國產(chǎn)化替代。在193nm的KrF光刻膠產(chǎn)業(yè)中，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了10%的市場占有率，部分涉及到浸潤式技術(shù)的先進(jìn)材料開始小批量供應(yīng)，整個產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)步推進(jìn)當(dāng)中。

03

技術(shù)追趕

盡管美國在對華制裁上面已經(jīng)將封鎖擴(kuò)大到了單個設(shè)備，但是想要通過科技戰(zhàn)的方法壓制中國技術(shù)發(fā)展，這從根本上來說對于中美兩國的企業(yè)都沒有好處，反而還會迫使中國企業(yè)開發(fā)自主設(shè)備，摒棄進(jìn)口產(chǎn)品。

在全產(chǎn)業(yè)的制造設(shè)備上面，刻蝕機(jī)、沉積設(shè)備、清洗機(jī)均已經(jīng)具備國產(chǎn)化替代的能力，而最前端的光刻機(jī)設(shè)備依然是制約中國芯片發(fā)展的核心難題。

先進(jìn)光刻機(jī)并不是研發(fā)幾年就能立馬獲得成果，ASML能成功，最大因素就是具備全球頂尖法供應(yīng)鏈體系。光是激光系統(tǒng)，就涉及到激光器、錫液滴發(fā)生器、收集鏡三大工業(yè)技術(shù)。

這三大技術(shù)被美國的Cymer公司所攻克，ASML在后來收購了這家公司，在美國技術(shù)的基礎(chǔ)上開發(fā)設(shè)備，這也為美國長臂管轄提供了有利條件。

而中國自主的EUV設(shè)備，已經(jīng)布局了幾十年，并且取得了顯著的技術(shù)成果，但距離將自主技術(shù)應(yīng)用到商業(yè)化領(lǐng)域，還有很長的路要走。

據(jù)中國科學(xué)院長春光機(jī)所發(fā)布的資料顯示：

中國各大單位自上世紀(jì)90年代開始涉足EUV成像技術(shù)，2002年，長春光機(jī)所實(shí)現(xiàn)了國內(nèi)第一套EUV光刻原理裝置的研發(fā)，將整個技術(shù)邏輯實(shí)現(xiàn)了貫通。2008年，國家將EUV光刻技術(shù)列入重要攻關(guān)任務(wù)。2017年，國家科技重大專項組在長春光機(jī)所進(jìn)行了EUV光刻技術(shù)的項目驗收，在光源系統(tǒng)層面實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破。

參考資料： 中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所 http://ciomp.cas.cn/yw/201707/t20170704_7929594.html

該技術(shù)的突破，集合了中科院旗下多個研究所、哈爾濱工業(yè)大學(xué)、華中科技大學(xué)等多所高校的力量才得以實(shí)現(xiàn)。但這只是在光源系統(tǒng)的技術(shù)突破，除此之外還需要有對準(zhǔn)系統(tǒng)、高速晶圓臺、高精度反射鏡組、真空室等多個模塊單元。

每個模塊都需要單獨(dú)進(jìn)行開發(fā)，在所有的模塊環(huán)節(jié)開發(fā)完成之后，就需要將其拼裝成一個完全體的光刻機(jī)設(shè)備。在設(shè)備拼裝完成之后，就進(jìn)入到實(shí)驗階段。實(shí)驗階段需要反復(fù)對產(chǎn)品進(jìn)行調(diào)試，只有達(dá)到合格標(biāo)準(zhǔn)之后，才能被出售給相關(guān)企業(yè)制造芯片。

除此之外，國產(chǎn)設(shè)備還會面臨著跟其他設(shè)備的兼容度、跟制造材料的兼容度、內(nèi)部耗材的更替周期等多個問題，這些問題與芯片的制造效率息息相關(guān)，需要長時間的技術(shù)磨合。

如果說之前的中國芯片是慢步跟隨，那么現(xiàn)在的中國芯片就是悶頭狂奔。一切以自主技術(shù)的突破為導(dǎo)向，在有限的時間內(nèi)去解決遇到的問題，搶占芯片科技制高點(diǎn)。就算暫時拿不下制高點(diǎn)，也得想辦法讓中國芯片被卡脖子的風(fēng)險降到最低。

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