聯手安森美，挑戰英飛凌，英諾賽科如何攪動氮化鎵棋局？

【摘要】半導體行業的競爭已演化為生態與體系的綜合較量。

近期，英諾賽科管理層自愿鎖倉與持續股份回購的內部動作，以及其與安森美（onsemi）簽署諒解備忘錄的外部合作，共同勾勒出這家中國氮化鎵（GaN）IDM企業多線并進的戰略圖景。

一邊，董事長承諾長期持有股份，公司持續回購用于激勵，彰顯了從核心層到骨干團隊對公司技術路徑與市場前景的堅定信心。

另一邊，與系統集成及渠道能力突出的國際大廠安森美聯手，意在補強短板，共同開拓工業、汽車等高階市場。與此同時，與行業巨頭英飛凌的專利交鋒仍在繼續，為其全球化之路增添變數。

內部定力、外部借力與知識產權壓力并存，英諾賽科正在復雜局面中尋求突破。這場多維度的競賽將如何影響氮化鎵乃至功率半導體的未來格局？

以下是正文：

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攻堅號角：管理層鎖倉與股份回購并行

近期，英諾賽科發布了兩則公告，旨在向行業和企業內部，宣告自身對于公司基本面和未來發展的堅定信心。

2026年1月22日，英諾賽科發布自愿性公告，公司董事長兼執行董事駱薇薇博士自愿承諾，自即日起未來12個月內，不減持其直接及間接持有的共計約1.55億股公司股份。

公告指出，此舉基于對公司長遠投資價值的充分認同。

在公告中，公司進一步強調了氮化鎵技術在新能源汽車、數據中心、工業儲能等關鍵領域的廣闊市場前景，認為管理層此舉有利于公司持續、穩定、健康發展。

同日另一份公告顯示，公司2025年股份獎勵計劃的受托人已于1月21日從市場進一步購入126萬股H股，總代價約7952.5萬港元，用于員工激勵。

這已是該計劃自實施以來多次從市場回購股份，體現了公司通過股權激勵綁定核心人才、共享成長紅利的決心。

一系列動作表明，面對廣闊的市場機遇，英諾賽科正試圖在外部產業協作與內部治理激勵上同步發力，為未來的競爭夯實基礎，吹響市場攻堅的號角。

02

內部透視：英諾賽科的氮化鎵之路

值得關注的是，英諾賽科于2024年12月已在港交所上市，發行價30.86港元，募資總額14.63億港元，募資凈額13.64億港元，基石投資者包括STHK、江蘇國企混改基金、東方創聯、蘇州高端裝備，共認購1億美元。

這些實力雄厚的基石投資者的加持，不僅為英諾賽科上市提供了穩定的資金支持，也彰顯了資本市場對氮化鎵賽道及公司技術實力與發展潛力的高度認可。

根據英諾賽科的2025上半年財報顯示，公司2025年上半年營收達5.53億元，較上年同期的3.86億元增長43.4%，這一增長主要得益于氮化鎵應用領域的持續拓展以及客戶需求的快速攀升。

從業務板塊來看，各細分領域表現分化且亮點突出，其中，氮化鎵分立器件及氮化鎵集成電路業務表現強勁。

氮化鎵上半年所得收益為2.07億元，較上年同期的1.38億元增長49.9%，背后是電動汽車、數據中心、工業等領域應用場景的不斷拓展，越來越多客戶選擇采用氮化鎵方案。

氮化鎵模塊業務更是實現爆發式增長，收益達2.36億元，較上年同期的1.07億元增長121.7%，這源于公司與客戶深化合作以及產品的持續迭代升級。

形成對比的是，氮化鎵晶圓業務收益有所下滑，為1.08億元，較上年同期的1.39億元減少22.2%，公司為更好滿足客戶對系統集成產品的需求，將部分晶圓訂單轉化為分立器件與集成電路訂單，英諾賽科的業務戰略調整持續進行中。

盈利方面，英諾賽科2025年上半年毛利為3785萬元，而去年同期為8324萬元的毛虧損，毛利率也從去年同期的-21.6%提升至6.8%，整體向好。這一改善主要得益于其收入提升帶來的生產規模效應釋放，有效降低了成本。

總體而言，盡管英諾賽科仍處于虧損狀態，但虧損幅度明顯收窄，2025年上半年期內虧損4.29億元，較上年同期的4.88億元收窄12.2%。

成本支出方面，英諾賽科研發投入持續增加，上半年研發成本為 1.62 億元，較上年同期的 1.45 億元增長 11.5%，為拓展產品應用領域而加大的研發投入，彰顯了其對技術創新的重視。

資金狀況上，截至2025年6月30日，公司現金及現金等價物為14.25億元，較2024年12月31日的15.25億元略有下降；貸款及借款總額為24.95億元，較2024年12月31日增加5.71億元，增加的貸款主要用于支持公司擴大生產規模。

03

合作交鋒：安森美、英飛凌與英諾賽科

2025年，安森美半導體與英諾賽科共同宣布簽署諒解備忘錄，計劃在40-200V GaN功率器件領域展開深入合作。

根據協議，雙方將結合安森美在系統集成、封裝技術與全球渠道方面的優勢，以及英諾賽科在GaN制造工藝與規模化生產方面的經驗，共同為工業、汽車、消費電子、人工智能數據中心等市場提供高效、高性價比的GaN解決方案。

