首爾中央地方法院4月22日表示,一名曾在三星電子任職的研究員因向一家中國企業泄露半導體技術,被判處七年監禁。法院認定,這名僅以姓氏對外公布的被告違反了《產業技術保護法》,其泄露的數據被界定為“國家核心技術”,且他系與他人共謀實施泄密行為。
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該名56歲的前研究員是韓國檢方去年起訴的10名嫌疑人之一,他們被指涉嫌向中國存儲芯片制造商長鑫存儲技術有限公司(CXMT)泄露存儲芯片制造工藝。韓方有關部門當時稱,該案幫助中國在開發高帶寬存儲器(HBM)方面“鋪平道路”,而HBM是人工智能計算的重要關鍵部件之一。三星電子對此拒絕發表評論,長鑫存儲則尚未就置評請求作出回應。
韓國聯合通訊社報道稱,這名研究員在離開三星電子后,與一名前三星高管一同投身長鑫存儲,并在此過程中向該公司提供了三星的DRAM工藝技術。據該社援引檢方消息人士的話稱,這名被告在六年間從長鑫存儲方面共計收取約29億韓元(約合196萬美元)報酬。首爾中央地方檢察廳在被路透社聯系時未能立即發表評論。
長鑫存儲去年表示,計劃通過在上海發行106億股股份進行首次公開募股,籌資295億元人民幣(約合43.3億美元)。該公司稱,募資所得將用于升級其生產線和相關技術,以擴大DRAM產能和提升工藝水平。報道同時援引當日匯率指出,1美元約合6.8204元人民幣,約合1477.45韓元。
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