性能大幅優于HBM！英特爾推全新內存，或重返DRAM

英特爾正依托當前持續旺盛的動態隨機存取存儲器（DRAM）市場需求，與軟銀旗下子公司達成合作，推出全新的ZAM內存技術。

英特爾ZAM內存模組：憑創新互連與EMIB技術實現更高能效

今年，人工智能基礎設施建設迎來全面爆發期，在超大規模數據中心運營商和芯片制造商的需求驅動下，DRAM的市場需求呈爆發式增長。更關鍵的是，全球內存核心供應商數量有限，當前該領域的供應鏈瓶頸問題極為突出，這也讓新競爭者的入局成為行業剛需——據悉，英特爾正瞄準這一機遇，在內存業務板塊開辟全新賽道。有消息稱，英特爾將與軟銀旗下的Saimemory聯手，研發名為Z型角度內存（Z-Angle Memory，ZAM）的全新行業標準。

據悉，ZAM內存技術的研發工作，最早啟動于美國能源部（DoE）發起的先進內存技術（AMT）項目，英特爾也正是在該項目中，首次對外展示了其自研的“下一代”DRAM鍵合技術。軟銀發布的官方公告中，并未具體明確ZAM內存的市場定位，但結合英特爾已公開的DRAM鍵合技術細節來看，ZAM大概率會采用交錯式互連拓撲結構：在芯片堆疊內部以對角線方式布設連接線路，而非傳統技術中垂直直連的設計。

英特爾高管在談及下一代DRAM鍵合技術時表示：“傳統內存架構已無法適配人工智能的發展需求，下一代DRAM鍵合技術（NGDB）開創了全新的技術路徑，將推動行業邁入下一個十年。我們正重新思考DRAM的架構設計邏輯，從底層推動計算機系統架構的升級，力求實現性能的數量級提升，并將這些創新成果融入行業通用標準?！?/p>

通過Z型角度的互連設計，英特爾能將硅片面積的絕大部分高效用于存儲單元的布局，從而實現更高的存儲密度，同時降低器件熱阻。從英特爾DRAM鍵合技術的現有設計思路來看，ZAM內存還將采用銅-銅混合鍵合技術，該技術可實現芯片層間的高效融合，打造出類單片式的硅晶片模塊，而非傳統技術中相互獨立的堆疊結構。此外，據悉ZAM內存將采用無電容設計，英特爾會通過嵌入式多芯片互連橋接技術（EMIB），實現該內存與人工智能芯片的高效互連。

軟銀與英特爾合作研發ZAM內存，最終也將實現對內存堆疊技術的自主掌控。這款技術或將率先搭載于軟銀自研的定制化專用集成電路（ASIC），比如Izanagi系列芯片，這也將讓軟銀在芯片架構布局上掌握更強的主導權。目前尚無具體數據披露ZAM內存相較高帶寬內存（HBM）的實際性能提升幅度，但Z型角度的互連設計，能為ZAM帶來更優的能效和更高的存儲密度，最終實現芯片的更高層數堆疊。

整體來看，ZAM內存對比傳統HBM內存的核心優勢體現在三方面：

1.功耗降低40%至50%；

2.依托Z型角度互連技術，大幅簡化芯片制造流程；

3.單芯片存儲容量提升，最高可達512GB。

事實上，這并非英特爾首次涉足DRAM領域。該公司曾專門布局DRAM業務，但在1985年，受日本廠商的激烈競爭沖擊，英特爾的DRAM市場份額大幅下滑，最終選擇退出該領域。而如今，內存市場的發展紅利為企業創造了巨大的發展機遇，英特爾的ZAM內存能否在行業中站穩腳跟、掀起變革，成為了行業關注的焦點。而想要實現這一目標，英特爾的關鍵一步，便是說服英偉達這類行業龍頭企業，在其產品中集成ZAM技術。

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