4月14日,美國商務部根據《貿易擴展法》第232條款,著手進行半導體生產設備進口調查,以評估其對國家安全的潛在影響。若調查結果顯示存在安全風險,當前的關稅政策或將面臨調整。此舉可能波及三星電子、SK海力士及美光科技等存儲芯片行業的領軍企業。
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業內人士將此次調查解讀為美國政府打算把半導體關稅范疇拓展至和半導體芯片有關的全供應鏈。有分析表示,在臺積電、三星電子、SK海力士等晶圓代工巨頭于美國設立生產基地并開展投資后,美國再度祭出“半導體全面關稅手段”,以此迫使半導體零部件及設備企業赴美設廠投資。
加征關稅自食惡果 三星提價向終端轉嫁危局
據韓媒《朝鮮日報》報道,三星的DRAM產能主要集中于韓國華城與平澤工廠。而其NAND Flash閃存的最大生產基地則是三星電子的西安工廠,該廠產能占比超過四成。至2024年,西安廠區的晶圓年產量達57萬片,占比高達44%。因此,一旦關稅政策有所調整,三星近四成的NAND Flash產能供應將直接受影響。
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據Tech in Asia知名媒體報道,美國持續的監管施壓導致半導體公司全球市場運營的合規成本上升及業務不確定性增加,這可能對企業的長期投資規劃產生不利影響。當前,三星正考慮加大對中國市場的投入,以期實現業績的新的增長點。2024年,中國市場為三星貢獻了31%的總銷售額,這在一定程度上得益于部分中國企業在美限制措施實施前對HBM芯片的大量儲備。
據韓國《Newsis》報道,2024年三星得益于拜登政府的《芯片法案》,投資170億美元在德克薩斯州泰勒市建廠。至去年底,泰勒工廠建設進度已近尾聲,達99.6%,進入設備交付階段。但設備進口往往于工廠建成后3-6個月內進行,關稅征收期或與之重疊。因此,泰勒工廠的投產時間已從2024年底推遲至2026年,兩年的投產空窗期難有收益,或將加劇三星業績下滑帶來的資金鏈壓力。
三星電子會長李在镕在3月17日發出警告,指出公司“失去內生動力,正處于生死存亡關頭”,并敦促高管“應對危機須全力以赴”。此番言論凸顯了三星當前內外交困的局面——AI芯片業務被英偉達和SK海力士超越,加之潛在的關稅影響,公司利潤空間正遭受進一步擠壓。
據悉,三星管理層正醞釀對全球主要客戶提升內存芯片價格,預計漲幅在3%-5%之間。三星方面宣稱,受市場需求激增推動,DRAM、NAND閃存及HBM等產品線的價格將持續攀升,并預測該上漲趨勢將延續至2025及2026年。然而,這看似合理的市場漲價背后,實則暴露了三星在成本壓力下的無奈選擇。鑒于DRAM作為三星的半壁江山,占全球市場份額34%,將成本壓力轉嫁給市場,讓消費者為漲價買單,成為了三星當前的權宜之計。
在此背景下,三星已著手推進漲價后的新合同磋商。此番提價,實為三星向終端市場轉移損失的一招棋。然而,此舉或將觸發市場的連鎖效應,不僅對終端消費者的購買支出造成影響,還可能為產業鏈上下游的供需格局與價格體系引入新的不確定性因素。
新簽游說企業難解困境,巨額游說終成徒勞無功
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面對當前日益復雜的國際貿易形勢,三星正積極尋找破局之道。根據美國參議院《游說披露法案》公布的信息,三星美國公司于3月17日與游說顧問公司Continental Strategy達成了新的合作,聚焦于通信、半導體等核心領域開展政策游說工作。引人矚目的是,Continental Strategy的合伙人凱蒂·威爾斯(Katie Wiles)與白宮高級官員蘇西·威爾斯(Susan Wiles)是直系親屬關系。
另外,美國參議院于1月22日公布的游說開支報告顯示,2024年三星公司在美國的政治游說投入達到了698萬美元的新高,這也創下了韓國企業在美游說花費的紀錄。在這筆巨額游說資金中,有很大一部分流向了對中國立場強硬的邁克·加拉格爾。加拉格爾曾多次向拜登政府施壓,主張進一步加大對中國半導體行業的限制力度,比如提議把中國的半導體頭部企業長鑫存儲等列入出口管制清單,并嚴格管控美國技術向這些中國企業的轉讓。
然而,2025年3月,美國總統川普突然宣布計劃廢除《芯片法案》,并取消對半導體企業的補貼政策。據英國《金融時報》報道,三星目前仍然難以贏得美國大客戶的支持。顯然,三星先前的游說努力和戰略部署似乎并未如愿以償,反而使其陷入了一個更為錯綜復雜的困局之中。
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