突傳內(nèi)存“閃崩” ！？

近兩日，國內(nèi)市場流傳“內(nèi)存價(jià)格閃崩”的消息，引發(fā)資本市場與產(chǎn)業(yè)鏈高度關(guān)注。

在北美市場，部分存儲(chǔ)龍頭企業(yè)股價(jià)出現(xiàn)高位回調(diào)，疊加渠道端報(bào)價(jià)松動(dòng)的傳聞，使得“周期拐點(diǎn)提前”的討論迅速升溫。

不過，多方調(diào)研顯示，當(dāng)前內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格確有小幅回調(diào)跡象，但幅度相對有限，尚未形成行業(yè)層面的系統(tǒng)性下跌。

部分細(xì)分品類甚至出現(xiàn)階段性“補(bǔ)漲”行情。

渠道商普遍反饋，市場炒作情緒有所降溫，但整體供需結(jié)構(gòu)并未出現(xiàn)根本性逆轉(zhuǎn)。

從市場結(jié)構(gòu)看，本輪“閃崩”傳聞更多集中在渠道現(xiàn)貨市場，而非原廠合約市場。

業(yè)內(nèi)人士指出，春節(jié)前渠道商普遍存在庫存管理與現(xiàn)金流回籠需求，報(bào)價(jià)短期波動(dòng)屬常規(guī)現(xiàn)象。

此外，部分終端客戶階段性觀望，也會(huì)在節(jié)前壓制成交活躍度。但這與產(chǎn)業(yè)層面的供給失衡存在本質(zhì)區(qū)別。

從全球供給端來看，三大存儲(chǔ)原廠 Samsung Electronics、SK海力士、Micron Technology 目前仍維持相對審慎的產(chǎn)能策略。

尤其在 AI 算力需求帶動(dòng)下，HBM 等高端產(chǎn)品線成為重點(diǎn)投放方向，傳統(tǒng) DRAM 與 NAND 產(chǎn)能擴(kuò)張節(jié)奏仍處于可控區(qū)間。

供給側(cè)未出現(xiàn)明顯放量跡象，是業(yè)內(nèi)判斷“難以出現(xiàn)閃崩”的重要依據(jù)。

需求側(cè)方面，AI 服務(wù)器、高性能計(jì)算以及數(shù)據(jù)中心擴(kuò)張仍構(gòu)成結(jié)構(gòu)性支撐。DDR5 滲透率持續(xù)提升，疊加 HBM 持續(xù)緊缺，推動(dòng)高端存儲(chǔ)產(chǎn)品維持相對堅(jiān)挺。部分低規(guī)格產(chǎn)品出現(xiàn)報(bào)價(jià)松動(dòng)，更可能是結(jié)構(gòu)性價(jià)格再平衡，而非全面周期反轉(zhuǎn)。

值得注意的是，北美資本市場對存儲(chǔ)股的高位調(diào)整，也在一定程度上放大了市場情緒。

此前受 AI 敘事驅(qū)動(dòng)，存儲(chǔ)板塊估值已顯著修復(fù)。短期獲利盤兌現(xiàn)疊加節(jié)前謹(jǐn)慎情緒，使得“閃崩”表述在輿論層面迅速擴(kuò)散。但從基本面角度看，目前尚未出現(xiàn)庫存重新大幅累積或原廠主動(dòng)降價(jià)搶份額的跡象。

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