中國突破性新材料：稀缺度超稀土百倍，引領半導體革命

中國在半導體領域不斷發力，氧化鎵作為第四代材料脫穎而出。全球鎵產量每年只有五百噸左右，中國控制九成八的低純度產能，比稀土三十萬噸年產量稀缺百倍。

商務部和海關總署從2023年8月1日開始，對鎵鍺相關產品實施出口許可，出口商需提交用戶和用途證明。這直接回應西方芯片限制，西方企業庫存緊張，歐洲港口鎵價一個月漲四成三。日本回收廢料支撐產能，但六成原料仍靠中國進口。

西方國家起初低估管制影響，美國地質局數據顯示，他們依賴進口維持雷達生產。兩年過去，到2025年，替代鏈條仍未成型，美國從退役裝備回收鎵，成本高企。中國海關記錄顯示，2025年前10個月，對美鎵鍺出口為零。歐洲半導體廠延誤生產，全球供應鏈調整加速。管制措施強調軍民兩用屬性，確保資源用于合法領域，不針對特定國家，但實際打擊了依賴鏈。

2024年12月3日，商務部升級公告，原則上不許鎵鍺銻超硬材料對美出口，對石墨實施嚴格審查。這回應美國芯片禁令，銻進口美國超六成來自中國。

2025年11月9日，管制暫停至2026年11月27日，允許非軍事用途恢復出口。市場價格回落，但多元化趨勢加強。西方投資回收技術，美國銻價漲三倍多。中國通過這些步驟維護資源安全，推動產業升級。

氧化鎵禁帶寬度達四點八至四點九電子伏特，高于碳化硅的三點二，提升高壓承受力。巴利加優值是碳化硅十倍，導通電阻低，能量轉換效率高。

損耗僅硅千分之一，適合新能源汽車功率模塊，充電時間縮短至分鐘級。軍事雷達用氧化鎵組件，探測距離

遠，在干擾環境下穩定。相比第三代材料，氧化鎵在高壓場景表現更好，適用于電動車升級或戰機系統。

中國科研團隊推動氧化鎵晶體生長。杭州鎵仁半導體二零二五年三月五日推出全球首顆八英寸單晶，用自主鑄造法。從二零二二年二英寸起步，每年升級尺寸，到二零二五年實現八英寸。鑄造法工藝簡便，成本低，便于放大，與現有硅基生產線兼容。浙江大學杭州國際科創中心孵化成果，提供技術支持。中國電科四十六所二零二三年制備六英寸單晶，專注軍工。

西安郵電大學陳海峰團隊在八英寸硅片上生長高質量外延層，解決散熱難題。北京銘鎵半導體掌握大尺寸晶體，對標國際。二零二五年一月，鎵仁用垂直布里奇曼法實現四英寸導電摻雜，提升多樣性。十二月，上海光機所與杭州富加鎵業合作，用導模法首次制備八英寸晶體，提高穩定性。這些機構協作，推動實驗室向產業轉化。

到2026年，中國氧化鎵產能覆蓋全球需求大部分。富加鎵業建六英寸生產線，年產萬片。銘鎵推出多規格襯底，首發四英寸產品。國內企業擴大投資，成本降至碳化硅幾分之一。原材料鎵全球產量五百噸，中國占比九成八，產業鏈完整。管制后，西方資源短缺，中國企業創新加速，占據市場主導。

中國掌控鎵資源和氧化鎵技術，改變半導體格局。西方需重構供應鏈，成本上升。中國擴大產能，應用于新能源汽車和軍工，實現主導。未來，氧化鎵將推動產業升級，西方技術壁壘減弱，中國話語權增強。