AI時代存儲“超級牛市”降臨？透視A股存儲核心產業鏈掘金邏輯

隨著AI算力需求爆發式擴容，全球存儲芯片行業正邁入一輪遠超傳統周期的“超級牛市”。

這輪行情并非短期庫存波動催生的階段性反彈，而是下游需求爆發、供給結構優化與產業鏈國產化浪潮共振催生的結構性景氣周期，直接驅動DRAM、NAND Flash及HBM等核心產品價格持續飆升。A股存儲芯片產業鏈各環節企業訂單飽滿、業績彈性持續兌現，已然成為資本市場當下的核心主線之一。

近日，多家存儲芯片企業率先披露2025年業績預告，交出超預期答卷。其中，德明利（001309.SZ）預計2025年歸母凈利潤同比增幅達85.42%～128.21%，佰維存儲（688525.SH）同期扣非凈利潤同比增幅更是超10倍，業績爆發力凸顯。但在行業繁華表象之下，新一輪技術迭代與周期波動的博弈已悄然拉開帷幕。

行業景氣度：AI驅動超級周期，

供需缺口奠定漲價基礎

從市場規模來看，存儲芯片是集成電路領域的核心賽道。據世界半導體貿易統計協會（WSTS）統計，2024年全球存儲芯片市場規模達1655億美元，占集成電路整體市場規模的31%。據市場研究機構Omdia和WSTS的數據，DRAM是當前市場規模最大的存儲芯片，2024年全球DRAM市場規模達976億美元，占存儲芯片市場規模的比例約為59%，占據主導地位。

需注意的是，DRAM行業具有較其他半導體產品更為突出的強周期性特征，核心驅動因素為市場供需波動。一方面，供給端調整存在天然滯后性，廠商雖會依據下游需求變化制定產能策略，但新建產線的產能爬坡需耗時多個季度，全新晶圓廠從資本投入到產能釋放更是長達數年，極易引發供需階段性錯配；另一方面，行業供給端高度集中，頭部廠商壟斷絕大部分市場份額，行業整體資本開支節奏趨同，新增或縮減產能的決策往往同步落地，進一步放大了行業的周期波動，形成了傳統周期中“去庫存—漲價—擴產—產能過剩—跌價”的經典波動規律。

而本輪存儲行業周期與傳統周期存在本質區別，已擺脫庫存主導的被動波動模式，進入由AI產業浪潮驅動的主動增長周期。AI催生的剛性需求構成核心引擎，疊加國際大廠向HBM、DDR5等高端產能戰略性傾斜、新增產能釋放滯后形成的供給端結構性收縮，形成“需求爆發+供給優化”的雙向共振，正式開啟AI時代的存儲超級周期。

這一周期轉型特征也體現在市場價格的階段性走勢中。據光大證券研報，受全球宏觀經濟環境影響，2024年第三季度起全球存儲價格進入逐季下滑通道，并在2025年第一季度觸及階段性低點；但同期在AI浪潮下，全球高效能推理服務需求大幅增長，傳統大容量HDD率先供不應求，云服務提供商（CSP）紛紛將存儲需求轉向QLC Enterprise SSD，其外溢效應帶動NAND Flash全品類價格上漲，也為DRAM市場的后續回暖奠定了市場基礎。

在供給端，DRAM行業已形成寡頭壟斷格局，三星（SAMSUNG）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）三家頭部廠商主導全球DRAM市場；NAND Flash市場同樣呈現高度集中態勢，除上述三家企業外，閃迪（SanDisk）、鎧俠（KIOXIA）等少數廠商共同占據市場主導地位。2024年起，隨著AI芯片技術的持續迭代升級，單一芯片可搭載的高帶寬存儲器（HBM）容量大幅增長，三大頭部廠商均開啟產能結構性調整，將核心產能向HBM、DDR5等高端產品傾斜，同時加速退出消費級、工業級DDR4產能，推動行業整體供給結構向高端化加速集中，中低端供給端收縮態勢顯著。

需求端則呈現多場景共振發力的格局，持續驅動DRAM需求爆發式增長，供需缺口進一步擴大。其中，AI服務器成為需求核心拉動力，疊加全球數據中心建設持續提速，算力端對高性能DRAM的需求穩步攀升；消費電子領域開啟存儲配置升級浪潮，AI PC內存標配提升至32GB、AI手機內存標配升級至16GB，直接帶動消費級DRAM需求回暖復蘇；與此同時，智能網聯汽車滲透率持續提升，車規級DRAM在車載系統、自動駕駛等場景的應用需求快速放量。多重需求場景的協同放量，共同構筑起存儲行業價格上行的核心支撐。

反映到細分產品價格預測上，據TrendForce集邦咨詢測算，2026年第一季度存儲產品價格將延續上漲態勢，NAND Flash產品價格預計上漲33%～38%，一般型DRAM價格漲幅更為顯著，預計達到55%～60%。

