鉆石散熱技術(shù)成為AI算力爆發(fā)關(guān)鍵，瑞為新材金剛石散熱技術(shù)前景廣闊

近日，英偉達(dá)CEO黃仁勛的一場(chǎng)會(huì)面引爆半導(dǎo)體圈——與河南超贏鉆石科技董事長(zhǎng)朱艷輝深度洽談，核心直指鉆石銅散熱、第四代半導(dǎo)體、Vera Rubin芯片三大方向。與此同時(shí)，英偉達(dá)在2026年國(guó)際消費(fèi)電子展（CES）早已明確官宣：英偉達(dá)下一代Vera Rubin架構(gòu)GPU，將全面采用“鉆石銅復(fù)合散熱+45℃溫水直液冷”全新方案。

巨頭的密集動(dòng)作，早已釋放清晰信號(hào)：AI算力狂飆的時(shí)代，傳統(tǒng)銅散熱已觸頂物理極限，鉆石銅復(fù)合散熱，正成為高端芯片突破“發(fā)熱墻”的唯一密鑰。而在這場(chǎng)由英偉達(dá)引領(lǐng)的芯片散熱革命中，芯片系統(tǒng)性熱管理解決方案提供商——南京瑞為新材料科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“瑞為新材”）早已躬身布局，以自主可控的硬科技，成為適配英偉達(dá)新一代芯片需求的核心力量。

算力炸場(chǎng)背后，英偉達(dá)的“散熱焦慮”有解了

隨著AI大模型、云計(jì)算的迭代提速，芯片算力與功耗同步飆升。英偉達(dá)新一代Vera Rubin GPU堪稱“算力巨獸”——搭載第三代Transformer引擎，采用SoIC三維垂直堆疊先進(jìn)封裝，晶體管數(shù)量達(dá)3360億個(gè)，單芯片功耗最高突破2300W，芯片散熱壓力較前代呈幾何級(jí)增長(zhǎng)。

傳統(tǒng)銅散熱早已不堪重負(fù)：滿負(fù)荷運(yùn)行10分鐘核心溫度就觸達(dá)110℃過熱閾值，氧化老化導(dǎo)致3-5年就需更換，且熱脹冷縮特性無(wú)法貼合3納米級(jí)精密芯片，縫隙漏熱、漏電風(fēng)險(xiǎn)突出。這也是黃仁勛為何頻頻聚焦鉆石銅散熱的核心原因——金剛石（即鉆石）作為第四代半導(dǎo)體材料，熱導(dǎo)率高達(dá)2000-2200W(m·k)，銅的熱導(dǎo)率約為380~400W(m·k)，兩者結(jié)合創(chuàng)造出熱導(dǎo)率高達(dá)950W(m·k)的復(fù)合材料，遠(yuǎn)超傳統(tǒng)封裝材料約200W(m·k)的水平。這一材料的核心優(yōu)勢(shì)在于其高導(dǎo)熱率與可調(diào)的熱膨脹系數(shù)，能夠與半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)良好匹配，顯著降低芯片工作過程的熱應(yīng)力。

英偉達(dá)的布局早已落地：率先采用鉆石散熱技術(shù)的GPU實(shí)驗(yàn)，AI及云計(jì)算性能提升3倍，溫度降低60%，能耗降低40%；Vera Rubin GPU搭載的鉆石銅復(fù)合散熱方案，更是實(shí)現(xiàn)“局部核心極致散熱+全局液冷高效控溫”的雙重突破。

瑞為新材：精準(zhǔn)適配英偉達(dá)，國(guó)產(chǎn)鉆石散熱硬實(shí)力出圈

當(dāng)英偉達(dá)全力押注鉆石銅散熱，瑞為新材早已憑借多年技術(shù)積淀，實(shí)現(xiàn)了與巨頭需求的同頻共振——作為新一代高導(dǎo)熱材料創(chuàng)新者及芯片系統(tǒng)性熱管理解決方案提供商，瑞為新材聚焦芯片散熱領(lǐng)域，深耕金剛石/金屬?gòu)?fù)合材料研發(fā)生產(chǎn)，破解了國(guó)外技術(shù)封鎖，成為國(guó)內(nèi)首家實(shí)現(xiàn)該類材料批量供貨的企業(yè)，其核心產(chǎn)品可適配英偉達(dá)Vera Rubin GPU、H200等高端芯片的散熱需求。

能精準(zhǔn)對(duì)接英偉達(dá)，源于瑞為新材不可替代的三大核心優(yōu)勢(shì)，更源于產(chǎn)品與英偉達(dá)散熱方案的“天生契合”：

