一. 驅(qū)動邏輯
2月19日,存儲巨頭三星電子股價再創(chuàng)歷史新高;此前有報道稱,其正就HBM4定價進(jìn)行談判,價格將較上一代HBM3高出至多30%。
韓國KB證券指出,2026年以來,內(nèi)存短缺程度進(jìn)一步加劇,主要客戶訂單滿足率僅為60%;AI數(shù)據(jù)中心客戶占據(jù)了三星內(nèi)存出貨量的70%。
花旗、晨星、摩根大通等研究機(jī)構(gòu)均預(yù)測,存儲芯片短缺狀況將持續(xù)至2027年。
二. 存儲分類
存儲是電子系統(tǒng)中用于保存、讀取數(shù)據(jù)的硬件載體;按掉電后數(shù)據(jù)是否保留,分為RAM、ROM兩大類。
1.1 RAM(易失性存儲)
特點(diǎn):依賴持續(xù)供電,掉電后數(shù)據(jù)完全丟失;讀寫速度極快,適配系統(tǒng)臨時數(shù)據(jù)緩存與高速計算。
(1)SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲器):無需周期性刷新、密度低、讀寫速度極快,主要用于CPU高速緩存。
(2)DRAM (動態(tài)隨機(jī)存儲器):需周期性刷新、密度高、速度中等,主要用于系統(tǒng)主內(nèi)存。
1.2 ROM(非易失性存儲)
特點(diǎn):斷電后數(shù)據(jù)保留,讀寫速度較慢,適配數(shù)據(jù)持久化存儲;當(dāng)前主流為Flash存儲器(閃存)。
(1)NAND Flash:密度高,主要用于固態(tài)硬盤等大容量場景。
(2)NOR Flash:隨機(jī)讀取速度快,適合代碼執(zhí)行,主要用于存儲代碼。
三. 兩大主流存儲芯片
3.1 DRAM(內(nèi)存顆粒)
DRAM是系統(tǒng)主存的絕對主流,針對不同場景優(yōu)化帶寬、功耗、延遲、體積等參數(shù),主流分類:
(1)DDR SDRAM(標(biāo)準(zhǔn)DDR):通用型標(biāo)準(zhǔn),俗稱內(nèi)存顆粒,用于臺式機(jī)、服務(wù)器;當(dāng)前主流DDR5。
(2)LPDDR(移動DDR):針對移動設(shè)備優(yōu)化、低功耗,用于手機(jī)、平板、IoT設(shè)備;當(dāng)前主流LPDDR5。
(3)GDDR(圖形DDR):針對圖形渲染優(yōu)化,用于顯卡顯存;當(dāng)前主流GDDR6。
(4)HBM(高帶寬內(nèi)存):針對高帶寬并行計算優(yōu)化,用于AI訓(xùn)練/推理;當(dāng)前主流HBM3/HBM3E。
3.2 NAND Flash(閃存顆粒)
NAND Flash是大容量存儲的絕對主流,讀寫性能優(yōu)異、容量大、成本低;主要用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲、移動存儲等場景。
按存儲單元密度,主要分為SLC、MLC、TLC、QLC、PLC五大類(一至五層單元)。
四. 集成化載體:存儲模組
存儲模組是將存儲顆粒(DRAM/NAND Flash)、被動元件、PCB、接口等部件集成在一起的模塊化產(chǎn)品,并提供標(biāo)準(zhǔn)化接口,實(shí)現(xiàn)即插即用。
(1)DRAM模組(內(nèi)存條):系統(tǒng)主存,包括UDIMM(用于臺式機(jī)、筆電)、RDIMM/LRDIMM(用于服務(wù)器)。
(2)固態(tài)硬盤(SSD):容量大、讀寫速度快,用于臺式機(jī)、服務(wù)器。
(3)嵌入式存儲:體積小、功耗低,用于汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、手機(jī)、平板。
(4)移動存儲:便攜可插拔,用于U盤、移動硬盤、 SD卡。
五. 產(chǎn)業(yè)鏈廠商
5.1 存儲芯片設(shè)計
(1)內(nèi)存(DRAM):兆易創(chuàng)新、北京君正、瀾起科技。
(2)閃存(NAND/NOR Flash):東芯股份、普冉股份、聚辰股份。
5.2 存儲模組
(1)海外:三星、鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、金士頓。
(2)國內(nèi):江波龍、佰維存儲、香農(nóng)芯創(chuàng)、德明利、協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)。
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