內(nèi)存嚴(yán)重短缺，價(jià)格暴漲，何時(shí)可緩解？十銓陳柏儒：至少2027年底

最近一段時(shí)間，內(nèi)存價(jià)格暴漲，不僅影響PC行業(yè)，智能手機(jī)行業(yè)也受到嚴(yán)重沖擊，成本和價(jià)格大幅上漲，引發(fā)了很多消費(fèi)者的不滿(mǎn)和擔(dān)憂(yōu)。

這主要是由于AI領(lǐng)域的市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，全球主流存儲(chǔ)廠(chǎng)商將產(chǎn)能優(yōu)先轉(zhuǎn)向高帶寬內(nèi)存（HBM）以滿(mǎn)足AI加速器需求全球消費(fèi)級(jí) DRAM 和 NAND 市場(chǎng)正面臨結(jié)構(gòu)性供給失衡所導(dǎo)致的。

那么，這一波內(nèi)存短缺什么時(shí)候才能得到有效緩解？未來(lái)一兩年的情況如何？近日，十銓科技（TeamGroup）總經(jīng)理陳柏儒對(duì)此發(fā)表了自己的看法，非常有參考價(jià)值。

陳柏儒透露，12月份DRAM和3D NAND的合約價(jià)環(huán)比漲幅高達(dá) 80%-100%，現(xiàn)貨市場(chǎng)走勢(shì)類(lèi)似。

具體而言，16GB DDR5芯片現(xiàn)貨均價(jià)從9月20日的6.84美元飆升至11月19日的24.83美元，并于12月1日進(jìn)一步上漲至27.2美元，這還不是當(dāng)天交易的最高價(jià)格，當(dāng)日交易區(qū)間為19美元至37美元。

最終的結(jié)果是，現(xiàn)在一個(gè)16GB DDR5內(nèi)存的顆粒成本約為217.6 美元，再加上PCB板、組裝測(cè)試、電源管理芯片（PMIC）等 8-10 美元額外費(fèi)用，不含物流、稅費(fèi)及廠(chǎng)商溢價(jià)，總成本已攀升至 225-228美元。

有鑒于此，陳柏儒警告，一旦分銷(xiāo)渠道庫(kù)存耗盡，2026年第一、二季度DRAM與NAND供應(yīng)短缺的問(wèn)題將更加嚴(yán)峻，甚至有可能會(huì)出現(xiàn)有價(jià)無(wú)市的情況。

那么，這種局面什么時(shí)候能得到緩解呢？陳柏儒的看法是不會(huì)早于 2027年底，甚至可能延至2028年。

因?yàn)楝F(xiàn)階段主流DRAM廠(chǎng)商（三星、海力士和鎂光等）已將晶圓產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM生產(chǎn)，后者晶粒尺寸更大，主要服務(wù)于英偉達(dá)B300 等AI加速器，以及亞馬遜云科技（AWS）、谷歌、微軟等云巨頭的定制芯片， 這些大客戶(hù)往往提前數(shù)年鎖定供貨，擠壓了消費(fèi)級(jí) DDR/LPDDR 的產(chǎn)能空間。

DRAM廠(chǎng)商會(huì)優(yōu)先保障AI服務(wù)器客戶(hù)，預(yù)計(jì)2026年產(chǎn)能不會(huì)回流至 PC 或手機(jī)等領(lǐng)域。 另外一方面，新建晶圓廠(chǎng)周期漫長(zhǎng)，一座全新內(nèi)存廠(chǎng)至少需3年建成，即使三星等廠(chǎng)商，現(xiàn)在開(kāi)始新建工廠(chǎng)，最早也要至2028年底投產(chǎn)，2029年方能滿(mǎn)負(fù)荷。

因此，總的來(lái)看，陳柏儒預(yù)測(cè)2028年左右可以獲得緩解仍然是偏樂(lè)觀的，未來(lái)仍然存在諸多不確定性因素。綜上所述，消費(fèi)級(jí)內(nèi)存供應(yīng)緊張的問(wèn)題在未來(lái)兩年之內(nèi)很難得到緩解，將維持高位，指望短期內(nèi)降價(jià)是不可能的。

小編將在第一時(shí)間分享更多相關(guān)最新動(dòng)態(tài)和爆料，敬請(qǐng)關(guān)注。