優(yōu)勢(shì)一：核心技術(shù)突破，破解鉆石銅復(fù)合“卡脖子”難題

鉆石與銅的“不相容”的世界性難題，曾是制約鉆石銅復(fù)合材料產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵——就像水滴落在荷葉上無(wú)法浸潤(rùn)，兩者結(jié)合難度極大。其次，金剛石復(fù)合材料硬度較高，因此加工質(zhì)量差，其次鋁-鋁硅熔點(diǎn)差異大、封裝難度高。瑞為新材團(tuán)隊(duì)歷經(jīng)近3年攻關(guān)，獨(dú)創(chuàng)新型制造工藝和配方，突破多梯度一體化制造技術(shù)，成功實(shí)現(xiàn)金剛石與銅的牢固結(jié)合，其研發(fā)的鉆石銅復(fù)合材料，熱導(dǎo)率550~950W/(m·K)區(qū)間，熱膨脹系數(shù)5.5~7.5（10-6/K）(20~100℃)，能夠滿足芯片的高導(dǎo)熱需求。

優(yōu)勢(shì)二：全系列產(chǎn)品迭代，精準(zhǔn)匹配英偉達(dá)散熱方案

依托南京航空航天大學(xué)的產(chǎn)學(xué)研資源，瑞為新材從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)已推出三代核心產(chǎn)品，精準(zhǔn)匹配行業(yè)需求，并尋求更加深度化合作：

平面載片類產(chǎn)品：超薄規(guī)格可精準(zhǔn)貼合英偉達(dá)GPU核心，實(shí)現(xiàn)“零距離”導(dǎo)熱，解決芯片核心“局部高燒”問題，應(yīng)對(duì)1000W/cm2以上的熱流密度，同時(shí)具備優(yōu)異的電絕緣性，避免芯片漏電風(fēng)險(xiǎn)，相較于傳統(tǒng)銅散熱片，耐用性提升275%~300%，可使芯片溫升降低20℃-30℃，兼顧輕量化與高導(dǎo)熱需求。

2. 一體化封裝殼體：第二代產(chǎn)品采用芯片熱沉+殼體一體化封裝技術(shù)，與GPU微流道結(jié)合，實(shí)現(xiàn)“液冷+導(dǎo)熱”雙效散熱；第三代集成化一體封裝殼體，整合散熱片、管殼、散熱器為一體，省去兩次界面熱阻與一次焊接，實(shí)現(xiàn)小型化集成，能夠滿足Vera Rubin GPU的三維堆疊先進(jìn)封裝需求，進(jìn)一步降低散熱損耗。

3. 芯片熱管理全鏈條定制服務(wù)：未來，瑞為新材希望能夠與芯片設(shè)計(jì)公司進(jìn)行深度協(xié)同，向系統(tǒng)級(jí)、模塊級(jí)熱管理拓展，打造“系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)——熱仿真分析——定制開發(fā)制造”全鏈條服務(wù)，助力客戶實(shí)現(xiàn)散熱方案優(yōu)化與性能升級(jí)。

優(yōu)勢(shì)三：產(chǎn)業(yè)化能力成熟，筑牢供應(yīng)鏈保障底氣

不同于行業(yè)內(nèi)多數(shù)企業(yè)仍停留在實(shí)驗(yàn)室階段，瑞為新材成立僅4年多就完成多輪融資，投資方包括毅達(dá)資本、水木創(chuàng)投等知名機(jī)構(gòu)，已建成規(guī)模化生產(chǎn)線，目前產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)增，預(yù)計(jì)2026年產(chǎn)能可達(dá)千萬(wàn)片以上，能夠?qū)崿F(xiàn)批量穩(wěn)定供貨，可充分滿足英偉達(dá)及下游終端企業(yè)的規(guī)模化需求，筑牢供應(yīng)鏈安全屏障，打破國(guó)外對(duì)高導(dǎo)熱芯片散熱材料的壟斷。

風(fēng)口已至！瑞為新材期待與英偉達(dá)共啟散熱新時(shí)代

據(jù)國(guó)海證券研報(bào)預(yù)測(cè)，鉆石散熱市場(chǎng)規(guī)模將從2025年的0.37億美元暴漲至2030年的152億美元，滲透率從不足0.1%提升至10%，風(fēng)口效應(yīng)凸顯。而中國(guó)作為全球培育鉆石核心產(chǎn)區(qū)，75%的培育鉆石毛坯、70%以上的半導(dǎo)體級(jí)高純度培育鉆石均來自中國(guó)，為國(guó)產(chǎn)企業(yè)提供了得天獨(dú)厚的產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)。

英偉達(dá)的布局，不僅重構(gòu)了高端芯片散熱的產(chǎn)業(yè)格局，更給國(guó)產(chǎn)散熱材料企業(yè)帶來了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。作為國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)，瑞為新材憑借自主可控的核心技術(shù)、全系列適配產(chǎn)品、成熟的產(chǎn)業(yè)化能力，已成為國(guó)產(chǎn)鉆石散熱材料的標(biāo)桿，不僅服務(wù)于十大軍工集團(tuán)及華為、中興等龍頭企業(yè)，更已具備對(duì)接英偉達(dá)等國(guó)際巨頭的實(shí)力。

算力無(wú)界，散熱有道。當(dāng)英偉達(dá)以鉆石銅散熱開啟AI算力新征程，瑞為新材正以國(guó)產(chǎn)硬科技保駕護(hù)航，破解芯片散熱“卡脖子”難題，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)散熱材料走向全球。

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