日本媒體：只要拋光液的核心配方在日本，中國晶圓良率就繞不開這一關

最近，日本關于半導體“拋光液”（CMP slurry）技術的報道在業內引發熱議。有日本媒體甚至揚言，“只要拋光液的核心配方仍掌握在日本手里，中國的晶圓良率就繞不開這一關”。這句話表面看似技術討論，實際上卻折射出日本對中國半導體產業崛起的既緊張又傲慢的心理。

但事實到底如何？中國是否真的在這一關鍵材料上受制于人？中國能否打破這一技術壁壘？

拋光液是化學機械拋光（CMP）工藝的核心耗材，用于晶圓生產中平坦化處理，是實現納米級平整度的關鍵材料之一。它由磨料（如二氧化硅、氧化鈰等）、化學添加劑、表面活性劑等復雜成分按嚴苛比例混合形成，核心作用是將晶圓表面磨平、去除表面微觀不均，使后續光刻、刻蝕等工藝能在平整基礎上正常運行。一個微小的配方誤差，都可能導致晶圓表面微觀瑕疵，從而影響整個芯片的良率和可靠性。

正因為涉及物理、化學、材料科學等多個學科，這種看似“液體”的材料背后蘊藏著極高的科研門檻。而日本媒體強調的“核心配方”正是這些精確到微克級的添加劑配比、pH調控等，是技術積累多年、專利密布的領域。

根據市場數據，日本企業在拋光液市場上仍占據重要份額。日本廠商如富士美（Fujimi）、日立等在部分拋光液產品（包括氧化物拋光以及金屬互聯層拋光液）上擁有世界領先的技術，與歐美巨頭一起統治著全球市場。2023年日本企業占據全球CMP材料市場的重要份額，特別是高端磨料添加技術方面積累深厚。

可以說，在現階段，要想完全繞開這些已有成熟技術并非易事，這也是日本媒體引用“核心配方”話題時所抓住的現實邏輯。

對日本媒體而言，強調“只要拋光液核心配方在日本，中國良率就繞不開”，更多是一種技術自信甚至戰略上的傲慢。一方面，日本確實在某些半導體化學材料領域擁有長達數十年的技術積累；另一方面，這種說法也有明顯的地緣政治標簽——暗示中國在某些關鍵技術上“永遠無法獨立”，必須依賴外部供應。

這樣的說法表面上看似專業討論，實際上潛藏著對中國半導體突飛猛進的無形焦慮。他們把拋光液技術妖魔化，仿佛這是“無法被打破的絕對壁壘”。但這種論調未免過于絕對，也忽視了中國產業的快速追趕。

盡管起步較晚，中國在拋光液領域并非完全無所作為。從早期完全依賴進口，到如今在中低端市場實現供應能力，中國企業已經取得了實質性進展。

國內公司如安集科技等已經成功開發出不同系列的CMP拋光液產品，并進入了主流晶圓制造企業的供應體系，實現一定程度的進口替代。數據顯示，中國企業在氧化層及銅制程拋光液上已經取得小量訂單，部分產品甚至量產供應，逐漸減少了對海外供應商的絕對依賴。

此外，隨著中國半導體產業整體規模與研發投入的大幅增加，科研機構與企業合作加速了材料配方、純度控制等關鍵技術的突破。國內拋光液產品質量和穩定性指標不斷提升，并在成熟制程市場獲得客戶認可。

不過，現實中中國在拋光液領域仍然存在明顯不足：

雖然可以制造部分拋光液產品，但在一些核心原料（如高純度氧化鈰磨料）仍然依賴外部進口，全球生產這些原料的技術壁壘很高。

拋光液配方技術需要大量實驗數據、配方調優以及長期測試積累。與日本、歐美成熟供應商相比，中國在微觀粒徑控制、配方穩定性、批次一致性等方面仍有差距。

目前中國相關材料企業在全球專利布局、技術標準制定方面參與度不高，缺乏足夠的話語權，這在一定程度上限制了技術輸出和品牌國際影響力。

這些不足都說明，中國在該領域雖然已經取得突破，但距離真正自主可控、并能在全球市場挑戰日、美企業還有一定距離。

事實上，中國的半導體材料產業正在快速成長，不斷縮小與國際領先者之間的距離。隨著國家政策支持、大基金投入、科研力量匯聚，中國本土企業在CMP拋光液技術上正在實現從跟隨到并跑甚至部分領先的階段性躍進。雖然核心配方的絕對領先者目前仍不全面掌握，但中國有足夠的技術積累、人才優勢與市場規模去逐步實現進口替代和技術突破。這絕不是一句簡單的口號，而是產業鏈實際進行的技術攻關。

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