存儲產值，有望攀升至晶圓代工2倍以上

預期存儲器產值增幅仍將優于晶圓代工產值。

根據TrendForce最新數據顯示，受惠于AI浪潮的推升，存儲器與晶圓代工產值均將在2026年同步創下新高。存儲器產業受供給吃緊與價格飆升影響，產值規模大幅擴張至5,516億美元。盡管晶圓代工產值同步創下2,187億美元的新高紀錄，但存儲器產值規模已攀升至晶圓代工的2倍以上。

值得一提的是，上一次存儲器超級循環落在2017-2019年，主要由云端數據中心建置需求所驅動，存儲器產值當時也與晶圓代工拉開了顯著差距。

然而與前一次相比，此次由AI需求驅動的缺貨狀況更為全面。AI產業重心由模型訓練轉向大規模推理應用，更強調實時響應能力與數據存取效率，帶動服務器端對高容量、高帶寬DRAM的需求持續擴大，單機搭載容量亦同步提升。

根據Counterpoint最新數據顯示，2026年第一季度迄今，存儲器價格環比上漲 80%-90%，迎來史無前例、創紀錄的暴漲。本輪漲價的核心推手為通用型服務器 DRAM 價格的大幅攀升。此外，去年第四季度表現相對平穩的 NAND 閃存，在一季度同樣同步大漲 80%-90%。疊加部分 HBM3e 產品價格走高，存儲器市場各細分品類均呈現全線飆漲態勢。

以服務器級存儲器為例，64GB RDIMM 的合約價已從第四季度的 450 美元固定價，飆升至一季度的 900 美元以上，且有望在第二季度突破 1000 美元關口。

分析師指出，“存儲器行業盈利水平有望創下歷史新高。2025年第四季度，DRAM 營業利潤率已達 60% 區間，通用型 DRAM 利潤率首次超越 HBM。2026 年第一季度，DRAM 利潤率將首度突破歷史峰值。”

另一方面，客戶的需求也已顯著改變，不同于過去以終端客戶為主，此次搶貨潮由CSP（云端服務供應商）拉動，不僅采購量成指數級成長，對價格的敏感度相對低，使得價格漲幅同樣超越前一次超級循環，并創下新紀錄。

美國最大的四家科技公司，Alphabet、亞馬遜、Meta 和微軟預計2026年的資本支出總額將達到約6500億美元。這筆令人咋舌的巨資將被用于新建數據中心以及維持其運行所需的各種設備清單，包括人工智能芯片、網絡電纜和備用發電機。

據悉，這些公司今年的預估支出都將創下過去10年中任何一家單一公司資本支出的最高紀錄。這些不斷膨脹的數字，總額較一年前估計增長了60%，意味著全球范圍內的數據中心建設浪潮將再次加速。

而晶圓代工雖然也受惠于AI芯片的強勁訂單，但其產值成長幅度相較存儲器的成長軌道平緩，原因主要在于產業結構與定價機制。

從晶圓代工產能結構來看，盡管先進制程單價高昂，驅動整體產業近年持續成長，然而受限于極高的技術門檻與資本支出，供應商呈現高度寡占，導致產能規模無法輕易擴張，在這一情況下，即便單價驚人，先進制程對整體產值貢獻的仍不及相對疲弱的成熟制程市場。成熟制程約占整體晶圓代工產能的70%~80%，而先進制程僅占約20%~30%。此外，晶圓代工產業的代工屬性與合約制度，也使其定價的波動性相對于存儲器產業低，無論是漲價或跌價皆較不易出現相當劇烈的狀況。

在臺積電、三星兩大廠逐步減產的背景下，AI相關Power IC需求穩健成長，加上消費產品擔憂下半年IC成本提高、產能遭排擠而提前備貨，除了中國大陸晶圓廠八英寸產能利用率自2025年已先回升至高水位，其他區域業者也已接獲客戶上修2026年訂單，產能利用率同樣上調，代工廠因此積極醞釀漲價。

2025年12月24日，中芯國際正式向下游客戶發布漲價通知，明確對8英寸BCD工藝代工提價約10%。隨后中國臺灣晶圓廠世界先進迅速跟進，同款工藝漲價幅度同樣達到10%，形成明確的行業聯動。

近日有報道稱，三星電子晶圓代工部門正推動部分制程的價格上調，調價對象為4納米與8納米制程，漲幅預計在10%左右。三星電子晶圓代工近期已向核心合作伙伴告知部分制程存在調價可能，正針對需求集中的制程研究漲價方案。某設計公司負責人表示：“近期有消息稱，三星晶圓代工部分制程產能已趨緊張，業務一線層面已在溝通漲價事宜。”

三星電子晶圓代工業務正逐步進入產能利用率恢復階段。得益于尖端及主力工藝整體晶圓投入量的增加，預計虧損幅度將較去年有所收窄。預計今年上半年三星電子晶圓代工廠的平均產能利用率將達到 60% 左右。這一水平較去年下半年的50%左右，上升了約10個百分點。不過，業界分析認為，三星電子代工事業部若想扭虧為盈，產能利用率需超過80%。

據悉，三星電子將晶圓代工業務部將盈利轉折點設定在2027年，熟悉該事項的高層人士透露：“三星不僅公布了2027年內實現盈虧平衡的經營目標，還共享了未來主要材料及零部件的需求展望。” 另一位知情人士透露：“據悉三星還設定了2027年銷售額實現20%市場份額的目標。”

若是從產能角度來看，晶圓代工與存儲器的產值差距也將持續加大。TrendForce指出，這也與其產能擴增的差異相關。其中產品標準化程度是關鍵原因之一，存儲器廠主要生產規格統一的標準化產品，產品組合相對單純；反觀晶圓代工廠，成熟制程的晶圓代工廠需處理從28nm到90nm等多樣化的產品組合。其次則是存儲器產品的光罩層數通常少于邏輯芯片。因此，存儲器產業在資本支出轉化為實際產出的效率上，顯著優于純晶圓代工廠。

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