從技術布局來看，這是一場典型的優勢互補。

安森美此前已在碳化硅（SiC）領域深耕多年，并于2025年11月正式推出了基于垂直氮化鎵（vGaN）技術的產品，但其在硅基GaN領域的布局相對有限。

而英諾賽科作為國內領先的GaN IDM企業，專注于硅基GaN的工藝研發與大規模制造，在成本控制和產能爬坡方面具備顯著優勢，但在工業等高門檻市場的系統級整合能力和國際客戶網絡方面仍有提升空間。

通過這次合作，安森美有望快速補全其在GaN中低壓產品線的空白，尤其是在消費電子、輕型電動車等快速增長市場；英諾賽科則能借助安森美的全球渠道與系統設計能力，將產品導入更高階的工業與汽車應用，加速實現從消費級市場向工業級市場的跨越。

幾乎在同一時期，英飛凌與英諾賽科之間的專利糾紛仍在進行。

2025年12月，英飛凌發新聞稿稱，美國國際貿易委員會（ITC）初步裁定英諾賽科侵犯了英飛凌一項GaN技術專利。與此同時，英諾賽科也發布資源公告稱，與英飛凌的訴訟案取得了勝利。

在雙方的公告中，二者均只公布了對自己有利的部分。

美國ITC初步裁定英諾賽科侵犯了英飛凌的US 9,899,481專利，同時認定英飛凌US 9,899,481和US 9,070,755專利有效，但并未認定英諾賽科侵犯了英飛凌的US 9,070,755專利。

根據程序，ITC預計于2026年4月2日發布最終裁決；若維持原判，英諾賽科相關產品可能被禁止進入美國市場。

這場專利交鋒的背后，實質上是GaN市場主導權的競爭。

隨著GaN技術在快充、數據中心、汽車電子等領域的應用不斷拓展，核心技術專利成為企業參與全球競爭的重要籌碼。

對英諾賽科而言，專利訴訟可能對其全球化戰略，尤其是對美國市場的拓展構成一定挑戰。

這也反映出，中國半導體企業在快速提升制造能力與市場份額的同時，仍需在核心專利布局與國際知識產權規則適應方面持續加強。

04

產業展望：協作深化與未來可能性

從市場前景看，GaN在中低壓應用領域具備顯著的增長潛力。

根據Yole Group預測，氮化鎵（GaN）功率器件市場預計將從2024年的3.55億美元快速增長至2030年的29億美元，復合年增長率有望達42%。

尤其在人工智能數據中心、輕型電動汽車、消費快充等場景中，GaN的高頻、高效特性將持續推動電源系統向更緊湊、更節能的方向發展。

安森美與英諾賽科的合作，折射出功率半導體行業正從單一技術路線競爭向多技術平臺協作演進。

安森美依托其在SiC和vGaN等領域的技術積累，致力于構建覆蓋硅、碳化硅、氮化鎵的完整功率解決方案；英諾賽科則通過制造優勢與外部協作，逐步提升其在系統級應用與市場滲透方面的能力。

值得關注的是，雙方在碳化硅領域的布局仍是未定之局，安森美在SiC上持續投入但面臨行業競爭，英諾賽科則尚未涉足該領域。

未來是否會通過技術授權、聯合研發甚至產業鏈投資等方式進一步深化協作，尤其是圍繞SiC與GaN的協同發展，將成為行業觀察的重點。

從行業風險與競爭格局來看，英諾賽科面臨多重挑戰。

競爭層面，國際上英飛凌加速擴建8英寸GaN產線、德州儀器推進12英寸GaN工藝以壓低成本，國內華潤微、士蘭微憑借功率器件積累與之競爭，Navitas也在推進8英寸技術遷移，削弱其工藝優勢。

風險上，當前英諾賽科存在現金流壓力，2025年上半年現金及等價物14.25億元，上半年營業總成本約10億元，且新增貸款后貸款總額到達24.95億元，若產能消化不及預期將加重負擔。同時與英飛凌、EPC的專利訴訟尚未落幕，可能影響全球化布局。

不過，英諾賽科在2023年憑借全球最大8英寸GaN量產基地及42.4%的全球市占率穩居全球第一，仍在競爭中占據優勢，若能持續自內優化成本、對外化解專利風險，未來仍可拭目以待。

05

尾聲

英諾賽科的故事，正在多個層面同時展開。

從內部看，管理層的鎖倉承諾與面向核心團隊的股權激勵，構成了穩固的信心基石，旨在凝聚共識，為長遠發展蓄力。從財報看，營收的快速增長與虧損的顯著收窄，顯示了其業務在市場上的強勁勢頭和健康的改善軌跡。

從外部合作看，與安森美的攜手是一次典型的優勢互補，旨在打通從制造優勢到系統應用與全球市場的關鍵環節。

然而，與英飛凌的專利糾紛猶如達摩克利斯之劍，時刻提醒著全球半導體競爭的殘酷性——知識產權是必須跨越的壁壘。

因此，英諾賽科的未來，不僅取決于其制造工藝與成本控制能力，更取決于其能否將內部信心轉化為持續的創新與市場突破，能否借外部合作真正提升系統級能力，并最終在知識產權領域構建起自己的護城河。

內部定力、外部借力與知識產權壓力，這三股力量交織作用的結果，將決定英諾賽科能否在廣闊的氮化鎵藍海中，從重要的參與者成長為真正的領航者。