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晶圓制造依舊占據投資主導,規模達2,558.7億元,占總投資32.6%。
根據CINNO IC Research最新統計數據顯示,2025年中國(含臺灣)半導體產業總投資額達7,841億元,同比增長17.2%。半導體設備、材料領域大幅增長,成為產業投資亮點,其余領域則隨產業發展階段呈現不同發展態勢。
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2025年中國(含臺灣)半導體產業投資項目分布情況,來源:CINNO?IC Research
2025年中國(含臺灣)半導體產業投資呈現明顯的結構性特征。具體到細分領域,晶圓制造依舊占據投資主導,規模達2,558.7億元,占總投資32.6%,但受成熟制程投資飽和影響,較去年同期微降0.1%;半導體材料領域投資1,713.0億元,占比21.9%,同比大幅增長59.6%,投資結構持續優化,高端材料領域占比顯著提升;芯片設計領域投資1,979.3億元,占比25.2%,同比增長9.2%,穩步發展;封裝測試領域投資774.0億元,占比9.9%,同比下降7.0%。半導體設備領域投資816.2億元,同比激增100.2%,成為唯一實現翻倍增長的領域,凸顯其在產業自主化中的核心地位。
作為對比,CINNO Research此前統計,2024年中國(含中國臺灣)半導體產業項目投資總額6831億人民幣;2025年上半年,中國半導體產業(含中國臺灣)總投資額為4550億元。
長三角是中國吸納半導體資金最多的地區。2025年中國大陸23個省市(含直轄市)的半導體投資分布高度集中,前五大區域匯聚了57.4%的資金。上海市以728.2億元投資、13.8%的占比領跑全國,成為半導體投資核心集聚區;江蘇省701.1億元投資、13.3%的占比緊隨其后;安徽省(11.5%)、廣東省(11.1%)、浙江省(7.8%)分列三至五位。
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2025年中國(含臺灣)半導體產業投資項目地域分布情況,來源:CINNO?IC Research
這一高度集中的投資格局,源于三大核心因素:
- 一是長三角地區產業積淀深厚,江蘇省在晶圓制造、封裝測試領域形成完整產業鏈,配套優勢顯著;
- 二是政策資源傾斜,上海、北京等核心城市通過專項基金、人才政策形成制度優勢,吸引資金與企業集聚;
- 三是區域協同效應凸顯,以上海為龍頭的長三角半導體產業生態圈已顯現規模效應,資源配置效率持續提升。
設備,逆勢高增
中國半導體設備投資的逆勢翻倍增長,本質是外部技術封鎖倒逼下的自主創新突圍戰。在剛剛舉辦的2026全球半導體產業戰略峰會 (ISS) :SEMI產業創新投資論壇 (SIIP China)上,清華教授魏少軍也分析了地緣政治對全球半導體產業鏈的影響。他坦言,盡管“逆全球化”趨勢仍在持續,但實際影響并未達到部分人的預期。在這場博弈中,中國半導體產業并未被打壓、停滯,反而崛起成為全球產業中至關重要的一極,且產業升級速度持續加快
CINNO Research觀點基本類似,認為美國的技術管制,在限制中國獲取先進設備的同時,徹底激活了本土半導體設備的創新動能,推動產業走出了政策、市場、技術協同驅動的發展路徑。
從政策層面來看,國家大基金與地方專項基金精準發力;從市場需求來看,國內晶圓廠擴建潮與國產化替代政策形成聯動;從技術突破來看,中微半導體、北方華創等企業在刻蝕、薄膜沉積等關鍵設備領域躋身國際先進行列,國產化替代進程持續提速。
SEMI數據顯示,全球晶圓廠產能已向中國轉移。過去二十年,中國大陸晶圓制造產能占全球比重實現三級跳:2000-2020年全球晶圓廠產能向中國轉移,2000年中國晶圓產能占比僅為2%,2010年提升至9%,2020年達到17%。2030年中國大陸晶圓產能將占全球三分之一。其中在22—40納米主流制程節點,中國大陸產能增速最快,2026年占比將達到37%,2028年有望達到42%,占據主導地位。
根據SEMI預測,到2028年,全球預計將新建108座晶圓廠,其中北美16座、歐洲8座、亞洲8 座,而中國大陸將新建47座,占比突出。
材料,高增且高端化
CINNO IC Research統計數據顯示,2025年半導體材料領域59.6%的高速增長,且投資呈現明顯的技術升級特征。第三代半導體材料(SiC/GaN)成為投資焦點,以286.5億元的投資規模位居細分領域榜首,占材料領域總投資16.7%。硅片領域獲得264.4億元投資,占比15.4%,位居第二;電子特氣領域投資156.9億元,占比9.3%,位居第三。
第三代半導體材料,又稱寬禁帶半導體材料,是指禁帶寬度在2.3電子伏特(eV)以上的半導體材料。這類材料主要包括碳化硅、氮化鎵、金剛石、氧化鎵和氧化鋅等。寬禁帶材料對電動汽車、工業與能源領域電氣化至關重要,業內人士此前曾表示,中國第三代半導體已從產能擴張階段進入車規級產品認證階段,中國在這些領域已具備強勢地位,極有可能推動本土生態建設。
CINNO Research評價稱,作為全球最大半導體消費市場,中國走出了獨具特色的發展路徑,美國的出口管制雖在短期內制約了先進技術的獲取,卻意外激活了國內設備、材料領域的創新動能,推動本土企業加速突破 28nm 以下制程設備、第三代半導體材料等關鍵技術瓶頸。2025年產業轉型成效顯著,半導體設備國產化水平穩步提升,SiC襯底在全球市場的份額實現明顯增長,為后續發展筑牢了堅實根基。
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