適合PD快充次級側同步整流應用，英諾賽科推出多款低壓GaN

前言

氮化鎵自高壓領域率先進入消費級快充市場以來，憑借高擊穿場強、低導阻與高速開關特性，使充電器功率密度與效率實現了質的飛躍，產品體積較硅基方案縮小了一半以上，迅速成為“小體積快充”的代名詞。然而，相較于高壓GaN在AC-DC領域的全面普及，低壓氮化鎵在過去長期處于探索階段，受制于成本與驅動兼容性等因素，難以形成規模化應用。

近年來，隨產能提升及生態的完善，低壓GaN終于迎來發展拐點。為此，英諾賽科深度布局150V等級低壓氮化鎵器件矩陣，通過在多個層面的突破，為高頻電源應用帶來新的可能。

英諾賽科推出多款150V低壓氮化鎵

充電頭網了解到，英諾賽科目前推出五顆150V低壓氮化鎵單管，導阻覆蓋3.9~7mΩ，封裝提供FCQFN、En-FCQFN以及LGA三種封裝形式。

英諾賽科INN150FQ032A

英諾賽科推出的 INN150LA070A 是一款硅基氮化鎵，采用FCLGA 3.2×2.2封裝。該器件具備極低的7 mΩ導阻，能夠在高頻、高效率場景中顯著降低損耗，實現更高的功率密度與系統效率。憑借零反向恢復電荷特性，INN150LA070A 可在高速開關應用中提供更理想的EMI表現。

INN150LA070A適用于同步整流、Class-D音頻、PD快充、高頻DC-DC轉換器、通信基站以及電機驅動等領域。

英諾賽科INN150EQ032A

INN150EQ032A是一款由英諾賽科推出硅基氮化鎵，耐壓150V增強型氮化鎵，采用緊湊的En-FCQFN 4×6封裝。該器件基于氮化鎵E-mode，具備3.9 mΩ導阻與低柵極電荷，可在高頻、高效率的功率轉換場景中發揮優異性能。憑借其優良的性能表現，INN150EQ032 能有效減小系統損耗與體積，為高功率密度設計提供理想的開關器件選擇。

INN150EQ032A適用于同步整流、Class-D音頻、PD快充、高頻DC-DC轉換器、通信基站以及電機驅動等領域。

英諾賽科INN150FQ070A

英諾賽科推出的INN150FQ070A為硅基氮化鎵，采用緊湊的FCQFN 4×6封裝形式。該器件具備150V的耐壓能力，導阻為7 mΩ，具備極低的柵極電荷，在高頻、高效率電源設計中表現出色，能夠有效降低開關損耗并提升系統轉換效率。

該器件憑借超低導通損耗、極小封裝尺寸與優異的開關特性，INN150FQ070A適用于高頻 DC-DC 轉換器、PD快充、電信電源、太陽能微型逆變器及電機驅動等場景。

英諾賽科INN150EQ070A

英諾賽科INN150EQ070A是一顆耐壓150 V硅基的氮化鎵，采用En-FCQFN 4×6封裝，導阻7 mΩ，具備低柵極電荷特性，在高頻、高效率電源設計中表現出色，能夠有效降低開關損耗并提升系統轉換效率。

該器件憑借超低導通損耗、極小封裝尺寸與優異的開關特性，INN150EQ070A適用于高頻 DC-DC 轉換器、PD快充、電信電源及電機驅動等場景。

英諾賽科INN150LA070A

英諾賽科INN150EQ070A是一顆耐壓150 V硅基的氮化鎵，采用En-FCQFN 4×6封裝，導阻7 mΩ，具備低柵極電荷特性，在高頻、高效率電源設計中表現出色，能夠有效降低開關損耗并提升系統轉換效率。

該器件憑借超低導通損耗、極小封裝尺寸與優異的開關特性，INN150EQ070A適用于高頻 DC-DC轉換、D類音頻放大、電信電源及電機驅動等場景。

充電頭網總結

低壓氮化鎵正從實驗室與示范應用加速走向主流市場。其憑借更低的導通損耗、更高的開關頻率與更緊湊的封裝設計，正在廣泛滲透至PD快充、車充、電機驅動、音頻放大與通信電源等多元場景，推動電源系統效率與功率密度的雙重提升。隨著8英寸晶圓產線的產能穩步提升，低壓氮化鎵在未來有望加速在下一代電子產品中的滲透率。