產業鏈受益圖譜：四大環節業績兌現，

標的分化明顯

2.1存儲模組與主控芯片：業績彈性之王，自研主控企業領跑

在存儲漲價潮的價值傳導鏈條中，存儲模組廠商作為成品直接面向終端的核心環節，成為價格上漲紅利的“第一承接者”，業績彈性尤為突出。而具備自研主控芯片能力的企業，憑借對核心技術的掌控，既能通過供應鏈協同優化成本，又能依托定制化產品獲取溢價，在行業景氣周期中實現利潤率與營收的雙重跳升，成為模組賽道的領跑者。

佰維存儲作為國內少數打通“存儲芯片封裝測試+模組制造”環節的企業，核心產品覆蓋嵌入式存儲、PC存儲、車規存儲、企業級存儲和移動存儲，并推出了自主研發的首款國產主控芯片SP1800（eMMC）。據業績預增公告，受益于存儲產品價格上升，該公司預計2025年營收同比增長49.36%～79.23%，歸母凈利潤同比暴增427.19%～520.22%，扣非凈利潤同比增長1034.71%～1243.74%，業績增速位居行業前列，全產業鏈布局的優勢在漲價周期中充分釋放。

江波龍（301308.SZ）同樣憑借自研主控芯片的核心競爭力脫穎而出，產品體系涵蓋消費級存儲（存儲卡、U盤）、工業級存儲（嵌入式eMMC/UFS）、AI服務器存儲模組（SOCAMM），形成“主控+模組”的垂直整合優勢。據2025年三季報，該公司第三季度歸母凈利潤達6.98億元，同比增長近20倍，創下單季業績新高，自研主控芯片帶來的成本控制能力與AI服務器模組的放量，成為業績爆發的核心驅動力。

德明利則聚焦細分高景氣賽道，掌握了主控芯片研發核心技術,產品涵蓋固態硬盤類、嵌入式存儲類、內存條類及移動存儲類四大系列，已廣泛應用于數據中心、手機、車載電子、平板、安防監控等多元應用場景。據業績預增公告，受益于存儲產品漲價，該公司2025年營收同比增長115.82%～136.77%，歸母凈利潤同比增長85.42%～128.21%，為業績增長提供了支撐。

2.2存儲芯片設計：利基市場+國產化雙輪驅動，高毛利賽道價值凸顯

在存儲行業的結構性景氣周期中，利基型存儲的持續缺貨疊加車規、工業等高端領域的國產化提速，成為存儲芯片設計環節的核心增長引擎。憑借技術研發與產品認證構筑的高壁壘，設計企業不僅收獲顯著的毛利率優勢，更依托各細分賽道的差異化布局實現業績穩健增長，成為國產存儲突圍的核心力量。

兆易創新（603986.SH）聚焦NOR Flash與利基型DRAM兩大核心賽道，核心產品覆蓋NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM及MCU芯片，在消費電子、工業、通信、汽車電子等領域實現了全品類覆蓋。公告顯示，2024年，其NOR Flash產品市占率位列全球第二、中國內地第一，市場地位穩固，充分受益于細分領域的結構性缺貨與國產化紅利。2025年，該公司預計營業收入同比增長約25%，歸母凈利潤同比增長約46%。

聚辰股份（688123.SZ）構建了EEPROM、NOR Flash、電源管理芯片的多元化產品矩陣，擁有配套DDR2/3/4/5內存模組的全系列SPD芯片、TS芯片產品組合，其EEPROM芯片全面覆蓋車規級、消費級、工業級應用場景，是公司核心業績支柱。2025年前三季度，該公司歸母凈利潤同比增長51.33%，車規級產品的放量成為業績增長的新動能。

北京君正（300223.SZ）主要產品線覆蓋計算芯片、存儲芯片、模擬與互聯芯片等，其存儲芯片分為SRAM、DRAM和Flash三大類別，主要面向汽車、工業、醫療等行業市場及高端消費類市場。2025年前三季度，該公司歸母凈利潤同比下滑15.99%，利潤呈階段性承壓態勢。

東芯股份（688110.SH）是國內少數同時具備利基型DRAM、NAND Flash、NOR Flash全品類設計能力的企業，其中DRAM產品包括DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4x、PSRAM，主要應用于物聯網、工業控制、消費電子等領域。據業績預告，2025年，該公司營業收入預計同比增長約43.75%，歸母凈利潤虧損將同比擴大4.10%～28.03%，盈利端面臨較大壓力。

普冉股份(688766.SH)深耕中小容量非易失性存儲芯片領域，專注NOR Flash+EEPROM雙賽道，覆蓋工業控制、消費電子等細分場景。2025年前三季度，該公司營業收入同比增長4.89%，維持小幅增長態勢；歸母凈利潤同比下滑73.73%，利潤下滑幅度較為明顯。2026年1月26日晚，普冉股份披露2025年業績預告，全年營收預計同比增長28.63%，歸母凈利潤同比下滑29.89%，降幅較第三季度大幅收窄。

