突發(fā)利空，內(nèi)存條價格閃崩，谷歌放重磅利空，20個存儲芯片暴跌

最近一段時間做熱點的散戶好慘，昨天電力板塊集體暴跌，今天存儲芯片板塊也集體崩盤，截止目前20個存儲芯片股集體暴跌了，而這背后可能是一波周期結(jié)束了，因為內(nèi)存條價格閃崩，與此同時，谷歌也釋放了一個重磅利空，直接導(dǎo)致存儲芯片的邏輯徹底被扭轉(zhuǎn)了！

首先我們看看存儲芯片股的表現(xiàn)：

1. 超穎電子，暴跌8.11%

2. 金宏氣體，暴跌8.00%

3. 佰維存儲，暴跌7.63%

4. 雅克科技，暴跌7.66%

5. 香農(nóng)芯創(chuàng)，暴跌7.62%

6. 太極實業(yè)，暴跌7.10%

7. 兆易創(chuàng)新，暴跌6.88%

8. 炬光科技，暴跌6.77%

9. 華特氣體，暴跌6.50%

10. 國科微， 暴跌6.33%

11. 天華新能，暴跌6.29%

12. 萬潤科技，暴跌6.12%

13. 云漢芯城，暴跌5.39%

14. 雅創(chuàng)電子，暴跌5.35%

15. 柏誠股份，暴跌5.29%

16. 朗科科技，暴跌5.29%

17. 深圳華強，暴跌5.30%

18. 普冉股份，暴跌5.23%

19. 精智達， 暴跌5.18%

20. 北京君正，暴跌5.02%

存儲芯片股之所以暴跌，背后一個重磅原因是DDR5大降價，很多產(chǎn)品價格一天跳水超過20%。

2025年三星、美光、SK 海力士為追逐 HBM 高利潤，將大量產(chǎn)能轉(zhuǎn)向 AI 服務(wù)器內(nèi)存，消費級 DDR4/DDR5 供給銳減，全球 DRAM 庫存從 8–12 周安全線降至 3–4 周，價格瘋漲。2026 年 3 月，三大原廠 HBM 產(chǎn)線穩(wěn)定后產(chǎn)能回流消費級；同時長鑫存儲二期全面放量，DDR4 良率達 85%、成本較國際廠商低 15%–20%，國產(chǎn)產(chǎn)能爆發(fā)填補缺口。

全球 DRAM 庫存快速從 3–4 周飆升至 6–7 周，供需徹底反轉(zhuǎn)，廠商為清庫存被迫降價。

不僅僅如此，最近谷歌也釋放了一個重磅利空：

谷歌宣布放緩云與 AI 資本開支，疊加發(fā)布TurboQuant 內(nèi)存壓縮技術(shù)（可將大模型內(nèi)存占用減少 60%+），直接打擊市場對 AI 服務(wù)器存儲高增的核心預(yù)期。

消費需求被高價扼殺：此前內(nèi)存漲幅超 300%，16GB DDR5 從 180 元飆至 980 元，DIY 裝機銷量暴跌 60%+、筆記本銷量降 40.5%，終端完全失去承接力。

也就是說目前存儲芯片板塊，不僅僅面臨供應(yīng)端增加的量，還面臨需求端可能會減少的預(yù)期，這種情況下，導(dǎo)致內(nèi)存條價格崩盤了。