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最近一段時間,內存價格暴漲,不僅影響PC行業,智能手機行業也受到嚴重沖擊,成本和價格大幅上漲,引發了很多消費者的不滿和擔憂。
這主要是由于AI領域的市場需求強勁,全球主流存儲廠商將產能優先轉向高帶寬內存(HBM)以滿足AI加速器需求全球消費級 DRAM 和 NAND 市場正面臨結構性供給失衡所導致的。
那么,這一波內存短缺什么時候才能得到有效緩解?未來一兩年的情況如何?近日,十銓科技(TeamGroup)總經理陳柏儒對此發表了自己的看法,非常有參考價值。
陳柏儒透露,12月份DRAM和3D NAND的合約價環比漲幅高達 80%-100%,現貨市場走勢類似。
具體而言,16GB DDR5芯片現貨均價從9月20日的6.84美元飆升至11月19日的24.83美元,并于12月1日進一步上漲至27.2美元,這還不是當天交易的最高價格,當日交易區間為19美元至37美元。
最終的結果是,現在一個16GB DDR5內存的顆粒成本約為217.6 美元,再加上PCB板、組裝測試、電源管理芯片(PMIC)等 8-10 美元額外費用,不含物流、稅費及廠商溢價,總成本已攀升至 225-228美元。
有鑒于此,陳柏儒警告,一旦分銷渠道庫存耗盡,2026年第一、二季度DRAM與NAND供應短缺的問題將更加嚴峻,甚至有可能會出現有價無市的情況。
那么,這種局面什么時候能得到緩解呢?陳柏儒的看法是不會早于 2027年底,甚至可能延至2028年。
因為現階段主流DRAM廠商(三星、海力士和鎂光等)已將晶圓產能轉向HBM生產,后者晶粒尺寸更大,主要服務于英偉達B300 等AI加速器,以及亞馬遜云科技(AWS)、谷歌、微軟等云巨頭的定制芯片, 這些大客戶往往提前數年鎖定供貨,擠壓了消費級 DDR/LPDDR 的產能空間。
DRAM廠商會優先保障AI服務器客戶,預計2026年產能不會回流至 PC 或手機等領域。 另外一方面,新建晶圓廠周期漫長,一座全新內存廠至少需3年建成,即使三星等廠商,現在開始新建工廠,最早也要至2028年底投產,2029年方能滿負荷。
因此,總的來看,陳柏儒預測2028年左右可以獲得緩解仍然是偏樂觀的,未來仍然存在諸多不確定性因素。綜上所述,消費級內存供應緊張的問題在未來兩年之內很難得到緩解,將維持高位,指望短期內降價是不可能的。
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