全球存儲荒繼續(xù)上演，存儲芯片全景梳理

一. 驅(qū)動邏輯

2月19日，存儲巨頭三星電子股價再創(chuàng)歷史新高；此前有報道稱，其正就HBM4定價進(jìn)行談判，價格將較上一代HBM3高出至多30%。

韓國KB證券指出，2026年以來，內(nèi)存短缺程度進(jìn)一步加劇，主要客戶訂單滿足率僅為60%；AI數(shù)據(jù)中心客戶占據(jù)了三星內(nèi)存出貨量的70%。

花旗、晨星、摩根大通等研究機(jī)構(gòu)均預(yù)測，存儲芯片短缺狀況將持續(xù)至2027年。

二. 存儲分類

存儲是電子系統(tǒng)中用于保存、讀取數(shù)據(jù)的硬件載體；按掉電后數(shù)據(jù)是否保留，分為RAM、ROM兩大類。

1.1 RAM（易失性存儲）

特點(diǎn)：依賴持續(xù)供電，掉電后數(shù)據(jù)完全丟失；讀寫速度極快，適配系統(tǒng)臨時數(shù)據(jù)緩存與高速計算。

（1）SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）：無需周期性刷新、密度低、讀寫速度極快，主要用于CPU高速緩存。

（2）DRAM （動態(tài)隨機(jī)存儲器）：需周期性刷新、密度高、速度中等，主要用于系統(tǒng)主內(nèi)存。

1.2 ROM（非易失性存儲）

特點(diǎn)：斷電后數(shù)據(jù)保留，讀寫速度較慢，適配數(shù)據(jù)持久化存儲；當(dāng)前主流為Flash存儲器（閃存）。

（1）NAND Flash：密度高，主要用于固態(tài)硬盤等大容量場景。

（2）NOR Flash：隨機(jī)讀取速度快，適合代碼執(zhí)行，主要用于存儲代碼。

三. 兩大主流存儲芯片

3.1 DRAM（內(nèi)存顆粒）

DRAM是系統(tǒng)主存的絕對主流，針對不同場景優(yōu)化帶寬、功耗、延遲、體積等參數(shù)，主流分類：

（1）DDR SDRAM（標(biāo)準(zhǔn)DDR）：通用型標(biāo)準(zhǔn)，俗稱內(nèi)存顆粒，用于臺式機(jī)、服務(wù)器；當(dāng)前主流DDR5。

（2）LPDDR（移動DDR）：針對移動設(shè)備優(yōu)化、低功耗，用于手機(jī)、平板、IoT設(shè)備；當(dāng)前主流LPDDR5。

（3）GDDR（圖形DDR）：針對圖形渲染優(yōu)化，用于顯卡顯存；當(dāng)前主流GDDR6。

（4）HBM（高帶寬內(nèi)存）：針對高帶寬并行計算優(yōu)化，用于AI訓(xùn)練/推理；當(dāng)前主流HBM3/HBM3E。

3.2 NAND Flash（閃存顆粒）

NAND Flash是大容量存儲的絕對主流，讀寫性能優(yōu)異、容量大、成本低；主要用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲、移動存儲等場景。

按存儲單元密度，主要分為SLC、MLC、TLC、QLC、PLC五大類（一至五層單元）。

四. 集成化載體：存儲模組

存儲模組是將存儲顆粒（DRAM/NAND Flash）、被動元件、PCB、接口等部件集成在一起的模塊化產(chǎn)品，并提供標(biāo)準(zhǔn)化接口，實(shí)現(xiàn)即插即用。

（1）DRAM模組（內(nèi)存條）：系統(tǒng)主存，包括UDIMM（用于臺式機(jī)、筆電）、RDIMM/LRDIMM（用于服務(wù)器）。

（2）固態(tài)硬盤（SSD）：容量大、讀寫速度快，用于臺式機(jī)、服務(wù)器。

（3）嵌入式存儲：體積小、功耗低，用于汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、手機(jī)、平板。

（4）移動存儲：便攜可插拔，用于U盤、移動硬盤、 SD卡。

五. 產(chǎn)業(yè)鏈廠商

5.1 存儲芯片設(shè)計

（1）內(nèi)存（DRAM）：兆易創(chuàng)新、北京君正、瀾起科技。

（2）閃存（NAND/NOR Flash）：東芯股份、普冉股份、聚辰股份。

5.2 存儲模組

（1）海外：三星、鎧俠、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、金士頓。

（2）國內(nèi)：江波龍、佰維存儲、香農(nóng)芯創(chuàng)、德明利、協(xié)創(chuàng)數(shù)據(jù)。

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