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3月31日消息,據報道,Rapidus總裁兼首席執行官小池淳義表示,正在加速推進先進制程技術的研發,目標是在1nm工藝節點上將與臺積電的技術差距縮小到大約6個月。
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據了解,臺積電的1.4nm和1nm工藝可能會率先部署在中國臺灣中部科學園區,名為Fab 25,預計投資約490億美元,計劃建設四座晶圓廠。
其中第一階段的兩座晶圓廠專門用于1.4nm工藝,預計2028年下半年量產,第二階段再推進到1nm工藝。傳聞臺積電將在1nm工藝節點首次使用High-NA EUV光刻機,相關開發工作預計在2030年前完成,并大約在2030年實現量產。
與此同時,Rapidus計劃今年開始開發1.4nm工藝,量產時間預計為2029年,有可能與三星的時間點較為接近。若要在1nm工藝上將與臺積電的差距縮小至6個月,意味著Rapidus很可能需要在2030年下半年至2031年之間進入量產階段。
Rapidus是由索尼、豐田、NTT、三菱、NEC、鎧俠和軟銀等八家日本企業于2022年成立的合資企業,旨在實現本地化先進半導體工藝的設計和制造。
目前,Rapidus已在日本北海道千歲市建造了創新集成制造工廠(IIM-1),目標是2027年量產2nm芯片。
此外,Rapidus還計劃在2027財年(2027年4月至2028年3月)開建第二座晶圓廠,并規劃更先進的1.4nm乃至1nm工藝。
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