2.3封測與分銷：產能紅利+庫存重估雙加持，業績彈性超預期

伴隨長鑫存儲、長江存儲等國內存儲晶圓廠的加速擴產，存儲封測環節迎來實打實的產能紅利，訂單量與產能利用率持續走高；而存儲分銷商則憑借行業周期判斷與庫存管理能力，充分享受芯片漲價帶來的庫存重估收益，成為本輪存儲超級周期中低調的“隱形贏家”。封測與分銷兩大環節，均在產業趨勢加持下展現出超預期的業績彈性。

封測環節：綁定頭部晶圓廠，先進封裝技術突破兌現業績

封測作為存儲芯片制造的關鍵環節，國內企業依托與國內外頭部晶圓廠的深度合作，在產能配套與先進封裝技術上持續突破，成為存儲擴產浪潮的核心受益者，產能利用率維持高位，業績穩步釋放。

深科技（000021.SZ）主要從事電子制造供應鏈服務，旗下存儲半導體業務為高端存儲芯片的封裝與測試，主要產品包括DRAM運存（DDR4/DDR5）、LPDDR低功耗運存（LPDDR4/LPDDR5）、NANDFLASH閃存（SSD顆粒）及嵌入式存儲（uMCP/UFS）。2025年前三季度，深科技的營業收入同比增長3.93%，歸母凈利潤同比增長14.27%。

此外，長電科技（600584.SH）、通富微電（002156.SZ）、華天科技（002185.SZ）作為綜合封測領域的頭部標桿企業，在AI需求引爆的存儲超級周期下，訂單量與產能利用率持續走高，業績彈性顯著，同時受益于國產存儲晶圓廠擴產帶來的長期成長紅利。其中，通富微電業績表現尤為亮眼，該公司預計2025年歸母凈利潤同比增長62.34%～99.24%，彰顯出封測企業在行業景氣周期中的強勁盈利動能。

分銷環節：庫存重估釋放紅利，分銷+自研雙輪驅動增長

存儲分銷環節背靠全球存儲供應鏈，在芯片價格上行周期中，渠道庫存的重估成為核心業績增量，頭部分銷商憑借與原廠的長期合作關系、完善的分銷網絡及動態庫存調配能力，充分捕捉行業紅利，部分企業更疊加自研業務突破，進一步提升盈利水平。

香農芯創（300475.SZ）是國內專業的存儲芯片分銷商，同時布局自研業務形成協同，與SK海力士等頭部存儲廠商建立長期代理合作關系，可通過動態庫存調配精準捕捉漲價周期紅利。2025年第三季度末，該公司的存貨金額高達18.13億元。受益于存儲芯片價格持續上行實現顯著的庫存重估收益，2025年，該公司預計歸母凈利潤同比增長81.77%～134.78%，在本輪存儲漲價周期中充分兌現業績彈性。

2.4上游設備與材料：擴產+技術升級雙輪驅動，長期成長邏輯確立

隨著長鑫存儲、長江存儲的產能持續擴張，疊加HBM堆疊、3D NAND層數提升等存儲技術的迭代升級，高端半導體設備與材料的市場需求被持續激活。作為存儲產業鏈的核心配套環節，上游設備與材料企業雖受行業擴產節奏影響，業績兌現節奏相對較慢，但依托國產替代的硬性需求與技術升級的持續拉動，行業長期成長的確定性已然夯實。

北方華創（002371.SZ）是國內半導體設備領域的平臺型龍頭，在邏輯、存儲及先進封裝等領域不斷實現技術突破，核心產品覆蓋刻蝕、薄膜沉積、熱處理、濕法、離子注入等核心工藝裝備。2025年前三季度，該公司營業收入同比增長32.97%，歸母凈利潤同比增長14.83%，國產化下的訂單紅利持續兌現。

中微公司（688012.SH）是全球刻蝕設備領域的核心玩家，更是國內刻蝕設備龍頭，核心產品涵蓋刻蝕、薄膜沉積等設備。2025年半年報顯示，該公司的ICP刻蝕設備在涵蓋邏輯、DRAM、3DNAND、功率和電源管理、微電機系統等芯片和器件的50多個客戶的生產線上大規模量產。2025年，該公司預計營業收入同比增長36.62%，歸母凈利潤同比增長28.74%～34.93%。

核心觀點：結構性超級景氣延續，

產業鏈迎估值盈利雙升

此輪存儲行業漲價并非傳統周期的簡單反彈，而是AI算力爆發催生的結構性超級景氣周期。在此背景下，國內存儲產業鏈憑借漲價紅利傳導、核心技術突破、國產化提速三大核心優勢，正同步迎來盈利端的實質性改善與估值端的重塑。

不過，投資者需理性警惕潛在風險：一是AI需求落地進度不及預期，可能導致存儲芯片需求下修；二是國際大廠2027年新增產能逐步釋放，或引發行業供需格局重構與價格回調；三是地緣政治沖突可能影響高端設備、核心材料進口，制約國產存儲擴產與技術迭代節奏；四是部分模組廠商消費級產品庫存高企，若消費電子需求復蘇乏力，可能面臨庫存消化壓力。

責任編輯 | 陳斌