江西
繼SiC MOSFET在新能源汽車主驅領域實現快速上量應用后，AI數據中心電源正成為其下一個爆發式增長市場。
近日，芯聯集成（688469.SH）發布全新碳化硅G2.0技術平臺，采用了8英寸更先進制造技術，已達到全球領先水平。
該技術平臺通過器件結構與工藝制程的雙重優化，實現“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標，全面覆蓋電驅與電源兩大核心應用場景，可廣泛應用新能源汽車主驅、車載電源及AI數據中心電源等廣闊市場。
在電驅領域，芯聯集成碳化硅G2.0電驅版憑借更低導通損耗與優異開關軟度，功率密度提升20%，可顯著增強新能源汽車主驅系統動力輸出與能效表現，為整車續航提升提供關鍵支撐。
電源場景中，芯聯集成碳化硅G2.0電源版針對性優化寄生電容設計，通過封裝優化強化散熱，開關損耗降低高達30%，兼具強化的動態可靠性設計，實現電源轉換效率與系統功率密度大幅提升，完美適配SST、HVDC等AI數據中心電源及車載OBC電源需求。
2024年，芯聯集成SiC MOSFET收入超10億元，今年預計仍將實現50%以上增長。隨著AI數據中心電源需求的增加，明年公司預計在該領域將實現更快增速發展。
芯聯集成此次發布的全新碳化硅G2.0技術平臺，核心參數及各類核心指標均實現對國際主流廠商最先進水平對標，進一步鞏固了自身技術領先地位。未來，該平臺將極大助力客戶把握新能源電氣化與AI算力建設雙重機遇，構建領先的差異化競爭優勢。
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